Question

13．硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料，高溫下氫氣與四氯化硅（SiCl₄）反應(yīng)可制得 高純度的硅，該反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)方程式為：2H₂+SiCl₄$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+4X，下列說(shuō)法正確的是（　�。�

• A． 推出 X 是氯化氫氣體，它溶于水可制成鹽酸
• B． 該反應(yīng)可以在有氧氣或水蒸氣存在的條件下進(jìn)行
• C． 四氯化硅是由一個(gè)硅原子和四個(gè)氯原子構(gòu)成
• D． 該生產(chǎn)過程中的氫氣可用碳單質(zhì)代替

Answer 1

分析 根據(jù)題意，高溫下氫氣與四氯化硅（SiCl₄）反應(yīng)可制得高純度的硅，同時(shí)生成氯化氫氣體，根據(jù)反應(yīng)的化學(xué)方程式，根據(jù)質(zhì)量守恒定律，進(jìn)行分析．

解答 解：高溫下氫氣與四氯化硅（SiCl₄）反應(yīng)可制得高純度的硅，同時(shí)生成氯化氫氣體，反應(yīng)的化學(xué)方程式為2H₂+SiCl₄$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+4X，根據(jù)質(zhì)量守恒定律，反應(yīng)前H原子個(gè)數(shù)為4個(gè)，Si原子個(gè)數(shù)為1個(gè)，Cl原子個(gè)數(shù)為4個(gè)；反應(yīng)后Si原子個(gè)數(shù)為1個(gè)，故推測(cè)X中有1個(gè)H原子和1個(gè)Cl原子，為HCl．
A、推出X是氯化氫氣體，它溶于水可制成鹽酸，故正確；
B、該反應(yīng)不能在有氧氣或水蒸氣存在的條件下進(jìn)行，因?yàn)橛袣錃猓瑫?huì)發(fā)生爆炸，故錯(cuò)誤；
C、一個(gè)四氯化硅分子是由一個(gè)硅原子和四個(gè)氯原子構(gòu)成，故原說(shuō)法錯(cuò)誤；
D、該生產(chǎn)過程中的氫氣不可用碳單質(zhì)代替，否則生成的硅中會(huì)有雜質(zhì)碳，故錯(cuò)誤．
故選：A．

點(diǎn)評(píng) 本題難度不大，考查學(xué)生根據(jù)反應(yīng)原理書寫化學(xué)方程式的能力，化學(xué)方程式書寫經(jīng)常出現(xiàn)的錯(cuò)誤有不符合客觀事實(shí)、不遵守質(zhì)量守恒定律、不寫條件、不標(biāo)符號(hào)等．