【題目】鈣鈦礦(CaTiO3)型化合物是一類可用于生產(chǎn)太陽(yáng)能電池、傳感器、固體電阻器等的功能材料,回答下列問(wèn)題:

(1)基態(tài)Ti原子的核外電子排布式為____________。

(2)Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示,TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物,自TiCl4TiI4熔點(diǎn)依次升高,原因是____________

化合物

TiF4

TiCl4

TiBr4

TiI4

熔點(diǎn)/

377

24.12

38.3

155

(3)CaTiO3的晶胞如圖(a)所示,其組成元素的電負(fù)性大小順序是__________;金屬離子與氧離子間的作用力為__________,Ca2+的配位數(shù)是__________。

(4)一種立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物光電材料的組成為Pb2+、I和有機(jī)堿離子,其晶胞如圖(b)所示。其中Pb2+與圖(a)__________的空間位置相同,有機(jī)堿中,N原子的雜化軌道類型是__________;若晶胞參數(shù)為a nm,則晶體密度為_________g·cm-3(列出計(jì)算式)

(5)用上述金屬鹵化物光電材料制作的太陽(yáng)能電池在使用過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生單質(zhì)鉛和碘,降低了器件效率和使用壽命。我國(guó)科學(xué)家巧妙地在此材料中引入稀土銪(Eu)鹽,提升了太陽(yáng)能電池的效率和使用壽命,其作用原理如圖(c)所示,用離子方程式表示該原理______________。

【答案】1s22s22p63s23p63d24s2 TiF4為離子化合物,熔點(diǎn)高,其他三種均為共價(jià)化合物,隨相對(duì)分子質(zhì)量的增大分子間作用力增大,熔點(diǎn)逐漸升高 OTiCa 離子鍵 12 Ti4+ sp3 2Eu3++Pb=2Eu2++Pb2+ 2Eu2++I2=2Eu3++2I

【解析】

(1)考查了對(duì)基態(tài)原子電子排布規(guī)律的認(rèn)識(shí);(2)考查了不同類型的晶體的熔沸點(diǎn)比較,相同類型的晶體的熔沸點(diǎn)比較;(3)考查了電負(fù)性的周期性變化規(guī)律,微粒間的相互作用以及晶胞中離子的配位數(shù);(4)考查了晶胞中微粒的位置和雜化理論,晶體密度的計(jì)算問(wèn)題;(5)重點(diǎn)考查通過(guò)反應(yīng)歷程圖,來(lái)書(shū)寫(xiě)離子方程式等。

(1)鈦元素是22號(hào)元素,故其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d24s2[Ar]3d24s2;故答案為:1s22s22p63s23p63d24s2[Ar]3d24s2

(2) 一般不同的晶體類型的熔沸點(diǎn)是原子晶體>離子晶體>分子晶體,TiF4是離子晶體,其余三種則為分子晶體,故TiF4的熔點(diǎn)高于其余三種物質(zhì);TiCl4、TiBr4、TiI4均為分子晶體,對(duì)于結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,則其相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力依次越大,熔點(diǎn)越高;故答案為:TiF4是離子晶體,其余三種則為分子晶體,故TiF4的熔點(diǎn)高于其余三種物質(zhì);TiCl4TiBr4、TiI4均為分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量依次增大,分子間作用力依次增強(qiáng),故熔點(diǎn)依次升高;

(3)CaTiO3晶體中含有Ca、TiO三種元素,Ca、Ti是同為第四周期的金屬元素,CaTi的左邊,根據(jù)同一周期元素的電負(fù)性從左往右依次增大,故Ti>Ca,O為非金屬,故其電負(fù)性最強(qiáng),故三者電負(fù)性由大到小的順序是:O>Ti>Ca,金屬陽(yáng)離子和氧負(fù)離子之間以離子鍵結(jié)合,離子晶體晶胞中某微粒的配位數(shù)是指與之距離最近且相等的帶相反電性的離子,故Ca2+的配位數(shù)必須是與之距離最近且相等的氧離子的數(shù)目,從圖(a)可知,該數(shù)目為三個(gè)相互垂直的三個(gè)面上,每一個(gè)面上有4個(gè),故Ca2+的配位數(shù)是12;故答案為:O>Ti>Ca;離子鍵;12;

(4)比較晶胞(a)(b)可知,將圖(b)中周?chē)o鄰的八個(gè)晶胞中體心上的離子連接起來(lái),就能變?yōu)閳D(a)所示晶胞結(jié)構(gòu),圖(b)中體心上的Pb2+就變?yōu)榱税藗(gè)頂點(diǎn),即相當(dāng)于圖(a)中的Ti4+;圖(b)中頂點(diǎn)上的I-就變成了體心,即相當(dāng)于圖(a)中的Ca2+;圖(b)面心上中的 就變成了棱心,即相當(dāng)于圖(a)中的O2-;故圖(b)中的Pb2+與圖(a)中的Ti4+的空間位置相同;有機(jī)堿N原子上無(wú)孤對(duì)電子,周?chē)纬闪?/span>4個(gè)鍵,故N原子采用sp3雜化;從圖(b)可知,一個(gè)晶胞中含有Pb2+的數(shù)目為個(gè),的數(shù)目為個(gè),I-的數(shù)目為個(gè),故晶胞的密度為,故答案為:Ti4+;sp3;;

5)從作用原理圖(c)可以推出,這里發(fā)生兩個(gè)離子反應(yīng)方程式,左邊發(fā)生Pb + 2Eu3+= Pb2++ 2Eu2+,右邊發(fā)生I2+ 2Eu2+= 2Eu3++ 2I-,故答案為:Pb + 2Eu3+= Pb2++ 2Eu2+;I2+ 2Eu2+= 2Eu3++ 2I-

練習(xí)冊(cè)系列答案
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A. 甲、乙提高相同溫度 B. 甲中加入0.1molHe,乙中不變

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A.新制飽和氯水使紅玫瑰變力白玫瑰,說(shuō)明含有Cl2

B.加入石蕊溶液,溶液變紅,說(shuō)明該溶液不含HC1O

C.光照新制氯水有氣泡逸出,該氣體是氧氣

D.向氯水中KHCO3粉末有氣泡產(chǎn)生,說(shuō)明綠水中含有HC1O

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A. 反應(yīng)開(kāi)始4 min內(nèi)溫度對(duì)反應(yīng)速率的影響比濃度大

B. 一段時(shí)間后,反應(yīng)速率減小的原因是c(H)減小

C. 反應(yīng)在24 min內(nèi)平均反應(yīng)速率最大

D. 反應(yīng)在24 min內(nèi)生成CO2的平均反應(yīng)速率為v(CO2)0.06 mol·L1·s1

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A.NO2、N2B.NO、CO2

C.NO2CO2D.NO、CO2、N2

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【題目】已知如圖中H是無(wú)色液體,號(hào)稱生命之源,B是空氣中含量最多的物質(zhì),E是紅棕色氣體。

1C的化學(xué)式是___。

2DE都是大氣污染物,D轉(zhuǎn)化成E的化學(xué)方程式是___。

3EH的反應(yīng)中,氧化劑和還原劑的質(zhì)量比是___。

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【題目】甲醛(HCHO)在化工、醫(yī)藥、農(nóng)藥等的方面有廣泛應(yīng)用。

(1)甲醇脫氫法可制備甲醛(反應(yīng)體系中各物質(zhì)均為氣態(tài)),結(jié)合如圖圖像回答問(wèn)題。

①此反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是______。

②反應(yīng)活化能:過(guò)程I______過(guò)程II (“>”“=”“<”)

③過(guò)程II溫度轉(zhuǎn)化率圖如圖,下列說(shuō)法合理的是_____

A.甲醇脫氫法制備甲醛過(guò)程無(wú)副反應(yīng)發(fā)生

B.溫度高于650°C催化劑燒結(jié),活性減弱

C.及時(shí)分離產(chǎn)品有利于提高甲醇生成甲醛的轉(zhuǎn)化率

(2)甲醛超標(biāo)會(huì)危害人體健康,需對(duì)甲醛往行含量檢測(cè)及污染處理。

①某甲醛氣體傳感器的工作原理如圖所示,b極的電極反應(yīng)式為_________

②氧化劑可處理甲醛污染,結(jié)合以如圖圖像分析春季(水溫約15)應(yīng)急處理甲醛污染的水源應(yīng)選擇的試劑為________。

(3)750K下,在恒容密閉容器中,充入的甲醇,發(fā)生反應(yīng):CH3OH(g)HCHO(g) + H2(g),若起始?jí)簭?qiáng)為101kPa, 達(dá)到平衡轉(zhuǎn)化率為50.0%, 則反應(yīng)平衡的常數(shù)Kp= ______。(用平衡分壓代替平衡農(nóng)度計(jì)算,分壓=總壓×物質(zhì)的量分?jǐn)?shù),忽略其它反應(yīng))。

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【題目】晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3Si3HClSiHCl3H2

SiHCl3與過(guò)量H21 0001 100 ℃反應(yīng)制得純硅已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為_____________________________________________。

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 )中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 )HCl(沸點(diǎn)-84.7 ),提純SiHCl3采用的方法為___________________________。

(3)SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)

①裝置B中的試劑是________。裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是________________________________________________________________

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_____________________________________________________________。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及___________________________________________________________。

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