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單晶硅是信息產業(yè)中重要的基礎材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應生成SiCl4和CO,SiCl4經提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實驗室制備SiCl4的裝置示意圖。

實驗過程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質也能轉化為相應氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關物質的物理常數(shù)見下表:

物質

SiCl4

AlCl3

FeCl3

沸點/℃

57.7

315

熔點/℃

-70.0

升華溫度/℃

180

300

 

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質玻璃管中發(fā)生反應的化學方程式是                         

(2)裝置C中的試劑是           ; D、E間導管短且粗的原因是              。

(3)G中吸收尾氣一段時間后,吸收液中肯定存在OH、Cl和SO42-。請設計實驗,探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。

【提出假設】假設1:只有SO32-;假設2:既無SO32-也無ClO;假設3:       。

【設計方案,進行實驗】可供選擇的實驗試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。

取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進行下列實驗。請完成下表:

序號

操  作

可能出現(xiàn)的現(xiàn)象

結論

向a試管中滴加幾滴          溶液

若溶液褪色

則假設1成立

若溶液不褪色

則假設2或3成立

向b試管中滴加幾滴          溶液

若溶液褪色

則假設1或3成立

若溶液不褪色

假設2成立

向c試管中滴加幾滴          溶液

              

假設3成立

 

 

【答案】

(1)MnO2+2Cl+4H+Mn2++Cl2↑+2H2O ;SiO2+2C+2Cl2SiCl4+2CO

(2)濃硫酸;防止生成物中的AlCl3、FeCl3等雜質凝結成固體堵塞導管

(3)【提出假設】假設3:只有ClO【設計方案,進行實驗】①溴水(或0.01 mol/L KMnO4溶液)②品紅溶液;③淀粉-KI溶液;若溶液變?yōu)樗{色

【解析】

試題分析:(1)裝置A中發(fā)生的反應是用高錳酸鉀和濃鹽水在加熱的條件下制備氯氣,其反應離子方程式MnO2+2Cl+4H+Mn2++Cl2↑+2H2O;氯氣經過除雜后在D中和SiO2 與C在加熱條件下進行反應生成SiCl4和CO,反應化學方程式SiO2+2C+2Cl2SiCl4+2CO(2)BC中分別為飽和食鹽水和濃硫酸用來除去氯氣中的HCl和水蒸氣;石英砂中的鐵、鋁等雜質也能轉化為相應氯化物,若導管較細使雜質凝結成固體堵塞導管(3)由假設1和假設2得知,要檢測的為SO32-和ClO,故假設3為只有ClO;又因為SO32-會使KMnO4和溴水,并不與ClO發(fā)生反應,故可以用來檢測假設1,而均SO32-和ClO具有漂白性,會使品紅溶液褪色,故可以用來檢測假設2;所有試劑中ClO可以氧化KI使其生成I2,在淀粉溶液中顯藍色,可以用來檢測假設3。

考點:化學方程式的書寫;離子檢驗與化學實驗操作

 

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解

(2009?浙江)單晶硅是信息產業(yè)中重要的基礎材料.通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500℃),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅.以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖.

相關信息如下:①四氯化硅遇水極易水解;
②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;
③有關物質的物理常數(shù)見下表:
物質 SiCl4 BCl3 AlCl3 FeCl3 PCl5
沸點/℃ 57.7 12.8 - 315 -
熔點/℃ -70.0 -107.2 - - -
升華溫度/℃ - - 180 300 162
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式
MnO2+4H++2Cl-
 加熱 
.
 
Mn2++Cl2↑+2H2O
MnO2+4H++2Cl-
 加熱 
.
 
Mn2++Cl2↑+2H2O

(2)裝置A中g管的作用是
平衡壓強,使液體順利流出并防止漏氣
平衡壓強,使液體順利流出并防止漏氣
;裝置C中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
;
裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是
產物SiCl4沸點低,需要冷凝收集
產物SiCl4沸點低,需要冷凝收集

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是
Al、P、Cl
Al、P、Cl
(填寫元素符號).
(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,使鐵元素還原成Fe2+,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應的離子方程式是:5Fe2++MnO4-+8H+=5Fe3++Mn2++4H2O
①滴定前是否要滴加指示劑?
(填“是”或“否”),請說明理由
KMnO4溶液的紫紅色可指示反應終點
KMnO4溶液的紫紅色可指示反應終點

②某同學稱取5.000g殘留物后,經預處理后在容量瓶中配制成100mL溶液,移取25.00mL試樣溶液,用1.000×10-2 mol/LKMnO4標準溶液滴定.達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00mL,則殘留物中鐵元素的質量分數(shù)是
4.480%
4.480%

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科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解

單晶硅是信息產業(yè)中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500 ℃),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;

c.有關物質的物理常數(shù)見下表:

物質

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl下標5

沸點/℃

57.7

12.8

315

熔點/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式____________。

(2)裝置A中g管的作用是____________;裝置C中的試劑是;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是____________________________________。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是____________(填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,使鐵元素還原成Fe2+,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應的離子方程式是:5Fe2++MnO-4+8H+====5Fe3++Mn2++4H2O

①滴定前是否要滴加指示劑?________(填“是”或“否”),請說明理由__________________。

②某同學稱取5.000 g殘留物,經預處理后在容量瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL試樣溶液,用1.000×10-2 mol·L-1 KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00 mL,則殘留物中鐵元素的質量分數(shù)是________________。

 

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科目:高中化學 來源: 題型:

單晶硅是信息產業(yè)中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硫、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450-500°C),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;

c.有關物質的物理常數(shù)見下表:

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式                  。

(2)裝置A中g管的作用是              ;裝置C中的試劑是         ;裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                 。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是             (填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,是鐵元素還原成Fe2+ ,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應的離子方程式是:

①滴定前是否要滴加指示劑?            (填“是”或“否”),請說明理由          。

②某同學稱取5.000g殘留物,預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液,移取25.00ml,試樣溶液,用1.000×10-2mol· L-1KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質量分數(shù)是           。

 

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科目:高中化學 來源: 題型:

單晶硅是信息產業(yè)中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硫、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450-500°C),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;

c.有關物質的物理常數(shù)見下表:

請回答下列問題:www.ks5.u.com

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式                  。

(2)裝置A中g管的作用是              ;裝置C中的試劑是         ;裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                 。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是             (填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,是鐵元素還原成Fe2+ ,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應的離子方程式是:

①滴定前是否要滴加指示劑?           (填“是”或“否”),請說明理由           。

②某同學稱取5.000g殘留物,預處理后在容量瓶中配制成100ml溶液,移取25.00ml,試樣溶液,用1.000×10-2mol· L-1KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質量分數(shù)是           。

 

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科目:高中化學 來源:2013屆安徽省高三第一次統(tǒng)考化學試卷(解析版) 題型:實驗題

(10分)單晶硅是信息產業(yè)中重要的基礎材料。通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500℃),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關信息如下:

①四氯化硅遇水極易水解;

②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;

③有關物質的物理常數(shù)見下表:

物質

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸點/℃

57.7

12.8

315

熔點/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

請回答下列問題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式                                         

(2)裝置A中g管的作用是                           ;裝置C中的試劑是        

裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是                                            。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是                  (填寫元素符號)。

(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,使鐵元素還原成Fe2,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應的離子方程式是:

5Fe2+MnO4+8H5Fe3+Mn2+4H2O

①滴定前是否要滴加指示劑?     (填“是”或“否”),請說明理由                  

                                      。

②某同學稱取5.000g殘留物后,經預處理后在容量瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL試樣溶液,用1.000×102 mol/L KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00 mL,則殘留物中鐵元素的質量分數(shù)是           。

 

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