四種短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次遞增.其中A、B、C三種元素基態(tài)原子的2p能級(jí)上都有未成對電子.且未成對電子個(gè)數(shù)分別是2、3、2;D與C 可以形成D2C和D2C2兩種化合物。回答下列問題:
(1)已知A元素與氫元素形成的某種氣態(tài)化合物在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的密度為1.161g/L,則在該化合物的分子中A原子的雜化方式為    。
(2)A、B、C二種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>      (填元素符號(hào))。
(3)+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第二電離能I2,依次還有I3、I4、I5……,推測D元素的電離能第一次突增應(yīng)出現(xiàn)在第___電離能。
(4)AC2在高溫高壓下所形成的晶體其晶胞如圖所示。該晶體的類型屬于______________晶體.該晶體中A原子軌道的雜化類型為       

(5)C和C形成原子個(gè)數(shù)比為1:3的常見離子.推測這兩種微粒的空間構(gòu)型為            。
(6)C和D形成的一種離子化合物D2C的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.該晶體中陽離子的配位數(shù)為      。距一個(gè)陰離子周圍最近的所有陽離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為         。

已知該晶胞的密度為ρg·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA.則晶胞邊長a=  cm(用含ρ、NA的代數(shù)式表示)。
(1)sp (2)C<O<N (3)二(4)原子;sp3(5)平面三角形 (6)4;正方體;

試題分析:短周期元素A、B、C三種元素基態(tài)原子的2p能級(jí)上都有未成對電子.且未成對電子個(gè)數(shù)分別是2、3、2;則A的電子排布式為1s22s22p2,A為C元素;B的電子排布式為1s22s22p3.B為N元素;C的電子排布式為1s22s22p4.C為O元素。原子序數(shù)比O大的短周期元素D與O可以形成D2C和D2C2兩種化合物,則D為Na。這兩種氧化物分別為Na2O和Na2O2。(1)該C、H兩元素形成的化合物的相對分子質(zhì)量為:M=22.4L/mol×1.161g/L=26,所以該烴為乙炔,分子式為C2H2. 在該化合物的分子中C原子形成了2個(gè)δ鍵,2個(gè)Π鍵。即C的雜化方式為sp雜化。(2)一般情況下,同一周期的元素,原子核外的電子數(shù)越多,電離能越大。但當(dāng)原子核外的電子處于全充滿、半充滿或全空時(shí),能量較低。是穩(wěn)定的狀態(tài)。因此A、B、C這三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)镃<O<N。(3)Na的核外電子排布式為1s22s22p63s1.當(dāng)原子失去最外電子層上的1個(gè)3s電子后,次外電子層的2p電子處于全充滿的穩(wěn)定狀態(tài),失去較難。所以Na元素的電離能第一次突增應(yīng)出現(xiàn)在第2電離能. (4)由CO2高溫下形成的晶體的示意圖可以看出:每個(gè)C與4個(gè)O形成共價(jià)鍵,每個(gè)O與2個(gè)C形成共價(jià)鍵。C原子處于與它相連的4個(gè)O原子構(gòu)成的正四面體中心。這種正四面體結(jié)構(gòu)向空間擴(kuò)展就形成了一種立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。因此CO2高溫下形成的晶體為原子晶體。在該晶體中C原子與4個(gè)O原子形成了4個(gè)δ鍵,因此其軌道的雜化類型為sp3。(5)C和O形成原子個(gè)數(shù)比為1:3的常見離子CO32-離子中的C是SP2雜化,結(jié)構(gòu)式是平面三角形。(6)由離子化合物Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)可知:在一個(gè)晶胞中含有Na:8×1/8+6×1/2=4;含有O:1×8="8." 在該晶體中與Na+離子距離最近且相等的O2-有4個(gè)。所以它的的配位數(shù)為4. 距一個(gè)O2-離子周圍最近的所有Na+離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為正方體。由于每個(gè)晶胞中含有4個(gè)Na2O. 晶胞的密度為ρ=m÷V=(4NA×M) ÷(NA×a3). a3="(4M)" ÷(NA×ρ).所以a=.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

A~G是前四周期除稀有氣體之外原子序數(shù)依次增大的七種元素。A與其他元素既不同周期又不同族;B、C的價(jià)電子層中未成對電子數(shù)都是2;E核外的s、p能級(jí)的電子總數(shù)相等;F與E同周期且第一電離能比E;G的+1價(jià)離子(G+)的各層電子全充滿;卮鹣铝袉栴}:
(1)寫出元素名稱:B       ,G       。
(2)寫出F的價(jià)電子排布圖:       。
(3)寫出化合物BC的結(jié)構(gòu)式:                  
(4)由A、C、F三元素形成的離子[F(CA)4]是F在水溶液中的一種存在形式,其中F的雜化類型是                
(5)在測定A、D形成的化合物的相對分子質(zhì)量時(shí),實(shí)驗(yàn)測定值一般高于理論值的主要原因是                      。
(6)E的一種晶體結(jié)構(gòu)如圖甲,則其一個(gè)晶胞中含有       個(gè)E;G與D形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙,若晶體密度為ag/cm3,則G與D最近的距離為    pm
(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,列出計(jì)算表達(dá)式,不用化簡;乙中○為G,●為D。)

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

ⅤA族的氮、磷、砷(As)、銻(Sb)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅤA族元素的化合物在科研和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開___________(用元素符號(hào)表示)。
(2)As原子核外M層電子的排布式為________________________________________________________________________。
(3)疊氮化鈉(NaN3)用于汽車安全氣囊中氮?dú)獾陌l(fā)生劑,寫出與N3-互為等電子體的分子的化學(xué)式________(任寫一種即可)。
(4)白磷(P4)的結(jié)構(gòu)如圖所示,P原子的軌道雜化方式是________。

(5)NO可以與許多金屬離子形成配合物,例如[ Co(NO26]3,它可以用來檢驗(yàn)K,其反應(yīng)如下:3K+[Co(NO26]3=K3[Co(NO26]↓(亮黃色)。
①NO的立體構(gòu)型是________。
②在K3[Co(NO26]中,中心離子的配位數(shù)為________。
(6)天然氨基酸的命名常用俗名(根據(jù)來源與性質(zhì)),例如,最初從蠶絲中得到的氨基酸叫絲氨酸(HOCH2CHCOOHNH2)。判斷絲氨酸是否存在手性異構(gòu)體?________(填“是”或“否”)。
(7)砷化鎵為第三代半導(dǎo)體,以其為材料制造的燈泡壽命長,耗能少。已知立方砷化鎵晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長為c pm,則密度為________g·cm-3(用含c的式子表示,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值),a位置As原子與b位置As原子之間的距離為________pm(用含c的式子表示)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(1)已知X、Y、Z為第三周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表:
電離能/kJ·mol-1
I1
I2
I3
I4
X
578
1 817
2 745
11 578
Y
738
1 451
7 733
10 540
Z
496
4 562
6 912
9 543
則X、Y、Z的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)?u>      (用元素符號(hào)表示),元素Y的第一電離能大于X的第一電離能的原因是           
                                                      。 
(2)A、B、C、D是周期表中前10號(hào)元素,它們的原子半徑依次減小。D能分別與A、B、C形成電子總數(shù)相等的分子M、N、W,且在M、N、W分子中,A、B、C三原子都采取sp3雜化。
①A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>      (用元素符號(hào)表示)。 
②M是含有    鍵的    分子(填“極性”或“非極性”)。 
③N是一種易液化的氣體,請簡述其易液化的原因:                 
                                                     。 
④W分子的VSEPR模型的空間構(gòu)型為    ,W分子的空間構(gòu)型為    。 
⑤AB-中和B2分子的π鍵數(shù)目比為    。 
(3)E、F、G三元素的原子序數(shù)依次增大,三原子的核外的最外層電子排布均為4s1
①E元素組成的單質(zhì)的晶體堆積模型為    (填字母)。 
a.簡單立方堆積  b.體心立方堆積 
c.六方最密堆積  d.面心立方最密堆積
②F元素在其化合物中最高化合價(jià)為    。 
③G2+的核外電子排布式為                                 ,G2+和N分子形成的配離子的結(jié)構(gòu)式為      。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

Q、R、T、X、Y、Z是六種原子序數(shù)依次增大的前四周期常見元素,其相關(guān)信息如下表:
元素
相關(guān)信息
Q
Q的單質(zhì)是實(shí)驗(yàn)室常用的惰性電極材料
R
R原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對電子
T
負(fù)二價(jià)的元素T的氫化物在通常狀況下是一種液體,且其中T的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為88.9%
X
X是第三周期電負(fù)性最大的元素
Y
元素Y位于周期表的第10列
Z
Z存在質(zhì)量數(shù)為65,中子數(shù)為36的核素
 
(1)Z元素的原子基態(tài)時(shí)的電子排布式是________。
(2)下列敘述正確的是________(填字母序號(hào))。
a.Q的氣態(tài)氫化物比R的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定
b.Q的含氧酸一定比R的含氧酸酸性強(qiáng)
c.R的氣態(tài)氫化物的熔點(diǎn)在同族元素的氫化物中最低
d.R的第一電離能、電負(fù)性都比Q的大
(3)Q和T可形成兩種常見化合物,分別表示為QT和QT2。QT分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為________;QT2分子中,Q原子采取________雜化。
(4)笑氣(R2T)是一種麻醉劑,有關(guān)理論認(rèn)為R2T與QT2分子具有相似的結(jié)構(gòu)。故R2T的空間構(gòu)型是________,其為________(填“極性”或“非極性”)分子。
(5)含有Q、Y和鎂三種元素的某種晶體具有超導(dǎo)性,其結(jié)構(gòu)如圖所示。則該晶體的化學(xué)式為________;晶體中每個(gè)鎂原子周圍距離相等且最近的Y原子有______個(gè)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]已知:A、B、C、D、E、F六種元素,原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云,兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等;B是短周期中原子半徑最大的元素;C元素3p能級(jí)半充滿;E是所在周期電負(fù)性最大的元素;F是第四周期未成對電子最多的元素。
試回答下列有關(guān)的問題:
(1)寫出F元素的電子排布式:________________。
(2)已知A元素的一種氫化物分子中含四個(gè)原子,則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為__________。
(3)已知C、E兩種元素形成的化合物通常有CE3、CE5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子,一種為極性分子,屬于極性分子的化合物的分子立體構(gòu)型是________________。
(4)B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是________(寫元素符號(hào))。四種元素最高價(jià)氧化物的水化物形成的溶液,物質(zhì)的量濃度相同時(shí),pH由大到小的順序是________________(寫化學(xué)式)。
(5)由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中,陰、陽離子都具有球型對稱結(jié)構(gòu),它們都可以看做剛性圓球,并彼此“相切”。如下圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖:

晶胞中距離一個(gè)B+最近的B+有________個(gè)。若晶體密度為ρ g·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示,則E-的離子半徑為________cm(用含NA與ρ的式子表達(dá))。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含有3個(gè)能級(jí),且每個(gè)能級(jí)所含的電子數(shù)相同;C的最外層有6個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子;D是短周期元素中電負(fù)性最小的元素;E的最高價(jià)氧化物的水化物酸性最強(qiáng);F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài),其余能層均充滿電子。G元素與D元素同主族,且相差3個(gè)周期。
(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的是    (用元素符號(hào)表示)。 
(2)E的最高價(jià)含氧酸中E的雜化方式為    。 
(3)F原子的外圍電子排布式為    。 
(4)DE,GE兩種晶體,都屬于離子晶體,但配位數(shù)不同,其原因是 。 
(5)已知DE晶體的晶胞如圖所示,若將DE晶胞中的所有E離子去掉,并將D離子全部換為A原子,再在其中的4個(gè)“小立方體”中心各放置一個(gè)A原子,且這4個(gè)“小立方體”不相鄰。位于“小立方體”中的A原子與最近的4個(gè)A原子以單鍵相連,由此表示A的一種晶體的晶胞(已知A—A鍵的鍵長為a cm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值),則該晶胞中含有    個(gè)A原子,該晶體的密度是    g·cm-3(列式表示)。 

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(1)下列曲線表示鹵素元素某種性質(zhì)隨核電荷數(shù)的變化趨勢,正確的是____________。

(2)利用“鹵化硼法”合成含B和N兩種元素的功能陶瓷,下圖為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,則每個(gè)晶胞中含有B原子的個(gè)數(shù)為________,該功能陶瓷的化學(xué)式為___________。

(3)BCl3和NCl3中心原子的雜化方式分別為________和_________。第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有________種。
(4)若BCl3與XYm通過B原子與X原子間的配位健結(jié)合形成配合物,則該配合物中提供孤對電子的原子是________。
(5)SiO2是硅酸鹽玻璃(Na2CaSi6O14)的主要成分,Na2CaSi6O14也可寫成Na2O·CaO·6SiO2
長石是金屬鋁硅鹽。由鈉長石化學(xué)式NaAlSi3O8可推知鈣長石改寫成氧化物的形式可表示為         

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

有A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的元素(原子序數(shù)均小于30)。A的基態(tài)原子2p能級(jí)有3個(gè)單電子;C的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子;E的內(nèi)部各能層均排滿,且有成單電子;D與E同周期,價(jià)電子數(shù)為2。則:
(1)寫出基態(tài)E原子的價(jià)電子排布式                         。
(2)A的單質(zhì)分子中鍵的個(gè)數(shù)為       
(3)A、B、C三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>               (用元素符號(hào)表示)
(4)B元素的氫化物的沸點(diǎn)是同族元素中最高的,原因是                    
(5)A的最簡單氫化物分子的空間構(gòu)型為        ,其中A原子的雜化類型是       。
(6)C和D形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,已知晶體的密度為g·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,求晶胞邊長a=          cm. (用、NA的計(jì)算式表示)

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