Question

【題目】A、B為兩種短周期元素，A的原子序數(shù)大于B，且B原子的最外層電子數(shù)為A原子最外層電子數(shù)的3倍。A、B形成的化合物是中學化學常見的化合物，該化合物熔融時能導電，試回答下列問題：

(1)A、B的元素符號分別是________、________。

(2)寫出A、B元素形成化合物電子式：___________。

(3)A、B所形成的化合物的晶體結構與氯化鈉晶體結構相似，則每個陽離子周圍吸引了________個陰離子；晶體中陰、陽離子數(shù)之比為 ________。

(4)A、B所形成化合物的晶體的熔點比NaF晶體的熔點________(填“高”或“低”)，其判斷的理由是 ____________________________________________。

Answer 1

【答案】 Mg O 6 1∶1 高 離子半徑相差不大，MgO中離子所帶電荷數(shù)較多，離子鍵強，晶格能大。

【解析】A、B形成的化合物是中學化學常見的化合物，該化合物熔融時能導電，說明是離子化合物，所以首先從B原子的最外層電子數(shù)為A原子最外層電子數(shù)的3倍，B的最外層電子數(shù)＜8，又是3的倍數(shù)，就只能是6，短周期元素中只有O和S，而A的最外層電子數(shù)是2，A的原子序數(shù)大于B，B只能是O，A是Mg。

⑴.根據上述分析可知，A、B分別是Mg和O，故答案是Mg、O；

⑵.A、B元素形成的化合物是MgO，其電子式為，故答案是：；

⑶. 因A、B所形成的化合物是MgO，其晶體結構與氯化鈉晶體結構相似，則每個陽離子周圍吸引了6個陰離子，晶體中陰、陽離子數(shù)之比為1:1，故答案為：6；1:1；

⑷.Mg2＋、O2－與對應的Na＋、F－半徑相差不大，但Mg2＋、O2－所帶的電荷數(shù)多，形成的離子鍵較強，晶格能大，故熔點較高，因此答案是：高；離子半徑相差不大，MgO中離子所帶電荷數(shù)較多，離子鍵強，晶格能大。