用質(zhì)子數(shù)、中子數(shù)、電子數(shù)、質(zhì)量數(shù)完成下列填空:
(1)136C與147N具有相同的
中子數(shù)
中子數(shù)
;
(2)146C與147N具有相同的
質(zhì)量數(shù)
質(zhì)量數(shù)
分析:根據(jù)原子的表示方法和各位置數(shù)字的關(guān)系,可以計(jì)算每組中具有的相同關(guān)系,如質(zhì)子數(shù)、中子數(shù)、電子數(shù)、質(zhì)量數(shù),即同位素是指質(zhì)子數(shù)相同而中子數(shù)不同的同一元素的不同原子,質(zhì)量數(shù)等于質(zhì)子數(shù)與中子數(shù)之和,對于zAX中z表示質(zhì)子數(shù)、A表示質(zhì)量數(shù).
解答:解:(1)136C中的中子數(shù)為13-6=7,147N中的中子數(shù)為14-7=7,因此二者具有相同的中子數(shù),故答案為:中子數(shù);
(2)146C的質(zhì)量數(shù)為14,質(zhì)子數(shù)為6,中子數(shù)為8,147N的質(zhì)量數(shù)為14,質(zhì)子數(shù)為7,中子數(shù)為7,因此,二者具有相同的質(zhì)量數(shù),故答案為:質(zhì)量數(shù).
點(diǎn)評:本題考查質(zhì)子數(shù)、中子數(shù)、質(zhì)量數(shù)的關(guān)系,題目難度不大,準(zhǔn)確把握質(zhì)量數(shù)與質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)的關(guān)系是解題的關(guān)鍵.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

[選修-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對電子,A+比B-少一個(gè)電子層,B原子得一個(gè)電子填入3p軌道后,3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4,其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù).R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2-離子數(shù)之比為2:1.
請回答下列問題:
(1)A元素形成的晶體屬于A2密堆積型式,則其晶體內(nèi)晶胞類型應(yīng)屬于
體心立方
體心立方

(填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”).
(2)B-的電子排布式為
ls22s22p63s23p6
ls22s22p63s23p6
,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是
sp3
sp3
雜化.
(3)C的氫化物的空間構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形
,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是
氨分子間形成氫鍵,所以氨氣比同族其它元素形成的氫化物沸點(diǎn)高
氨分子間形成氫鍵,所以氨氣比同族其它元素形成的氫化物沸點(diǎn)高

(4)B元素的電負(fù)性
D元素的電負(fù)性(填“>”、“<”或“=”);用一個(gè)化學(xué)方程式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱:
H2S+Cl2=2HCl+S↓
H2S+Cl2=2HCl+S↓

(5)如圖所示是R形成的晶體的晶胞,設(shè)晶胞的棱長為a cm.試計(jì)算R晶體的密度為
312
a3NA
g?cm-3
312
a3NA
g?cm-3
.(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有+1個(gè)未成對電子,A+比B-少一個(gè)電子層,B原子得一個(gè)電子后3p軌道全滿;C原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4,其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù).R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A與D離子的數(shù)目之比為2:1.請回答下列問題.
(1)A單質(zhì)、B單質(zhì)、化合物R的熔點(diǎn)高低順序?yàn)?!--BA-->
 
(填序號)
①A單質(zhì)>B單質(zhì)>R    ②R>A單質(zhì)>B單質(zhì)
③B單質(zhì)>R>A單質(zhì)    ④A單質(zhì)>R>B單質(zhì)
(2)CB3分子的空間構(gòu)型是
 
,其固態(tài)時(shí)的晶體類型為
 

(3)寫出D原子的核外電子排布式
 
,C的氫化物比D的氫化物在水中溶解度大得多的原因
 

(4)B元素和D元素的電負(fù)性大小關(guān)系為
 
(用元素符號表示).
(5)A與B形成的離子化合物的晶胞中,每個(gè)A+周圍與它距離相等且最近的B-
 
個(gè),這些B-圍成的空間幾何構(gòu)型為
 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

有主族元素A、B、C、D四種元素,原子序數(shù)依次遞增,A元素原子2p軌道上有2個(gè)

未成對電子。B原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元

素所形成的氫化物中最大。C的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4,其最高價(jià)氧化物中

含C的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。D原子得一個(gè)電子填入3p軌道后,

3p軌道已充滿。

請回答下列問題:

(1)AC2分子中含有____根π鍵,屬于__________分子(填“極性分子”或“非極性分子”)

(2) B的氫化物的空間構(gòu)型為_________,B原子的原子軌道采用______雜化,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是__________。

(3)寫出A的常見氧化物與B的氧化物中互為等電子體的一組___________

(4)C元素的電負(fù)性_______D元素的電負(fù)性(填“>”,“<”或“=”);用一個(gè)化學(xué)方程式表示__________________________________

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(13分)有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對電子,A+比B少一個(gè)電子層,B原子得一個(gè)電子填入3p軌道后, 3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和4,其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2—離子數(shù)之比為2:1。請回答下列問題:

(1)A元素形成的晶體屬于密置堆積方式,則其晶體晶胞類型屬于       。(填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”)。

(2)B的電子排布式   ,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是_______雜化。

(3)C的氫化物空間構(gòu)型為       ,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是       。

(4)B元素的電負(fù)性       D元素的電負(fù)性(填“>”,“<”或“=”);用一個(gè)化學(xué)方程

式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱:       。

(5)如上圖所示是R形成的晶體的晶胞,設(shè)晶胞的邊

長為acm。則R晶體的密度為       。(阿伏加德數(shù)常數(shù)用NA表示)

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆陜西省高二上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷 題型:填空題

(13分)有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對電子,A+比B少一個(gè)電子層,B原子得一個(gè)電子填入3p軌道后, 3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和4,其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2—離子數(shù)之比為2:1。請回答下列問題:

(1)A元素形成的晶體屬于密置堆積方式,則其晶體晶胞類型屬于       。(填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”)。

(2)B的電子排布式   ,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是_______雜化。

(3)C的氫化物空間構(gòu)型為       ,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是       。

(4)B元素的電負(fù)性       D元素的電負(fù)性(填“>”,“<”或“=”);用一個(gè)化學(xué)方程

式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱:       。

(5)如上圖所示是R形成的晶體的晶胞,設(shè)晶胞的邊

長為acm。則R晶體的密度為       。(阿伏加德數(shù)常數(shù)用NA表示)

 

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