碳化硅(SiC)的一種晶體具有類(lèi)似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石、②晶體硅、③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是( )
A. ①③② B. ②③① C. ③①② D. ②①③
答案:A
由于題給的三種物質(zhì)都屬于原子晶體,而且結(jié)構(gòu)相似都是正四面體形的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),所以晶體的熔點(diǎn)有微粒間的共價(jià)鍵強(qiáng)弱決定,這里共價(jià)鍵強(qiáng)弱主要由鍵長(zhǎng)決定,可近似地看作是成鍵原子的半徑之和,由于硅的原子半徑大于碳原子,所以鍵的強(qiáng)弱順序?yàn)镃—C>C—Si>Si—Si,熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)榻饎偸?gt;碳化硅>晶體硅。本題正確答案為A。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
碳化硅(SiC)的一種晶體具有類(lèi)似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石、②晶體硅、③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是( )
A. ①③② B. ②③① C. ③①② D. ②①③
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
.碳化硅(SiC)的一種晶體具有類(lèi)似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石、②晶體硅、③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是( )
A. ①③② B. ②③① C. ③①② D. ②①③
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年吉林省龍井市三中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:單選題
碳化硅SiC的一種晶體具有類(lèi)似金剛石的結(jié)構(gòu),其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石 ②晶體硅 ③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是
A.①③② | B.②③① | C.③①② | D.②①③ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆吉林省龍井市高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
碳化硅SiC的一種晶體具有類(lèi)似金剛石的結(jié)構(gòu),其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三種晶體①金剛石 ②晶體硅 ③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是
A.①③② B.②③① C.③①② D.②①③
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