教材中給出的各物質(zhì)的第一電離能的數(shù)據(jù)如下:
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請(qǐng)回答下列問題:
(1)a點(diǎn)代表的元素是
 
.a(chǎn)點(diǎn)的第一電離能比b點(diǎn)高理由是:
 

(2)d點(diǎn)代表的元素的第一電離能處在峰頂原因是:
 
.稀有氣體中的Xe能形成氧化物XeO3,已知該氙原子上有1對(duì)孤對(duì)電子,則XeO3分子構(gòu)型為
 
型結(jié)構(gòu);Xe的雜化類型為
 

(3)上圖中也給出了過渡元素的第一電離能數(shù)據(jù),他們都與核外電子的排布有關(guān),則Cu的外圍電子排布式為:
 

(4)Mn 元素的外圍電子排布式為3d54s2,F(xiàn)e元素的外圍電子排布式為3d64s2,請(qǐng)解釋Mn的第三電離能比Fe的第三電離能大的原因是:
 
分析:(1)根據(jù)a點(diǎn)的位置判斷,第VA族元素最外層的nP為半滿狀態(tài)較穩(wěn)定;
(2)d為Ne元素,最外層是8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu);根據(jù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)判斷;
(3)Cu的外圍電子為全滿和半滿排布;
(4)原子軌道處于半滿、全滿時(shí)能量更低穩(wěn)定.
解答:解:(1)根據(jù)a點(diǎn)的位置可知a點(diǎn)代表的元素是N,N元素位于第VA族元素最外層的2P為半滿狀態(tài)較穩(wěn)定,故答案為:N;N中2p軌道半充滿,失去一個(gè)電子較難;
(2)d為Ne元素,最外層是8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu);稀有氣體中的Xe能形成氧化物XeO3,已知該氙原子上有1對(duì)孤對(duì)電子,所以Xe的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,有1對(duì)孤對(duì)電子,所以是三角錐形,雜化類型為sp3,故答案為:最外層已達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu);三角錐;sp3
(3)Cu的外圍電子為全滿和半滿排布,所以Cu的外圍電子排布式為:3d104s1;故答案為:3d104s1;
(4)Mn元素為25號(hào)元素,核外電子排布式為[Ar]3d54s2,所以價(jià)層電子排布式為3d54s2
由Mn2+轉(zhuǎn)化為Mn3+時(shí),3d能級(jí)由較穩(wěn)定的3d5半充滿狀態(tài)轉(zhuǎn)為不穩(wěn)定的3d4狀態(tài)需要的能量較多;而Fe2+到Fe3+時(shí),3d能級(jí)由不穩(wěn)定的3d6到穩(wěn)定的3d5半充滿狀態(tài),需要的能量相對(duì)要少.
故答案為:由Mn2+轉(zhuǎn)化為Mn3+時(shí),3d能級(jí)由較穩(wěn)定的3d5半充滿狀態(tài)轉(zhuǎn)為不穩(wěn)定的3d4狀態(tài)需要的能量較多;而Fe2+到Fe3+時(shí),3d能級(jí)由不穩(wěn)定的3d6到穩(wěn)定的3d5半充滿狀態(tài),需要的能量相對(duì)要少.
點(diǎn)評(píng):本題考查電子排布式、電離能、雜化、分子的空間構(gòu)型等,涉及知識(shí)點(diǎn)較多,難度中等,是對(duì)知識(shí)與能力綜合考查.
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