A. | 形成簡單離子的離子半徑為D>C>A | |
B. | 四種元素形成的簡單氫化物中,D的沸點(diǎn)最高 | |
C. | B的氧化物對(duì)應(yīng)水化物為弱酸,C和D的氧化物對(duì)應(yīng)水化物均為強(qiáng)酸 | |
D. | C和D形成的某種化合物具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),其化學(xué)式可能是C2D2 |
分析 原子序數(shù)依次增大的短周期元素A、B、C、D,A原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,則A為O,其中A、C同主族,C為S;B、D同周期,均為第三周期元素,B原子核外各層電子數(shù)之比為1:4:2,可知B的最外層電子數(shù)為4,B為Si,D原子很活潑,D為Cl,以此來解答.
解答 解:由上述分析可知,A為O,B為Si,C為S,D為Cl,
A.電子層越多,離子半徑越大,具有相同電子排布的離子中,原子序數(shù)大的離子半徑小,則形成簡單離子的離子半徑為D>C>A,故A錯(cuò)誤;
B.A的氫化物分子間含氫鍵,沸點(diǎn)最高,故B錯(cuò)誤;
C.B的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物為弱酸,C和D的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物均為強(qiáng)酸,故C錯(cuò)誤;
D.C2D2的結(jié)構(gòu)式為Cl-S-S-Cl,S最外層6個(gè)電子、Cl最外層7個(gè)電子,則均具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故D正確;
故選D.
點(diǎn)評(píng) 本題考查原子結(jié)構(gòu)與元素周期律,為高頻考點(diǎn),把握原子結(jié)構(gòu)、元素的位置推斷元素為解答的關(guān)鍵,側(cè)重分析與應(yīng)用能力的考查,注意規(guī)律性知識(shí)的應(yīng)用,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 強(qiáng)電解質(zhì) | B. | 弱電解質(zhì) | C. | 非電解質(zhì) | D. | 離子化合物 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 2-甲基丁烷的結(jié)構(gòu)簡式為 | |
B. | H2C═CH-CH3+Cl2$\stackrel{光照}{→}$H2C═CH-CH2Cl+HCl屬于加成反應(yīng) | |
C. | 苯環(huán)上的一溴代物有3種 | |
D. | 油脂、塑料和糖類都屬于高分子化合物 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
選項(xiàng) | 實(shí)驗(yàn)操作 | 現(xiàn)象 | 結(jié)論 |
A | 等體積pH=2的HX和HY兩種酸分別與足量的鐵反應(yīng),用排水法收集氣體 | HX放出的氫氣多且反應(yīng)速率快 | HX酸性比HY強(qiáng) |
B | 向2mL 0.1mol/LNa2S溶液中滴2滴0.1mol/LZnSO4溶液;再滴入2滴0.1mol/L CuSO4溶液 | 先生成白色沉淀,后生成黑色沉淀 | 溶度積(Ksp):ZnS>CuS |
C | 在稀硫酸中加入銅,再加入硝酸鈉固體 | 開始無現(xiàn)象,后銅逐步溶解,溶液變藍(lán),有氣泡產(chǎn)生 | 硝酸鈉可以加快銅與稀硫酸的反應(yīng)速率 |
D | 將一鋁箔放在酒精燈外焰上灼燒 | 鋁箔熔化但不滴落 | 鋁箔表面生成致密的Al2O3薄膜,且Al2O3熔點(diǎn)高于Al |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 苯中加溴水振蕩,溴水層褪色 | |
B. | 乙烯通入溴水,溴水褪色 | |
C. | 石油裂解后的氣體通入溴水,溴水褪色 | |
D. | 苯轉(zhuǎn)化為環(huán)己烷 |
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