Question

下面的排序不正確的是（　�。�

• A、金屬Cu中Cu原子堆積方式為面心立方最密堆積，每個(gè)Cu原子的配位數(shù)均為12
• B、晶體的熔點(diǎn)：SiC＞CCl₄＞P₄＞SO₂
• C、酸性：HClO₄＞HClO₃＞HClO
• D、晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI

Answer 1

考點(diǎn)：用晶格能的大小衡量離子晶體中離子鍵的強(qiáng)弱,晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系,金屬晶體的基本堆積模型

專題：

分析：A．在金屬晶體的最密堆積中，對(duì)于每個(gè)原子來說，在其周圍的原子有與之同一層上有六個(gè)原子和上一層的三個(gè)及下一層的三個(gè)，故每個(gè)原子周圍都有12個(gè)原子與之相連；
B．一般來說晶體的熔點(diǎn)：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體；
C．同一種元素的含氧酸，非羥基氧越多，酸性越強(qiáng)；
D．離子晶體中離子鍵越強(qiáng)晶格能越大，電荷越多、離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)．

解答： 解：A．在金屬晶體的最密堆積中，對(duì)于每個(gè)原子來說，在其周圍的原子有與之同一層上有六個(gè)原子和上一層的三個(gè)及下一層的三個(gè)，故每個(gè)原子周圍都有12個(gè)原子與之相連，對(duì)于銅原子也是如此，故A正確；
B．一般來說晶體的熔點(diǎn)：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，碳化硅為原子晶體，故熔點(diǎn)最高，白磷常溫下為固體，四氯化碳為液體，二氧化硫?yàn)闅怏w，則晶體的熔點(diǎn)SiC＞P₄＞CCl₄＞SO₂，故B錯(cuò)誤；
C．同一種元素的含氧酸，非羥基氧越多，酸性越強(qiáng)；HClO₄、HClO₃、HClO非羥基氧分別為3、2、0故酸性順序?yàn)椋篐ClO₄＞HClO₃＞HClO，故C正確；
D、離子半徑F^-＜Cl^-＜Br^-＜I^-，故離子鍵強(qiáng)度NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI，故晶格能NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI，故D正確；
故選B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查金屬晶體的堆積模型、晶體類型與熔點(diǎn)、含氧酸的酸性、晶格能大小，難度中等，注意非羥基氧和含氧酸酸性的關(guān)系．