下列敘述中,結(jié)論和對(duì)應(yīng)的解釋均錯(cuò)誤的是( )
A.金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅,因?yàn)镃-C鍵能大于Si-Si鍵能
B.二氧化硅晶體中不存在SiO2分子,因?yàn)樗蓄愃平饎偸目臻g網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
C.稀有氣體的晶體屬于原子晶體,因?yàn)槠浣M成微粒是原子,不存在分子間作用力
D.四面體構(gòu)型的分子不一定是非極性分子,因?yàn)樗膫(gè)鍵角不一定相等
【答案】分析:A、先判斷晶體類型,如果晶體類型相同,再根據(jù)化學(xué)鍵的鍵能判斷.
B、根據(jù)二氧化硅的晶體類型判斷.
C、根據(jù)稀有氣體的晶體類型分析判斷.
D、根據(jù)分子的空間構(gòu)型判斷分子的類型.
解答:解:A、金剛石和晶體硅都是原子晶體,金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅,C-C鍵的鍵長(zhǎng)小于Si-Si鍵的鍵長(zhǎng),導(dǎo)致C-C鍵能大于Si-Si鍵能,故A正確.
B、二氧化硅是原子晶體,它含有類似金剛石的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),導(dǎo)致二氧化硅晶體中不存在SiO2分子,故B正確.
C、稀有氣體的晶體是分子晶體,稀有氣體的單原子分子,其組成微粒是分子,該晶體中只存在分子間作用力,不存在化學(xué)鍵,故C錯(cuò)誤.
D、四面體構(gòu)型的分子不一定是非極性分子,如:CH3Cl的空間構(gòu)型不是正四面體構(gòu)型,它不是對(duì)稱結(jié)構(gòu),所以不是非極性分子,它的四個(gè)鍵角不全相等,故D正確.
故選C.
點(diǎn)評(píng):本題考查了晶體類型、構(gòu)成微粒等知識(shí)點(diǎn),難度不大,注意稀有氣體都是單原子分子,稀有氣體中不存在化學(xué)鍵,只存在分子間作用力.
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下列敘述中,結(jié)論(事實(shí))和對(duì)應(yīng)的解釋(事實(shí))均不正確的是

  A.金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅,因?yàn)镃一C鍵能大于Si一Si鍵能

  B.稀有氣體的晶體屬于原子晶體,因?yàn)槠錁?gòu)成粒子間作用力為共價(jià)鍵

  C.NH4+ 與Cu2+ 間不能形成配位鍵,因?yàn)镹H4+ 中N 原子不存在孤對(duì)電子

  D.p軌道之間只能形成π鍵,因?yàn)閜軌道與p軌道之間只能以“肩并肩”方式重疊

 

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:單選題

下列敘述中,結(jié)論(事實(shí))和對(duì)應(yīng)的解釋(事實(shí))均不正確的是


  1. A.
    金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅,因?yàn)镃一C鍵能大于Si一Si鍵能
  2. B.
    稀有氣體的晶體屬于原子晶體,因?yàn)槠錁?gòu)成粒子間作用力為共價(jià)鍵
  3. C.
    NH4+ 與Cu2+ 間不能形成配位鍵,因?yàn)镹H4+ 中N 原子不存在孤對(duì)電子
  4. D.
    p軌道之間只能形成π鍵,因?yàn)閜軌道與p軌道之間只能以“肩并肩”方式重疊

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下列敘述中,結(jié)論(事實(shí))和對(duì)應(yīng)的解釋(事實(shí))均不正確的是

  A.金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅,因?yàn)镃一C鍵能大于Si一Si鍵能

  B.稀有氣體的晶體屬于原子晶體,因?yàn)槠錁?gòu)成粒子間作用力為共價(jià)鍵

  C.NH4+ 與Cu2+ 間不能形成配位鍵,因?yàn)镹H4+ 中N 原子不存在孤對(duì)電子

  D.p軌道之間只能形成π鍵,因?yàn)閜軌道與p軌道之間只能以“肩并肩”方式重疊

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  A.金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅,因?yàn)镃一C鍵能大于Si一Si鍵能

  B.稀有氣體的晶體屬于原子晶體,因?yàn)槠錁?gòu)成粒子間作用力為共價(jià)鍵

  C.NH4+與Cu2+ 間不能形成配位鍵,因?yàn)镹H4+ 中N 原子不存在孤對(duì)電子

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A.金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅,因?yàn)镃一C鍵能大于Si一Si鍵能
B.稀有氣體的晶體屬于原子晶體,因?yàn)槠錁?gòu)成粒子間作用力為共價(jià)鍵
C.NH4+ 與Cu2+ 間不能形成配位鍵,因?yàn)镹H4+ 中N 原子不存在孤對(duì)電子
D.p軌道之間只能形成π鍵,因?yàn)閜軌道與p軌道之間只能以“肩并肩”方式重疊

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