化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請完成下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)SiC_________Si;SiCl4_________SiO2。
(2)上圖立方體中心的“”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點(diǎn)用“”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=_________kJ·mol-1。
解析:本題主要考查鍵能的大小與物質(zhì)性質(zhì)及反應(yīng)熱之間的關(guān)系。
(1)SiC與Si皆為原子晶體,由于Si—C鍵能大于Si—Si鍵能,故SiC的熔點(diǎn)比Si高;SiCl4為分子晶體,SiO2為原子晶體,前者的熔點(diǎn)低于后者。
(2)根據(jù)硅原子與硅原子可形成四個相等的硅硅鍵可知,除立方體中心的硅原子外,與它相鄰的硅原子應(yīng)處于可形成正四面體的四個頂點(diǎn)上。
(3)根據(jù)題意,所給反應(yīng)的舊化學(xué)鍵鍵能之和為4×360 kJ·mol-1+2×436 kJ·mol-1=2 312 kJ·mol-1,新化學(xué)鍵鍵能之和為4×431 kJ·mol-1+2×176 kJ·mol-1(每摩硅原子相當(dāng)于形成2 mol Si—Si)=2 076 kJ·mol-1所以反應(yīng)熱為:2 312 kJ·mol-1-2 076 kJ·mol-1=236 kJ·mol-1。
答案:(1)> < (2)如圖
(3)+236
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
A、一定溫度下,反應(yīng)Mg(1)+Cl2(g)=MgCl2(1)的△H<0,△S<0 | ||||||||||||
B、101 kPa時,硫的標(biāo)準(zhǔn)燃燒熱與硫完全燃燒時物質(zhì)的量有關(guān) | ||||||||||||
C、通常人們把拆開1 mol氣態(tài)物質(zhì)中某種共價鍵需要吸收的能量看成該共價鍵的鍵能
| ||||||||||||
D、已知:N2(g)+2O2(g)=2NO2(g)△H=+68kJ?mol-1 2C(s)+O2(g)=2CO(g)△H=-221kJ?mol-1 C(s)+O2(g)=CO2(g)△H=-393.5kJ?mol-1 則4CO(g)+2NO2(g)=4NO2(g)+N2(g)△H=+1200kJ?mol-1 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能kJ·mol | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請回答下列問題:
(1)比較下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)SiC__________Si。
(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制。
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=____________kJ/mol。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
①比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)SiCl4______SiO2;
②工業(yè)上用高純硅可通過下列反應(yīng)制取:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=_______________kJ/mol。
(2)對于CO中毒、心肌梗塞、冠心病或小兒肺炎等危重患者都要采用吸氧治療。普通醫(yī)務(wù)室中沒有氧氣瓶,但一般都有消毒用的30%的H2O2溶液。同時還有可選用的試劑為:KMnO4、H2SO4、K2SO4、Mg、CuSO4、NaCl和葡萄糖。請利用上述試劑寫出一種使H2O2中的氧完全釋放出來的理想反應(yīng)的離子方程式: _____________________________________________。
(3)將一定量的硫粉和鐵粉的混合物隔絕空氣加熱,充分反應(yīng)后冷卻,再加入足量的稀硫酸,得到標(biāo)準(zhǔn)狀況下的氣體
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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆福建省高二第一次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能,F(xiàn)給出化學(xué)鍵的鍵能(見下表):
化學(xué)鍵 |
H—H |
Cl—Cl |
Cl—H |
鍵能/(kJ·mol-1) |
436 |
243 |
431 |
請計算H2(g)+Cl2(g)===2HCl(g)的反應(yīng)熱( )
A.+862 kJ·mol-1 B.+679 kJ·mol-1
C.-183 kJ·mol-1 D.+183 kJ·mol-1
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科目:高中化學(xué) 來源:2010年鄭州市高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試題 題型:填空題
(8分)通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
化學(xué)鍵 |
Si—O |
Si—Cl |
H—H |
H—Cl |
Si—Si |
Si—C |
鍵能/kJ·mol—1 |
460 |
360 |
436 |
431 |
176 |
347 |
請回答下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”
SiC Si; SiCl4 SiO2
(2)右圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制。
SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g) 該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H = kJ/mol.
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