A. | 16O和18O原子的核外電子排布不相同 | |
B. | 含有離子鍵的化合物一定是離子化合物 | |
C. | HF、HCl、HBr、HI的熔沸點(diǎn)逐漸升高 | |
D. | 干冰和二氧化硅熔化時(shí)所克服微粒間的相互作用相同 |
分析 A.原子核外電子排布與質(zhì)子數(shù)有關(guān);
B.含有離子鍵的化合物一定由陰陽離子構(gòu)成;
C.HF中存在氫鍵;
D.干冰為分子晶體,二氧化硅為原子晶體.
解答 解:A.兩種核素均為氧元素的不同種原子,核電荷數(shù)為8,核外電子排布方式相同,故A錯(cuò)誤;
B.離子化合物是含有離子鍵的化合物,所以含有離子鍵的化合物一定是離子化合物,故B正確;
C.HF中存在氫鍵,故HF的熔沸點(diǎn)反常的升高,比HCl、HBr、HI的熔沸點(diǎn)均高,故C錯(cuò)誤;
D.干冰為分子晶體,熔化時(shí)克服分子間作用力,二氧化硅為原子晶體,熔化時(shí)克服共價(jià)鍵,故D錯(cuò)誤;故選B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查知識(shí)點(diǎn)較多,熟悉化學(xué)鍵、原子核外電子排布和氫鍵對(duì)物質(zhì)熔沸點(diǎn)的影響,難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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K | 2.041 | 0.270 | 0.012 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 該反應(yīng)屬于置換反應(yīng) | B. | I2具有還原性 | ||
C. | 當(dāng)生成1mol Cl2時(shí)轉(zhuǎn)移2mol電子 | D. | 氧化劑是KClO3 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | S(s)+O2(g)═SO2(g);△H1 S(g)+O2(g)═SO2(g);△H2 | |
B. | 2H2(g)+O2(g)═2H2O(g);△H1 2H2(g)+O2(g)═2H2O(l);△H2 | |
C. | CO(g)+$\frac{1}{2}$O2(g)═CO2(g);△H1 2CO(g)+O2(g)═2CO2(g);△H2 | |
D. | H2 (g)+Cl2(g)═2HCl(g);△H1 $\frac{1}{2}$H2(g)+$\frac{1}{2}$Cl2(g)═HCl(g);△H2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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