四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：
高溫
 
 
SiCl4(g)+2H2(g) ="===Si" (s)+4HCl（g）。下列說法合理的是                                                （   ）
A．光導纖維的主要成分是硅單質(zhì)
B．減小壓強有利于加快化學反應速率
C．高溫下，氫氣的還原性強于硅
D．混入少量空氣對上述反應無影響
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

在一容積固定的反應容器中，有一可左右滑動的密封隔板，兩側分別進行如圖所示的可逆反應。各物質(zhì)的起始加入量如下： A、 B和C均為4.0mol， D為 6.5mol， F為2.0mol，設E為xmol，x在一定范圍內(nèi)變化時，均可以通過調(diào)節(jié)反應器的溫度，使兩側反應都達到平衡，并且隔板恰好處于反應器的正中間位置。

①若x=4.5，則右側反應在起始時向______方向進行，欲使起始反應維持向該方向進行，則x的取值范圍為____ 。
②若x分別為4.5和5.0，則在這兩種情況下，當反應達平衡時，A的物質(zhì)的量是否相等？______，其理由是______。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列有關化學反應速率的說法正確的是（    ）
A．凡是能量達到活化能的分子發(fā)生的碰撞均為有效碰撞。
B．增大反應物濃度能加快正反應的反應速率，降低逆反應的反應速率
C．溫度升高使化學反應速率加快的主要原因是增加了反應物分子之間的碰撞次數(shù)
D．決定化學反應速率的根本因素是參加反應的各物質(zhì)的性質(zhì)

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

對有氣體參加的某化學反應來說，在下圖中可能作為橫坐標的是（   ）。
A．溫度
B．壓強
C．反應物濃度
D．反應時間

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

試將外界條件對化學反應速率的影響結果填入下表中。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

某化學興趣小組欲探究反應物濃度對化學反應速率的影響，在保持其他條件都相同的情況下，使四份質(zhì)量分數(shù)不同的H2O2溶液發(fā)生分解反應：2H2O2＝O2↑+2H2O，其中氧氣生成速率最大的是
A．5％H2O2溶液B．10％H2O2溶液
C．20％H2O2溶液D．30％H2O2溶液

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

P(g)十Q(g)R(s)，對此反應來說，下列能影響其反應速率的因素是：①溫度②壓強③生成物的濃度    (    )
A．只有①B．①和②C．①和③D．②和③

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

某學生用質(zhì)量為a g、邊長為b cm的正方形鍍鋅鐵片與過量鹽酸反應測定鍍層厚度，并將實驗結果繪圖示意，反應完畢后鐵片質(zhì)量為c g(已知鋅的密度
為ρ g/cm3)。下列敘述錯誤的是（    ）
A．t1時刻鋅鍍層已完全反應
B．鋅鍍層的厚度為
C．反應放熱也是影響OA段的反應速率的因素之一
D．有原電池反應發(fā)生，負極的電極反應式為Zn- 2e → Zn2+

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

欲加快鐵和稀鹽酸制取氫氣的起始反應速率，下列措施不可行的是
A．適當提高反應溫度B．將鐵片改為鐵粉
C．將稀鹽酸的用量增加一倍D．加入適量AgNO3溶液

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