氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高、不溶于酸(氫氟酸除外),是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料.一種用工業(yè)硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點(diǎn)是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅.一種合成氮化硅的工藝主要流程如下:
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(1)凈化N2和H2時(shí),銅屑的作用是:
 
;硅膠的作用是
 

(2)在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s)△H=-727.5kJ/mol,開始時(shí)為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟龋?!--BA-->
 
;體系中要通入適量的氫氣是為了
 

(3)X可能是
 
(選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”).
(4)如何說明氮化硅產(chǎn)品已用水洗干凈?
 

(5)用硅粉作硅源、疊氮化鈉(NaN3)作氮源,直接燃燒生成氮化硅(發(fā)生置換反應(yīng)),該反應(yīng)的化學(xué)方程式為:
 
分析:(1)Cu能與氧氣反應(yīng),硅膠具有吸水性;
(2)控制氮?dú)獾牧魉偈欠乐箿囟冗^高,體系中要通入適量的氫氣可將氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣;
(3)氮化硅能與HF酸反應(yīng),鹽酸、稀硫酸均不與Cu反應(yīng),氮化硅中混有銅粉;
(4)利用水洗后溶液的酸堿性分析;
(5)利用反應(yīng)物與生成物來書寫化學(xué)反應(yīng)方程式.
解答:解:(1)Cu能與氧氣反應(yīng),則Cu屑的作用為除去原料氣中的氧氣;硅膠具有吸水性,可除去生成的水蒸氣,故答案為:除去原料氣中的氧氣;除去生成的水蒸氣;
(2)氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s)△H=-727.5kJ/mol,該反應(yīng)為放熱反應(yīng),開始時(shí)嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟仁欠乐咕植窟^熱,導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán),阻礙與N2的接觸;體系中要通入適量的氫氣是為將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣,而易被除去(或整個(gè)體系中空氣排盡),
故答案為:該反應(yīng)為放熱反應(yīng),防止局部過熱,導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán),阻礙與N2的接觸;將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣,而易被除去;
(3)氮化硅能與HF酸反應(yīng),鹽酸、稀硫酸均不與Cu反應(yīng),氮化硅中混有銅粉,為除去混有的Cu,可選擇硝酸,Cu與硝酸反應(yīng),而氮化硅與硝酸不反應(yīng),故答案為:硝酸;
(4)氮化硅不溶于水、不溶于酸(HF酸除外),若氮化硅產(chǎn)品用水洗干凈,則洗滌后的濾出液呈中性,故答案為:洗滌后的濾出液呈中性;
(5)硅粉作硅源、疊氮化鈉(NaN3)作氮源,直接燃燒生成氮化硅,發(fā)生置換反應(yīng),還生成Na,該反應(yīng)為9Si+4NaN3
 點(diǎn)燃 
.
 
3Si3N4+4Na↑,故答案為:9Si+4NaN3
 點(diǎn)燃 
.
 
3Si3N4+4Na↑.
點(diǎn)評(píng):本題考查氮化硅的制備實(shí)驗(yàn)方案的設(shè)計(jì),明確制備實(shí)驗(yàn)的裝置中各部分的作用及物質(zhì)的性質(zhì)是解答本題的關(guān)鍵,注意物質(zhì)的特性即可解答,題目難度中等.
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2008?廣東)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.請回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式
SiHCl3+H2
 1357K 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 1357K 
.
 
Si+3HCl

②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
;H2還原SiHCl3過程中若混O2,可能引起的后果是
高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸
高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸

(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是
ABCD
ABCD
(填字母).
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水混
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的,其熔點(diǎn)很高
D.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃.取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩.寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋
生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng),SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3
生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng),SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

材料科學(xué)與人們的生產(chǎn)生活密切相關(guān),下列關(guān)于各種材料的說法正確的是( 。
A、合金一定比對(duì)應(yīng)的純金屬耐腐蝕B、制備普通玻璃的原料有燒堿、石英和石灰石C、氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作耐高溫陶瓷和軸承D、聚乙烯加熱會(huì)軟化,遇冷后又能變成固體的性質(zhì),說明它是熱固性材料

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題:

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________。

②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_________________;H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是_________________________。

(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是__________________(填字母)。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高

E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。

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科目:高中化學(xué) 來源:2016屆吉林省高一上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

請回答下列問題:

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

①寫出由純制備高純硅的化學(xué)方程式: ____________________________________。

②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。遇水劇烈反應(yīng)生成、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為___________________________;還原過程中若混入可能引起的后果是____________________________________。

(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是_________ (填字母)。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高

E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋                                                                                        

 

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