硅在地殼中的含量較高,硅及其化合物的開發(fā)由來已久,在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用;卮鹣铝袉栴}:
(1)陶瓷、水泥和玻璃是常用的傳統(tǒng)的無機(jī)非金屬材料,其中生產(chǎn)普通玻璃的主要原料有 。
(2)高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上提純硅有多種路線,其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如下:
①工業(yè)上用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱到1600℃-1800℃除生成粗硅外,也可以生產(chǎn)碳化硅,則在電弧爐內(nèi)可能發(fā)生的反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中,SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,粗硅生成SiHCl3的化學(xué)反應(yīng)方程式 。
(3)有關(guān)物質(zhì)的沸點數(shù)據(jù)如下表,提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和 ;SiHCl3極易水解,其完全水解的產(chǎn)物為 。
物質(zhì) | Si | SiCl4 | SiHCl3 | SiH2Cl2 | SiH3Cl | HCl | SiH4 |
沸點/℃ | 2355 | 57.6 | 31.8 | 8.2 | -30.4 | -84.9 | -111.9 |
(1)石英砂、純堿和石灰石 (2分)
(2)①①SiO2+2CSi+2CO↑(2分)、SiO2+3CSiC+2CO↑(2分)
②Si+3HCl SiHCl3 + H2 (2分)
(3)精餾(或蒸餾)(1分) H4SiO4(或H2SiO3)、H2、HCl (2分)
(4)SiHCl3 + H2 Si+3HCl(2分)
(5)H2、HCl(2分)
解析試題分析:制取粗硅過程中可發(fā)生兩個反應(yīng)SiO2+2CSi+2CO↑、SiO2+3CSiC+2CO↑,粗硅提純生成SiHCl3的化學(xué)方程式為Si+3HCl SiHCl3 + H2 ,結(jié)合表中數(shù)據(jù)可知利用蒸餾的方法提純SiHCl3;其水解產(chǎn)物為H4SiO4(或H2SiO3)、H2、HCl。
考點:硅的提取過程、氯堿工業(yè)。
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
亞氯酸鈉(NaClO2)是一種重要的含氯消毒劑,主要用于水的消毒以及紡織品的漂白。過氧化氫法生產(chǎn)亞氯酸鈉的操作步驟如下:
①將氯酸鈉(NaClO3)和鹽酸加入到ClO2發(fā)生器中;
②將產(chǎn)生的ClO2氣體在穩(wěn)定裝置中用水吸收后,再加入NaOH和雙氧水;
③在固體分離裝置中進(jìn)行分離,得到亞氯酸鈉。
已知NaClO2的溶解度隨溫度升高而增大,適當(dāng)條件下可結(jié)晶析出NaClO2·3H2O,且NaClO2在堿性條件下穩(wěn)定性較高。試回答下列問題:
(1)在ClO2發(fā)生器中同時有氯氣產(chǎn)生,則在ClO2發(fā)生器中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
(2)在ClO2穩(wěn)定裝置中,H2O2作 (選填序號)。
A.氧化劑
B.還原劑
C.既作氧化劑又作還原劑
D.既不作氧化劑也不作還原劑
(3)在實驗室模擬“固體分離裝置”中的技術(shù),必須進(jìn)行的實驗操作是 (按實驗先后順序填寫操作代號)。
A.過濾 B.加熱 C.蒸發(fā)
D.分液 E.蒸餾 F.冷卻
(4)經(jīng)查閱資料可知,當(dāng)pH≤2.0時,ClO2-能被I-完全還原成Cl-,欲測定成品中NaClO2的含量,現(xiàn)進(jìn)行以下操作:
步驟Ⅰ | 稱取樣品Wg于錐形瓶中,并調(diào)節(jié)pH≤2.0 |
步驟Ⅱ | 向錐形瓶中加入足量的KI晶體,并加入少量的指示劑 |
步驟Ⅲ | 用c mol·L-1的Na2S2O3溶液滴定,生成I-和S4O62- |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
下列框圖涉及的物質(zhì)所含元素中,除一種元素外,其余均為1~18號元素。
已知:A、F為無色氣體單質(zhì),B為具有刺激性氣味的氣體,C為黑色氧化物,E為紅色金屬單質(zhì)(部分反應(yīng)的產(chǎn)物未列出)。請回答下列問題:
(1)D的化學(xué)式為 ;F的結(jié)構(gòu)式為 。
(2)A與B反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
(3)E與G的稀溶液反應(yīng)的離子方程式為 。
(4)B和C反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
(5)J、K是同種金屬的不同氯化物,K為白色沉淀。寫出SO2還原J生成K的離子方程式 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
硅及其化合物對人類現(xiàn)代文明的發(fā)展具有特殊貢獻(xiàn)。請回答下列有關(guān)問題:
(1)硅原子的結(jié)構(gòu)示意圖:________。
(2)下列物品或設(shè)備所用的材料屬于硅酸鹽的是________。
①長江三峽水泥大壩、谑⒐鈱(dǎo)纖維 ③陶瓷坩堝
④普通玻璃、莨杼柲茈姵
A.①②⑤ | B.③④⑤ | C.②③④ | D.①③④ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
已知A、B、C、D、E、F是含有同一種元素的化合物,其中F能使紅色濕潤石蕊試紙變藍(lán)色,它們之間能發(fā)生如下反應(yīng):
① A+H2O → B+C ② C+F → D ③ D+NaOH → F+E+H2O
(1)寫出它們的化學(xué)式:D_______________,F(xiàn)_______________。
(2)寫出①反應(yīng)的化學(xué)方程式:_______________________________
(3)寫出反應(yīng)③的離子方程式:___________________________。
(4)工業(yè)生產(chǎn)C的過程中有如下一步反應(yīng):即F經(jīng)催化氧化生成B和H2O,寫出該步反應(yīng)的化學(xué)方程式:________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
“蛇紋石石棉”主要成分有二氧化硅、氧化鎂和結(jié)晶水,它的化學(xué)式是Mg6[(OH)4Si2O5]2。
(1)“蛇紋石石棉”的氧化物形式為______________________,其中原子半徑最大的元素
在周期表中的位置是______________________。
(2)Si原子的最外層的電子排布式為_____________,SiO2與NaOH溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式
為________________________________________________。
(3) SiCl4比SiO2的熔點_____(填“低”、“高”),原因是__________________________。
(4)從哪些方面不能判斷Si和O的非金屬性強(qiáng)弱 。
A.利用Si和O在周期表中的位置 |
B.SiO2與水不發(fā)生反應(yīng) |
C.Si在一定條件下與氧氣反應(yīng),生成SiO2 |
D.H2SiO3的酸性比H2O的酸性強(qiáng) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
噴泉是一種常見的自然現(xiàn)象,其產(chǎn)生的原因是存在壓強(qiáng)差。制取氨氣并完成噴泉實驗(圖中夾持裝置均已略去)。
(1)寫出實驗室制取氨氣的化學(xué)方程式: _________ 。
(2)收集氨氣應(yīng)使用 法。
(3)要得到干燥的氨氣可選用下列 做干燥劑。
A.濃硫酸 | B.堿石灰 | C.NaOH固體 | D.P2O5固體 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
某化學(xué)興趣小組為探究SO2的性質(zhì),按下圖所示裝置進(jìn)行實驗。
請到答F列問題:
(1)裝置A中盛放亞硫酸鈉的儀器名稱是 ,其中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 ;
(2)實驗過程中,裝置B、C中發(fā)生的現(xiàn)象分別是 、 ,這些現(xiàn)象分別說明SO2具有的性質(zhì)是 和 ;裝置B中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為 ;
(3)裝置D的目的是探究SO2與品紅作用的可逆性,請寫出實驗操作及現(xiàn)象 ;
(4)尾氣可采用 溶液吸收。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機(jī)物,無機(jī)鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH,Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好。
回答下列問題
(1)能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液,為什么?用化學(xué)方程式加以解釋 ;
(2)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式 ,對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH一反應(yīng),生成SiO44一,然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為 。
(3)本;瘜W(xué)興趣小組同學(xué),為驗證Seidel的理論是否正確,完成以下實驗:
| 實驗事實 |
事實一 | 水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。 |
事實二 | 盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。 |
事實三 | 普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。 |
事實四 | 在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點著后燜燒,可劇烈放出H2。 |
事實五 | 1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。 |
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