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【題目】由Mg、P、S、Cl、Ni等元素組成的新型材料有著廣泛的用途,請回答下列問題。

(1)基態(tài)Mg原子L層電子排布式為_____,P、S、Cl的第一電離能由大到小順序為_______。

(2)PH4Cl的電子式為_________,Ni與CO能形成配合物Ni(CO)4,該分子中σ鍵與π鍵個數比為__________

(3)SCl2分子中的中心原子雜化軌道類型是_______,該分子構型為_________

(4)已知MgO與NiO的晶體結構(如圖1)相同,其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66pm和69 pm。則熔點:MgO_____NiO(填“>”、“<”或“=”),理由是_____________。

(5)如圖1所示,NiO晶胞中離子坐標參數A為(0,0,0),B為(1,0,1),則C離子坐標參數為___________

(6)一定溫度下,NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”,可以認為O2-作密置單層排列,Ni2+填充其中(如圖2),已知O2-的半徑為a m,每平方米面積上分散的該晶體的質量為______g。(用a、NA表示)

【答案】 2s22p6 Cl> P > SCl、P、S 11 sp3 V形或折線形均得分 > 離子所帶電荷相同,Mg2+半徑比Ni2+小,所以MgO的晶格能比NiO大,MgO熔點高 1, , )或(1,0.5,0.5 平面NiO基本結構單元為,面積為:2a×2a×sin60°,則每平方米中含有的NiO質量為: 2分)

【解析】(1)基態(tài) Mg原子電子排布為1s22s22p63s2,所以基態(tài)Mg原子L層電子排布式為2s22p6。同周期隨原子序數增大,元素第一電離能呈增大強酸,P元素原子3p能級為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能:Cl>P>S;(2)PH4Cl為離子化合物,電子式為,Ni與CO能形成配合物Ni(CO)4,該分子中σ鍵為:1×4+4=8與π鍵個數為:2×4=8,所以個數之比為1:1;(3)SCl2中S原子雜化軌道數為(6+2)/2=4,采取 sp3雜化方式,兩對孤對電子對,所以該分子構型為V形;(4)Mg2+半徑比Ni2+小,所以氧化鎂的晶格能大于氧化鎳,則熔點:MgO>NiO;(5)NiO晶胞中離子坐標參數A為(0,0,0),B為(1,1,0),而C離子的x系坐標與Bx系坐標相同,y、z系坐標都在中點上,所以C離子坐標參數為(1,1/2,1/2);(6)根據圖片知,每個氧化鎳所占的面積=(2×am)×(2×am×sin60°)=。則每平方米含有的氧化鎳個數=,每個氧化鎳的質量=74.7/NAg,所以每平方米含有的氧化鎳質量=74.7/NA×g=

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