A、B、C、D均為中學(xué)化學(xué)常見(jiàn)的純凈物,A是單質(zhì).它們之間有如圖的反應(yīng)關(guān)系:
(1)若D物質(zhì)具有兩性,②③反應(yīng)均要用強(qiáng)堿溶液,④反應(yīng)是通入過(guò)量的一種引起溫室效應(yīng)的主要?dú)怏w.寫(xiě)④反應(yīng)離子方程式
 

(2)若A是太陽(yáng)能電池用的光伏材料.C、D為鈉鹽,兩種物質(zhì)中鈉、氧外的元素為同一主族,且溶液均顯堿性.寫(xiě)出②反應(yīng)的化學(xué)方程式
 
.D的化學(xué)式是
 

(3)若A是應(yīng)用最廣泛的金屬.④反應(yīng)用到A,②⑤反應(yīng)均用到同一種非金屬單質(zhì).C的溶液用于蝕刻印刷銅電路板,寫(xiě)出該反應(yīng)的離子方程式
 
考點(diǎn):無(wú)機(jī)物的推斷
專(zhuān)題:推斷題
分析:(1)若D物質(zhì)具有兩性,含有Al元素,則A為Al,④反應(yīng)是通入過(guò)量的一種引起溫室效應(yīng)的主要?dú)怏w,說(shuō)明C為偏鋁酸鹽,D為Al(OH)3,②③反應(yīng)均要用強(qiáng)堿溶液,B為氧化鋁或鋁鹽,據(jù)此解答;
(2)若A是太陽(yáng)能電池用的光伏材料,則A為Si,C、D為鈉鹽,兩種物質(zhì)中鈉、氧外的元素為同一主族,且溶液均顯堿性,說(shuō)明鹽水解呈堿性,可推知C為Na2SiO3,D為Na2CO3,B為SiO2;
(3)若A是應(yīng)用最廣泛的金屬,則A為Fe,④反應(yīng)用到A,②⑤反應(yīng)均用到同一種非金屬單質(zhì),C的溶液用于蝕刻印刷銅電路板,含有鐵離子,則非金屬性單質(zhì)為Cl2,可推知C為FeCl3,D為FeCl2
解答: 解:(1)若D物質(zhì)具有兩性,含有Al元素,則A為Al,④反應(yīng)是通入過(guò)量的一種引起溫室效應(yīng)的主要?dú)怏w,說(shuō)明C為偏鋁酸鹽,D為Al(OH)3,②③反應(yīng)均要用強(qiáng)堿溶液,B為氧化鋁或鋁鹽,則:反應(yīng)④的離子方程式為:AlO2-+2H2O+CO2═Al(OH)3↓+HCO3-
故答案為:AlO2-+2H2O+CO2═Al(OH)3↓+HCO3-;
(2)若A是太陽(yáng)能電池用的光伏材料,則A為Si,C、D為鈉鹽,兩種物質(zhì)中鈉、氧外的元素為同一主族,且溶液均顯堿性,說(shuō)明鹽水解呈堿性,可推知C為Na2SiO3,D為Na2CO3,B為SiO2,則:②的反應(yīng)的化學(xué)方程式為:Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑,
故答案為:Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑;Na2CO3;
(3)若A是應(yīng)用最廣泛的金屬,則A為Fe,④反應(yīng)用到A,②⑤反應(yīng)均用到同一種非金屬單質(zhì),C的溶液用于蝕刻印刷銅電路板,含有鐵離子,則非金屬性單質(zhì)為Cl2,可推知C為FeCl3,D為FeCl2,C的溶液用于蝕刻印刷銅電路板反應(yīng)的離子方程式為:Cu+2Fe3+=Cu2++2Fe2+,
故答案為:Cu+2Fe3+=Cu2++2Fe2+
點(diǎn)評(píng):本題考查了無(wú)機(jī)物的推斷,涉及Al、Si、Fe元素單質(zhì)化合物性質(zhì),需要學(xué)生熟練掌握元素化合物知識(shí),難度不大.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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關(guān)于乙酸的性質(zhì)敘述正確的是( 。
A、它是四元酸
B、清洗大理石的建筑物用醋酸溶液
C、它的酸性較弱,能使酸堿指示劑變色
D、它的晶體里有冰,所以稱(chēng)為冰醋酸

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欲將NaCl中混有的少量碳銨和砂子(SiO2)除去,所進(jìn)行的必要分離方法是( 。
A、溶解、過(guò)濾、萃取
B、加熱、溶解、過(guò)濾
C、升華、萃取、分液
D、鹽析、滲析、紙上層析

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將54.4g鐵粉和氧化鐵的混合物中加入200mL的稀硫酸,恰好完全反應(yīng),放出氫氣4.48L(標(biāo)準(zhǔn)狀況).反應(yīng)后的溶液中滴加KSCN不顯紅色,且無(wú)固體剩余物,求:
(1)混合物鐵和氧化鐵各是多少克?
(2)原稀硫酸物質(zhì)的量濃度?
(3)反應(yīng)后得到FeSO4的物質(zhì)的量是多少?

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晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HCl
 300℃ 
.
 
SiHCl3+H2
③SiHCl3與過(guò)量H2在1100℃反應(yīng)制得純硅,已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃.
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
 

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為
 

(3)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如圖(熱源及夾持裝置略去):

①裝置B中的試劑是
 
.裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是
 

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
 
,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
 

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫(xiě)字母代號(hào))是
 

a.碘水         b.氯水    c.NaOH溶液    d.KSCN溶液     e.Na2SO3溶液.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

在過(guò)濾,蒸發(fā),蒸餾,萃取的操作過(guò)程中,有哪些注意事項(xiàng)呢?

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實(shí)驗(yàn)室從含碘廢液(除H2O外,含有CCl4、I2、I-等)中回收碘,其實(shí)驗(yàn)過(guò)程如下:

(1)向含碘廢液中加入稍過(guò)量的Na2SO3溶液,將廢液中的I2還原為I-,其離子方程式為
 

 
;該操作將I2還原為I-的目的是
 

(2)操作X的名稱(chēng)為
 

(3)氧化時(shí),在三頸燒瓶中將含I-的水溶液用鹽酸調(diào)至pH約為2,緩慢通入Cl2,在40℃左右反應(yīng)(實(shí)驗(yàn)裝置如圖所示).實(shí)驗(yàn)室控制在較低溫度下進(jìn)行的原因是
 
;錐形瓶里盛放的溶液為
 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

除去碳酸氫鈉溶液中混有的少量碳酸鈉:化學(xué)方程式:
 
;離子方程式:
 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

把下面各種材料按分類(lèi)填寫(xiě)在下列橫線上(填寫(xiě)序號(hào)):
①鋼鐵,②Cu,③陶瓷,④光纖,⑤氮化硅陶瓷,⑥金,⑦水泥,⑧合成纖維,⑨玻璃鋼,(10)塑料等
(1)黑色金屬材料
 

(2)有色金屬材料
 

(3)傳統(tǒng)無(wú)機(jī)非金屬材料
 

(4)新型無(wú)機(jī)非金屬材料
 

(5)復(fù)合材料
 

(6)有機(jī)合成材料
 

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