Question

Ⅰ下列描述中正確的是（   ）

A．CS2為V形的極性分子

B．的空間構(gòu)型為平面三角形

C．SF6中有6對(duì)完全相同的成鍵電子對(duì)

D．SiF4和的中心原子均為sp3雜化

Ⅱ.金屬鎳及其化合物在合金材料以及催化劑等方面應(yīng)用廣泛。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）Ni原子的核外電子排布式為__________________________________；
（2）NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，和的離子半徑分別為69pm和78pm，則熔點(diǎn)NiO_________________FeO（填“＜”或“＞”）；
（3）NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)分別為_________________、_________________；
（4）金屬鎳與鑭（La）形成的合金是一種良好的儲(chǔ)氫材料，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如左下圖所示。該合金的化學(xué)式為_________________；

（5）丁二酮肟常用于檢驗(yàn)：在稀氨水介質(zhì)中，丁二酮肟與反應(yīng)可生成鮮紅色沉淀，其結(jié)構(gòu)如右上圖所示。
①該結(jié)構(gòu)中，碳碳之間的共價(jià)鍵類型是σ鍵，碳氮之間的共價(jià)鍵類型是_________________。氮鎳之間形成的化學(xué)鍵是_________________；
②該結(jié)構(gòu)中，氧氫之間除共價(jià)鍵外還可存在_________________鍵；
③該結(jié)構(gòu)中，碳原子的雜化軌道類型有_________________。

Answer 1

（20分）Ⅰ. （6分）C、D Ⅱ. （14分）（1）[Ar] （2）> （3）6，6 
（4）  （5）①一個(gè)σ鍵、一個(gè)π鍵、配位鍵 ②氫鍵 ③sp²、sp³（每空1分）

解析試題分析：Ⅰ.CS₂分子中中心原子碳原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)＝（4－2×2）÷2＝0，所以該分子是直線型結(jié)構(gòu)，屬于含有極性鍵的非極性分子，A不正確；ClO₃^－中中心原子氯原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)＝（7＋1－3×2）÷2＝1，所以該微粒是三角錐形結(jié)構(gòu)，B不正確；在SF₆分子中，S和F形成的是極性鍵，6個(gè)共價(jià)鍵完全是相同，即有6對(duì)完全相同的成鍵電子對(duì)，C正確；SiF₄和的空間構(gòu)型分別為正四面體和三角錐形，但中心原子均采用的是sp³雜化，D正確，答案選CD。
Ⅱ.（1）Ni的原子序數(shù)是28，則根據(jù)構(gòu)造原理可知，Ni原子的核外電子排布式為[Ar]。
（2）Ni0、Fe0的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，說(shuō)明二者都是離子晶體，離子晶體的熔點(diǎn)與離子鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，離子所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高．由于Ni²⁺的離子半徑小于Fe²⁺的離子半徑，屬于熔點(diǎn)是NiO＞FeO。
（3）因?yàn)镹i0、Fe0的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，而氯化鈉中陰陽(yáng)離子的配位數(shù)均為6，所以Ni0晶胞中Ni和O的配位數(shù)也均為6。
（4）根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，并依據(jù)均攤法可知，晶胞中鑭原子數(shù)＝。鎳原子數(shù)＝，所以化學(xué)式為L(zhǎng)aNi₅。
（5）①碳和氮形成雙鍵，雙鍵是由一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵構(gòu)成；鎳原子有空軌道，氮原子有孤電子對(duì)，因此二者形成配位鍵。
②氧原子與氫原子之間可以形成氫鍵。
③在該結(jié)構(gòu)中碳原子既有單鍵又有雙鍵，因此雜化類型是sp²和sp³雜化。
考點(diǎn)：考查晶體的類型與物質(zhì)的性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用；原子核外電子排布；化學(xué)鍵；判斷簡(jiǎn)單分子或離子的構(gòu)型；配合物的成鍵情況；原子軌道雜化方式及雜化類型判斷
點(diǎn)評(píng)：該題是高考中的常見(jiàn)題型，屬于中等難度的試題。試題綜合性強(qiáng)，側(cè)重對(duì)學(xué)生能力的培養(yǎng)和解題方法的指導(dǎo)與訓(xùn)練，旨在考查學(xué)生靈活運(yùn)用基礎(chǔ)知識(shí)解決實(shí)際問(wèn)題的能力，有利于培養(yǎng)學(xué)生的應(yīng)試能力和邏輯推理能力。題時(shí)注意電子排布式的書寫方法，晶體熔點(diǎn)比較方法，分子空間構(gòu)型的判斷方法以及晶胞的有關(guān)計(jì)算，注意學(xué)習(xí)中有關(guān)做題方法的積累和總結(jié)。