M是原子序數(shù)<30的一種金屬，常用于航空、宇航、電器及儀表等工業(yè)部門，M原子的最外層有空軌道，且有兩個能級處于電子半充滿狀態(tài)。
（1）M原子的外圍電子排布式為_____________________，在周期表中屬于    區(qū)元素。
（2）M的堆積方式屬于鉀型，其晶胞示意圖為______(填序號)。

（3）MCl3·6H2O有三種不同顏色的異構(gòu)體
A、[M(H2O)6]Cl3，B、[M(H2O)5Cl]Cl2·H2O和C、[M(H2O)4Cl2]Cl·2H2O。為測定蒸發(fā)MCl3溶液析出的暗綠色晶體是哪種異構(gòu)體，取0.010 mol MCl3·6H2O配成溶液，滴加足量AgNO3溶液，得到沉淀2.870 g。該異構(gòu)體為_______________ (填A或B或C)。
（4） MO2Cl2常溫下為暗紅色液體，熔點－96.5℃，沸點117℃，能與丙酮(CH3COCH3)、CCl4、CS2等互溶。
①固態(tài)MO2Cl2屬于________晶體；
②CS2中碳原子和丙酮(CH3COCH3)羰基中的碳原子分別采取的雜化方式為______雜化和________雜化。
（5）＋3價M的配合物K[M(C2O4)2(H2O)2]中，配體是______，與C2O42-互為等電子體的分子是(填化學式)__________。
（15分）（1）3d54s1（2分） d（1分） （2）B（2分） （3）B（2分）
（4）①分子（2分）②sp、sp2（2分）（5）C2O42-、H2O （2分）N2O4（2分）

試題分析：（1）M原子的最外層有空軌道，且有兩個能級處于電子半充滿狀態(tài)，說明M為Cr，Cr原子的外圍電子排布式為：3d54s1；在元素周期表位于d區(qū)。
（2）Cr的堆積方式屬于鉀型，K為體心立方堆積，故B型正確。
（3）取0.010 mol MCl3·6H2O配成溶液，滴加足量AgNO3溶液，得到沉淀2.870 g，沉淀為AgCl，所以Cl?的物質(zhì)的量為：2.870g÷143.5g/mol=0.2mol，說明1mol該物質(zhì)含有2mol Cl?，故B項正確。
（4）①MO2Cl2常溫下為暗紅色液體，熔點－96.5℃，沸點117℃，熔沸點較低，所以固態(tài)MO2Cl2屬于分子晶體。
②CS2的結(jié)構(gòu)類似于CO2，所以CS2中碳原子的雜化方式為sp雜化；丙酮(CH3COCH3)羰基中的碳原子形成了3個σ鍵，無孤對電子，所以為sp2雜化。
（5）根據(jù)配合物K[M(C2O4)2(H2O)2]可知配體為：C2O42-、H2O；C2O42-含有46各電子，所以與N2O4互為等電子體。
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E、F均為周期表中前四周期元素，其原子序數(shù)依次增大，其中A、B、C為短周期非金屬元素。A是形成化合物種類最多的元素；B原子基態(tài)電子排布中只有一個未成對電子；C是同周期元素中原子半徑最小的元素；D的基態(tài)原子在前四周期元素的基態(tài)原子中單電子數(shù)最多；E與D相鄰，E的某種氧化物X與C的氫化物的濃溶液加熱時反應常用于實驗室制取氣態(tài)單質(zhì)C；F與D的最外層電子數(shù)相等。
回答下列問題(相關(guān)回答均用元素符號表示)：
(1)D的基態(tài)原子的核外電子排布式是______________。
(2)B的氫化物的沸點比C的氫化物的沸點________(填“高”或“低”)，原因是______________________。
(3)A的電負性________(填“大于”或“小于”)C的電負性，A形成的氫化物A2H4中A的雜化類型是________。
(4) X在制取C單質(zhì)中的作用是________，C的某種含氧酸鹽常用于實驗室中制取氧氣，此酸根離子中化學鍵的鍵角________(填“>”“＝”或“<”)109°28′。

(5)已知F與C的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則該化合物的化學式是__________________，若F與C原子最近的距離為a cm，則該晶體的密度為________g·cm－3(只要求列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA)。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

已知前四周期六種元素A、B、C、D、E、F的原子序數(shù)之和為107，且它們的核電荷數(shù)依次增大。B原子的p軌道半充滿，其氫化物沸點是同族元素中最低的，D原子得到一個電子后3p軌道全充滿，A與C能形成A2C型離子化和物，其中的陰、陽離子相差一個電子層，E4＋離子和氬原子的核外電子排布相同。請回答下列問題：
（1）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序是____________（填元素符號）
（2）化合物BD3的分子空間構(gòu)型可描述為_________，B的原子軌道雜化類型為________。
（3）已知F元素在人體內(nèi)含量偏低時，會影響O2在體內(nèi)的正常運輸。已知F2＋與KCN溶液反應得F（CN）2沉淀，當加入過量KCN溶液時沉淀溶解，生成配合物。則F的基態(tài)原子價電子排布式為______。CN－與___________（一種分子）互為等電子體，則1個CN－中π鍵數(shù)目為___________。
（4）EO2與碳酸鋇在熔融狀態(tài)下反應，所得晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則該反應的化學方程式為________
在該晶體中，E4＋的氧配為數(shù)為____________。若該晶胞邊長為a nm可 計算該晶體的密度為__________g／cm3（阿伏加德羅常數(shù)為NA）

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

我國部分城市灰霾天占全年一半，引起灰霾的PM2.5微細粒子包含(NH4)2SO4、NH4NO3、有機顆粒物及揚塵等。通過測定灰霾中鋅等重金屬的含量，可知目前造成我國灰霾天氣的原因主要是交通污染。
(1)Zn2＋在基態(tài)時核外電子排布式為_______________________________。
(2)SO42—的空間構(gòu)型是________(用文字描述)。
(3)PM2.5富含大量的有毒、有害物質(zhì)，易引發(fā)二次光化學煙霧污染，光化學煙霧中含有NOx、O3、CH2===CH—CHO、HCOOH、 (PAN)等二次污染物。
①下列說法正確的是________；
a．N2O結(jié)構(gòu)式可表示為N===N===O
b．O3分子呈直線形
c．CH2===CH—CHO分子中碳原子均采用sp2雜化
d．相同壓強下，HCOOH沸點比CH3OCH3高，說明前者是極性分子，后者是非極性分子
②1 mol PAN中含σ鍵數(shù)目為________；

③NO能被FeSO4溶液吸收生成配合物[Fe(NO)(H2O)5]SO4，該配合物中心離子的配位數(shù)為________(填數(shù)字)。
(4)測定大氣中PM2.5的濃度方法之一是β­射線吸收法，β­射線放射源可用85Kr。已知Kr晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，設(shè)晶體中與每個Kr原子相緊鄰的Kr原子有m個，晶胞中含Kr原子為n個，則m/n＝________(填數(shù)字)。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

ⅤA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅤA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)白磷單質(zhì)中的P原子采用的軌道雜化方式是　　　　。 
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序為　　　　。 
(3)As原子序數(shù)為　　　　,其核外M層和N層電子的排布式為　　　　。 
(4)NH3的沸點比PH3　　　　(填“高”或“低”),原因是　。 
P的立體構(gòu)型為　　　　。 
(5)H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13。硝酸完全電離,而亞硝酸K=5.1×10-4,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H3PO4的K1遠大于K2的原因　; 
②硝酸比亞硝酸酸性強的原因　。 
(6)NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似,其晶胞的棱長為a cm,則該晶體中距離最近的兩個陽離子核間的距離為　　　　cm(用含有a的代數(shù)式表示)。在一定溫度下NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”(如下頁圖),可以認為氧離子作密致單層排列,鎳離子填充其中,列式并計算每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為　　　　g(氧離子的半徑為1.40×10-10 m)。 

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

A、B是短周期VIIA族的兩種元素，A的非金屬性比B強。下列關(guān)于A、B的說法正確的是
A．A元素的單質(zhì)可以把B元素的單質(zhì)從NaB溶液中置換出來
B．NaA、NaB的晶體都是離子晶體，且NaA晶體的熔點比NaB高
C．HA的沸點比HB高，是因為1mol HA分子中H-A鍵斷裂時吸附的能量比1mol
HB分子中H-B鍵斷裂時吸收的能量多
D．常溫下,溶液的pH均大于7

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）。目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主。已知鎵是鋁同族下一周期的元素。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。

試回答：
⑴鎵的基態(tài)原子的電子排布式是                 。
⑵砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為           ，與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為              。
⑶N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是        。 （用氫化物分子式表示）
⑷砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃時制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為           。
⑸比較二者的第一電離能：As______Ga（填“<”、“>”或“=”）。
⑹下列說法正確的是             （填字母）。
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同  B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負性：As>Ga            D．砷化鎵晶體中含有配位鍵

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

X、Y、Z、R、W均為周期表中前四周期的元素，其原子序數(shù)依次增大；x2－和Y+有相同的核外電子排布；Z的氫化物的沸點比其上一周期同族元素氫化物的沸點低；R的基態(tài)原子在前四周期元素的基態(tài)原子中單電子數(shù)最多；W為金屬元素，X與W形成的某種化合物與Z的氫化物的濃溶液加熱時反應可用于實驗室制取Z的氣態(tài)單質(zhì)�；卮鹣铝袉栴}（相關(guān)回答均用元素符號或化學式表示）：
（1）R的基態(tài)原子的核外電子排布式是＿＿＿＿＿＿＿。
（2）Z的氫化物的沸點比其上一周期同族元素氫化物的沸點低的原因是＿＿＿＿＿＿＿＿。
（3）X與Z中電負性較大的是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；Z的某種含氧酸鹽常用于實驗室中X的單質(zhì)的制取，此酸根離子的空間構(gòu)型是＿＿＿＿＿，此離子中含有的化學鍵類型是＿＿＿＿；X一Z一X的鍵角＿＿＿＿＿109． 50。（填“＞”、“＝”或“＜”）
（4）X與Y形成的化合物Y2X的晶胞如圖。其中X離子的配位數(shù)為_______，以相距一個X離子最近的所有Y離子為頂點構(gòu)成的幾何體為       。該化合物與MgO相比，熔點較高的是＿＿＿＿＿。

（5）已知該化合物的晶胞邊長為a pm，則該化合物的密度為＿＿＿＿g/cm3。（列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA）

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

現(xiàn)有A、B、C、D、E、F原子序數(shù)依次增大的六種元素，它們位于元素周期表的前四周期，B元素原子的價層電子總數(shù)是內(nèi)層電子總數(shù)的2倍；D元素原子的L電子層中只有兩對成對電子；E元素與F元素處于同一周期相鄰的族，它們的原子序數(shù)相差3,且E元素的基態(tài)原子有4個未成對電子。請回答下列問題：
(1) E元素基態(tài)原子的核外價層電子排布式為_________。
(2)用元素符號表示B、C、D三種元素的第一電離能由低到高的排序_________。
(3) A元素與B、C元素可形成化合物B2A4、C2A4。
①B2A4的結(jié)構(gòu)式為_________。
②下列有關(guān)C2A4的說法正確的是_________。
a.一個該分子中含有4個σ鍵
b.該分子可作為配位體形成配位鍵
c.該分子是非極性分子    d.1mol該分子最多可形成4mol氫鍵
e.該分子的穩(wěn)定性與氫鍵無關(guān)
f.該分子中C的原子軌道是sp3雜化
(4)B單質(zhì)的一種的晶體結(jié)構(gòu)如圖甲所示，E單質(zhì)的一種的晶體結(jié)構(gòu)如圖乙所示。

則圖中的單質(zhì)B的名稱_________，圖甲中B原子的配位數(shù)與圖乙中E原子的配位數(shù)之_________。
E元素與D元素形成的ED晶體與NaCl晶體一樣，欲比較ED與NaCl的晶格能大小，需考慮的數(shù)據(jù)是_______________________________________________________________________________。
(5)據(jù)最新資料顯示,F單質(zhì)的晶胞可能有多種,若其晶胞分別以六方緊密堆積和面心立方堆積存在時，其單質(zhì)的密度之比為_________。

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