下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是  （       ）

A．離子晶體中，一定存在離子鍵       B．原子晶體中，一定存在共價(jià)鍵

C．金屬晶體的熔沸點(diǎn)均很高     D．稀有氣體能形成分子晶體

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

在下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是（　　）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

下列有關(guān)晶體的敘述中，錯(cuò)誤的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

下列有關(guān)晶體的敘述中，錯(cuò)誤的是（　　）
A、在SiO2晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵B、在面心立方密堆積的金屬晶體中，每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子C、NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Cl-有6個(gè)D、CsCl晶體中與每個(gè)Cs+距離相等且最近的Cl-有8個(gè)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（1）下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是
 

A．石英晶體中的硅原子以sp2雜化方式與周圍的氧原子形成共價(jià)鍵
B．氯化鈉晶體中每個(gè)Na+或Cl-周圍緊鄰的有6個(gè)Cl-或Na+
C．在CsCl晶體中每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cl-，而和每個(gè)Cl-等距離緊鄰的也有8個(gè)Cs+
D．在面心立方密堆積的金屬晶體中，每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子
（2）已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型．某同學(xué)畫(huà)出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，請(qǐng)改正圖精英家教網(wǎng)
中錯(cuò)誤：
 
．（用文字表述）
（3）第三周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見(jiàn)下表：
氟化物 NaF MgF2 SiF4
熔點(diǎn)/K 1266 1534 183
解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因：
 
．
（4）人工模擬是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)．有研究表明，化合物X可用于研究模擬酶，當(dāng)其結(jié)合精英家教網(wǎng)或Cu（I）（I表示化合價(jià)為+1）時(shí)，分別形成a和b：
分析a和b中微粒間的相互作用（包括化學(xué)鍵和分子間相互作用）的差異，試指出
其不同點(diǎn)：a中含
 
，b中含
 
．（用“氫鍵”、“配位鍵”、“極性鍵”、“非極性鍵”等填空）

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