下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序,正確的是


  1. A.
    金剛石>晶體硅>碳化硅
  2. B.
    K>Na
  3. C.
    NaF<NaCl<NaBr
  4. D.
    CI4>CBr4
D
A.原子晶體熔點(diǎn),比較共價(jià)鍵鍵長(zhǎng),鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,物質(zhì)越穩(wěn)定;鍵長(zhǎng):C-C<C-Si<Si-Si,熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>晶體硅;
B.金屬晶體鍵能的大小比較看金屬原子的半徑大小 ,半徑越小 鍵能越大,熔點(diǎn)越高。K<Na
C.離子晶體熔點(diǎn),比較晶格能,離子半徑越小,所帶電荷越多,晶格能越大,離子晶體熔點(diǎn)越高;離子半徑:F-<Cl-<Br-,熔點(diǎn):NaF>NaCl>NaBr ;
D.分子晶體熔點(diǎn),比較分子間作用力,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,熔點(diǎn)越高。
【考點(diǎn)定位】比較物質(zhì)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)的高低,通常按下列步驟進(jìn)行,首先比較物質(zhì)的晶體類型,然后再根據(jù)同類晶體中晶體微粒間作用力大小,比較物質(zhì)熔點(diǎn)和沸點(diǎn)的高低,具體比較如下:
一、判斷所給物質(zhì)的晶體類型,然后按晶體的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)的高低進(jìn)行比較,一般來(lái)說(shuō)晶體的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)的高低是:原子晶體>離子晶體>分子晶體,例如:晶體硅>氯化鈉>干冰。但并不是所有這三種晶體的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都符合該規(guī)律,例如:氧化鎂(離子晶體)>晶體硅(原子晶體)。而金屬晶體的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)變化太大,例如汞、銣、銫、鉀等的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)都很低,鎢、錸、鋨等的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)卻很高,所以不能和其它晶體進(jìn)行簡(jiǎn)單的比較。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2008?南京一模)(1)前三周期元素中第一電離能最小的是
Na
Na
(填元素符號(hào)),其基態(tài)原子的電子排布式為
1S22S22P63S1
1S22S22P63S1
.第二周期非金屬元素形成的氫化物中化學(xué)鍵極性最大的是
HF
HF
(填分子式),該物質(zhì)在CCl4中的溶解度比在水中的溶解度
(填“大”或“小”).
(2)物質(zhì)形成分子間氫鍵和分子內(nèi)氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響有顯著差異.根據(jù)下表數(shù)據(jù),形成分子間氫鍵的物質(zhì)是
B
B
(填物質(zhì)字母代號(hào)).
(3)晶格能的大小:MgO
NaCl,鍵能的大小:HBr
HI.(填“>”、“=”或“<”)
(4)下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序,正確的是
B
B

代號(hào) 物質(zhì) 結(jié)構(gòu)式 水中溶解度/g
(25℃)
熔點(diǎn)/℃ 沸點(diǎn)/℃
A 鄰-硝基苯酚 0.2 45 100
B 對(duì)-硝基苯酚 1.7 114 295
A.金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅
B.Cl4>CBr4>CCl4>CH4
C.SiF4>NaF>NaCl>NaBr.

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序,正確的是(  )

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序,正確的是( 。

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年福建省師大附中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:單選題

下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序,正確的是

A.金剛石>晶體硅>碳化硅B.K>Na>Li
C.NaF<NaCl<NaBrD.CI4>CBr4>CCl4>CH4

查看答案和解析>>

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆福建省高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序,正確的是

A.金剛石>晶體硅>碳化硅                B.K>Na

C.HCHO<CH3OH                         D.KF<KCl<KBr

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案