【題目】鉑鈷合金在磁控、儀表等領(lǐng)域有重要用途;卮鹣铝袉栴}:

(1)基態(tài)Co原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為___________;CoCa處于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但金屬Co的熔點(diǎn)比金屬Ca的高,原因?yàn)?/span>________________。

(2)PtCl、吡啶()能形成如圖所示兩種分子。

①吡啶中所含同周期元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?/span>________________。

1mol化合物Ⅰ中含有鍵的數(shù)目為__________________

③相同條件下,兩種化合物中在水中溶解度更大的為__(填“Ⅰ”或“Ⅱ”),原因?yàn)?/span>____。

(3)Pt-Co合金的晶體堆積模型為面心立方堆積,其中Co原子處于頂角位置、Pt原子處于面心位置,則該合金的化學(xué)式為_______。

(4)可用于檢驗(yàn)可卡因。其中陰離子的立體構(gòu)型為__,碳原子的雜化形式為____。

(5)是一種磁性材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,俯視圖如圖乙所示。

①原子坐標(biāo)參數(shù):A(00,0);B(0.310.31,0)。則C原子的坐標(biāo)參數(shù)為__

②若阿伏加德羅常數(shù)的值為,則晶體密度為___(列出計(jì)算表達(dá)式)

【答案】 Co的原子半徑小于Ca,價(jià)層電子多于Ca,故金屬鍵強(qiáng)于Ca C<N 26 Ⅰ為非極性分子,Ⅱ?yàn)闃O性分子 直線形 sp (0.690. 69,0)

【解析】

(1)過渡元素的金屬性與價(jià)層電子數(shù)多有關(guān);

(2)同周期從左至右第一電離能有增大的趨勢;②一個分子中,8個C-C鍵、10個C-H鍵、4個C-N鍵、2個N-Pt鍵、2個Cl-Pt鍵;③根據(jù)相似相溶規(guī)律解釋;

(3)用均攤法分析;

(4)中,SCN與CO2是等電子體,中心原子碳的價(jià)層電子對=2+ =2,沒有孤電子對,由此分析;

(5)利用府視圖分析;利用均攤法結(jié)合密度公式計(jì)算。

(1)Co27號元素,價(jià)層電子排布為3d74s2,基態(tài)Co原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為;CoCa處于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但金屬Co的熔點(diǎn)比金屬Ca的高,原因?yàn)椋?/span>Co的原子半徑小于Ca,價(jià)層電子多于Ca,故金屬鍵強(qiáng)于Ca。故答案為:;Co的原子半徑小于Ca,價(jià)層電子多于Ca,故金屬鍵強(qiáng)于Ca;

(2)吡啶中含C、N、H,N的2p3是半充滿狀態(tài),第一電離能大,所含同周期元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?/span>C<N。故答案為:C<N;

②一個分子中,8個C-C鍵、10個C-H鍵、4個C-N鍵、2個N-Pt鍵、2個Cl-Pt鍵,1mol化合物Ⅰ中含有鍵的數(shù)目為26。故答案為:26;

③根據(jù)相似相溶規(guī)律,相同條件下,兩種化合物中在水中溶解度更大的為Ⅱ,原因?yàn)棰駷榉菢O性分子,Ⅱ?yàn)闃O性分子。故答案為:Ⅱ;Ⅰ為非極性分子,Ⅱ?yàn)闃O性分子;

(3)Pt-Co合金的晶體堆積模型為面心立方堆積,其中Co原子處于頂角位置8× =1、Pt原子處于面心位置6× =3,則該合金的化學(xué)式為。故答案為:

(4)中,SCN與CO2是等電子體,中心原子碳的價(jià)層電子對=2+ =2,沒有孤電子對,SCN的立體構(gòu)型為直線形,碳原子的雜化形式為sp。故答案為:直線形;sp;

(5)①從府視圖中,原子坐標(biāo)參數(shù):A(00,0)B(0.31,0.31,0)A Bx,y軸上的投影分別為0.31b、0.31a,圖中AB長度等于CD長度,故AC點(diǎn)在x,y軸上的投影分別為(b-0.31b)、(a-0.31a),即:0.69b、0.69a,則C原子的坐標(biāo)參數(shù)為(0.690. 69,0)。故答案為:(0.69,0. 69,0)

②若阿伏加德羅常數(shù)的值為,Co:1+8×=2,O:2+4×=4,則晶體密度為(列出計(jì)算表達(dá)式)。故答案為:。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】十氫萘(C10H18)是具有高儲氫密度的氫能載體,經(jīng)歷“C10H18→C10H12→C10H8的脫氫過程釋放氫氣。

反應(yīng)C10H18(l) →C10H12(l)3H2(g)H1

反應(yīng)C10H12(l) →C10H8(l)2H2(g)H2

在一定溫度下,其反應(yīng)過程對應(yīng)的能量變化如圖。 下列說法不正確的是

A.H1H20

B.Ea1 為反應(yīng)的活化能,Ea2為反應(yīng)的活化能

C.由圖知,反應(yīng)的活化分子百分率高于反應(yīng)

D.C10H18脫氫過程中,不會有大量中間產(chǎn)物C10H12積聚

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】H2I2在一定條件下能發(fā)生反應(yīng):H2(g)I2(g)2HI(g) ΔH=-akJ/mol,已知(a、bc均大于零),下列說法正確的是(

A.反應(yīng)物的總能量低于生成物的總能量

B.斷開1molH—H鍵和1molI—I鍵所需能量大于斷開2 molH—I鍵所需能量

C.斷開2mol H—I鍵所需能量約為(cba)kJ

D.向密閉容器中加入2molH22molI2,充分反應(yīng)后放出的熱量等于2akJ

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】鋯及其化合物作為新材料,具有相當(dāng)重要的意義。氧氯化鋯(ZrOCl2)是制備鋯系列材料的一種重要中間產(chǎn)品,用鋯英砂(主要成分ZrSiO4)制備水合氧氯化鋯有多種方法,目前使用較多的是一酸一堿法,其主要流程如圖:

已知:①Na2ZrO3在強(qiáng)堿性的介質(zhì)中不溶解或水解;硅酸和原硅酸都具有吸附性。

回答下列問題:

(1)“堿燒過程中生成堿熔料的化學(xué)方程式為___。

(2)“水洗壓濾工藝可以將30~70%的硅除去,如圖表示的是各種工藝變化對水洗除硅率的影響,則為了提高除硅率應(yīng)采取的措施是___(任意回答兩條即可)。

(3)硅的去除還有一部分是通過上述流程中的___工藝實(shí)現(xiàn)的,這一部分硅轉(zhuǎn)化成的物質(zhì)是___(填化學(xué)式)。

(4)水洗壓濾的主要目的是除硅,則轉(zhuǎn)型壓濾的主要目的是除去___,轉(zhuǎn)型壓濾過程中生成ZrO(OH)2的離子方程式為___。

(5)操作M包括___、過濾、洗滌、干燥;上述工藝若不加改進(jìn),鋯的損失會比較大,為了減少鋯的損失,應(yīng)該改進(jìn)的措施是___。

(6)稱取3.220g產(chǎn)品(水合氧氯化鋯),溶于鹽酸配制成1000mL溶液,取25mL于錐形瓶中,加熱至90℃以上,并滴入2滴二甲酚橙指示劑,趁熱用0.0125molL-1EDTA標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定,當(dāng)溶液由紅色變?yōu)辄S色且半分鐘不褪色時,消耗EDTA溶液20mL。計(jì)算水合氧氯化鋯的化學(xué)式為___(EDTAZrO2+在上述條件下以11比例反應(yīng))。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】我國有世界儲量第一的天然石膏(主要成分CaSO4),同時也有大量磷酸工業(yè)副產(chǎn)品石膏,可用于硫酸及水泥的聯(lián)合生產(chǎn)。硫酸鈣在高溫下被CO還原,發(fā)生的反應(yīng)有:

I.CaSO4(s)+4CO(g)CaS(s)+4CO2(g) K1

II.CaSO4(s)+CO(g)CaO(s)+SO2(g)+CO2(g) K2

III.3CaSO4(s)+CaS(s)4CaO(s)+4SO2(g) K3

上述反應(yīng)的平衡常數(shù)的對數(shù)值(lgK)與溫度(T)的關(guān)系如圖所示。下列說法錯誤的是(

A.反應(yīng)II的△H0

B.lgK3=4lgK2lgK1

C.使用適當(dāng)?shù)拇呋瘎┠軌蚣涌旆磻?yīng)速率,提高原料的平衡轉(zhuǎn)化率

D.調(diào)控適當(dāng)?shù)臏囟瓤梢砸种品磻?yīng)I促進(jìn)反應(yīng)III而得到較純凈的CaO

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途,請根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題:

1)按原子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外),以下說法正確的是___。

a.原子半徑和離子半徑均減小 b.金屬性減弱,非金屬性增強(qiáng)

c.單質(zhì)的熔點(diǎn)降低 d.氧化物對應(yīng)的水合物堿性減弱,酸性增強(qiáng)

2)原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為___,氧化性最弱的簡單陽離子是___。

3)已知:

化合物

MgO

Al2O3

MgCl2

AlCl3

類型

離子化合物

離子化合物

離子化合物

共價(jià)化合物

熔點(diǎn)/℃

2800

2050

714

191

工業(yè)制鎂時,電解MgCl2而不電解MgO的原因是___;制鋁時,電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是___

4)晶體硅(熔點(diǎn)1410℃)是良好的半導(dǎo)體材料.由粗硅制純硅過程如下:

Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純)

寫出SiCl4的電子式:___;在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式___。

5)下列氣體不能用濃硫酸干燥,可用P2O5干燥的是___

aNH3 bHI cSO2 dCO2

6KClO3可用于實(shí)驗(yàn)室制O2,若不加催化劑,400℃時分解只生成兩種鹽,其中一種是無氧酸鹽,另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為11.寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:___。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】對于反應(yīng)3Cl2+6NaOH5NaCl+NaClO3+3H2O,以下敘述正確的是( 。

A.Cl2是氧化劑,NaOH是還原劑

B.被氧化的氯原子和被還原的氯原子的物質(zhì)的量之比為51

C.Cl2既做氧化劑又做還原劑

D.氧化劑得電子數(shù)與還原劑失電子數(shù)之比為51

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】小蘇打、胃舒平都是常用的中和胃酸的藥物,完成下列填空:

1)小蘇打片每片含0.42gNaHCO32片小蘇打片和胃酸完全中和,被中和的氫離子物質(zhì)的量是__mol

2)胃舒平每片含0.195gAl(OH)3,中和胃酸時,3片小蘇打片相當(dāng)于胃舒平__片。

3)將一定質(zhì)量的鎂鋁合金投入100mL一定物質(zhì)的量濃度的鹽酸中,合金全部溶解,向所得溶液中滴加5mol/LNaOH溶液到過量,生成沉淀的質(zhì)量與加入的NaOH溶液的體積關(guān)系如圖所示。由圖中數(shù)據(jù)計(jì)算:

①原合金中鎂和鋁的質(zhì)量___、___

②鹽酸的物質(zhì)的量濃度___

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】某樹脂的結(jié)構(gòu)片斷如圖所示,下列關(guān)于該樹脂的說法不正確的是( )(圖中~~~表示鏈延長)

A.合成該樹脂的反應(yīng)為縮聚反應(yīng)

B.理論上合成該樹脂的原料比例相同

C.合成該樹脂的單體之一甲醛可由甲醇氧化得到

D.該樹脂難溶于水

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