C、Si、Ge、Sn是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)32號(hào)元素Ge的原子核外電子排布式為_(kāi)_____.
(2)C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中,能夠形成金屬晶體的是______.
(3)已知SnO2是離子晶體,寫(xiě)出其主要物理性質(zhì)______(寫(xiě)出2條即可).
(4)已知:
CH4 SiH4 NH3 PH3
沸點(diǎn)(K) 101.7 161.2 239.7 185.4
分解溫度(K) 873 773 1073 713.2
分析上表中四種物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù),請(qǐng)回答:
①CH4和SiH4比較,NH3和PH3比較,沸點(diǎn)高低的原因是______.
②CH4和SiH4比較,NH3和PH3比較,分解溫度高低的原因是______.
結(jié)合上述數(shù)據(jù)和規(guī)律判斷,一定壓強(qiáng)下HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)______先液化.
(1)Ge的原子序數(shù)為32,則電子排布式為[Ar]3d104s24p2,故答案為:[Ar]3d104s24p2;
(2)C、Si、Sn隨原子序數(shù)增大,非金屬性減弱,金屬性增強(qiáng),只有Sn為金屬,則Sn為金屬晶體,故答案為:Sn;
(3)離子晶體熔沸點(diǎn)較高,硬度較大,熔融狀態(tài)能導(dǎo)電等性質(zhì),故答案為:熔沸點(diǎn)較高,硬度較大;
(4)①CH4和SiH4比較,相對(duì)分子質(zhì)量大的沸點(diǎn)高,而NH3和PH3比較,氨氣中含有氫鍵沸點(diǎn)大,
故答案為:CH4和SiH4比較,相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,故沸點(diǎn)高,而NH3和PH3比較前者分子間存在氫鍵沸點(diǎn)高;
②由鍵長(zhǎng)越短,鍵能越大,越穩(wěn)定,分解溫度就越高可知,分解破壞的均為共價(jià)鍵,C-H的鍵能大于Si-H的鍵能,N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能,
故答案為:分解破壞的均為共價(jià)鍵,C-H的鍵能大于Si-H的鍵能,N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能;
一定壓強(qiáng)下,沸點(diǎn)高的氣體先液化,HF分子之間存在氫鍵,沸點(diǎn)高,則HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)HF先液化,
故答案為:HF.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2010?山東)碳族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb.
(1)碳納米管由單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過(guò)
SP2
SP2
雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠
范德華力
范德華力
結(jié)合在一起.
(2)CH4中共用電子對(duì)偏向C,SiH4中共用電子對(duì)偏向H,則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
C>H>Si
C>H>Si

(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn-Br鍵的鍵角
120°(填“>”“<”或“=”)
(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn),Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心.該化合物化學(xué)式為
PbBaO3
PbBaO3
,每個(gè)Ba2+
12
12
個(gè)O2-配位.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2010?伊春模擬)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
C、Si、Ge、Sn是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)Ge的原子核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p2
1s22s22p63s23p63d104s24p2

(2)C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中,能夠形成金屬晶體的是
Sn
Sn

(3)按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)
①CO2分子的空間構(gòu)型
直線形
直線形
;碳氧之間的成鍵方式
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵

②SiO2晶體的空間構(gòu)型
Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu),四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu),四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
;硅氧之間的成鍵方式
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵

③已知SnO2是離子晶體,寫(xiě)出其主要物理性質(zhì)
熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)
熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)
(寫(xiě)出1條即可)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

C、Si、Ge、Sn是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)32號(hào)元素Ge的原子核外電子排布式為
[Ar]3d104s24p2
[Ar]3d104s24p2

(2)C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中,能夠形成金屬晶體的是
Sn
Sn

(3)已知SnO2是離子晶體,寫(xiě)出其主要物理性質(zhì)
熔沸點(diǎn)較高,硬度較大
熔沸點(diǎn)較高,硬度較大
(寫(xiě)出2條即可).
(4)已知:
CH4 SiH4 NH3 PH3
沸點(diǎn)(K) 101.7 161.2 239.7 185.4
分解溫度(K) 873 773 1073 713.2
分析上表中四種物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù),請(qǐng)回答:
①CH4和SiH4比較,NH3和PH3比較,沸點(diǎn)高低的原因是
CH4和SiH4比較,相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,故沸點(diǎn)高,而NH3和PH3比較前者分子間存在氫鍵沸點(diǎn)高
CH4和SiH4比較,相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,故沸點(diǎn)高,而NH3和PH3比較前者分子間存在氫鍵沸點(diǎn)高

②CH4和SiH4比較,NH3和PH3比較,分解溫度高低的原因是
分解破壞的均為共價(jià)鍵,C-H的鍵能大于Si-H的鍵能,N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能
分解破壞的均為共價(jià)鍵,C-H的鍵能大于Si-H的鍵能,N-H鍵的鍵能大于P-H鍵的鍵能

結(jié)合上述數(shù)據(jù)和規(guī)律判斷,一定壓強(qiáng)下HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)
HF
HF
先液化.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2011?湖南模擬)某化學(xué)研究性學(xué)習(xí)小組為了探究四氯化錫的有關(guān)性質(zhì),擬先利用下列裝置和藥品進(jìn)行四氯化錫的制備.已知四氯化錫具有強(qiáng)的吸水性,SnCl4和Sn的部分?jǐn)?shù)據(jù)如下
密度 熔點(diǎn) 沸點(diǎn)
四氯化錫 2.2g?cm-3 -33℃ 114℃
金屬錫 5.77g?cm-3 231℃
供選擇的藥品:Sn、濃HCl、稀HCl、濃H2SO4、MnO2、KMnO4、無(wú)水CaCl2、堿石灰儀器裝置:

請(qǐng)回答下列相關(guān)問(wèn)題:
(1)實(shí)驗(yàn)時(shí)裝置的正確連接順序?yàn)锳→
D
D
C
C
B
B
G
G
E
E
F
F
;
(2)儀器G的名稱是
冷凝管
冷凝管
;實(shí)驗(yàn)時(shí),G中冷卻水的流向是從
Q
Q
進(jìn)入(填符號(hào));
(3)A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為
2MnO4-+16H++10Cl-=2Mn2++5Cl2↑+8H2O
2MnO4-+16H++10Cl-=2Mn2++5Cl2↑+8H2O

(4)F中盛裝的化學(xué)試劑是
堿石灰
堿石灰
;其作用是
防止空氣中的水分進(jìn)入裝置E中,吸收多余的Cl2防止污染
防止空氣中的水分進(jìn)入裝置E中,吸收多余的Cl2防止污染

(5)IVA族從上到下有C、Si、Ge、Sn、Pb等元素,請(qǐng)比較該族元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物堿性的強(qiáng)弱順序?yàn)椋ㄓ没瘜W(xué)式表示)
Pb(OH)4>Sn(OH)4>Ge(OH)4
Pb(OH)4>Sn(OH)4>Ge(OH)4

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:單選題

下列各組物質(zhì)的比較中,不正確的是下列各組物質(zhì)的比較中,不正確的是


  1. A.
    熱穩(wěn)定性:SiH4<PH3<NH3<H2O
  2. B.
    酸性:H2CO3<H3PO4<H2SO4<HClO4
  3. C.
    粒子半徑:Pb2+<Sn4+<Ge4+<Ge
  4. D.
    單質(zhì)熔點(diǎn):C>Si>Ge>Sn

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