(18分)運用物質(zhì)結(jié)構(gòu)的知識完成下列問題。
(1)第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有 (填元素符號)。
(2)配離子[TiCl(H2O)5]2+的中心離子化合價為 ,配體的化學(xué)式為 。
(3)BF3與一定量水形成(H2O)2·BF3晶體Q,Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R:
Q R
①晶體Q中不存在的作用力為 (填字母)。
A.共價鍵 B.離子鍵 C.配位鍵 D.范德華力 E.氫鍵
②R中陽離子的空間構(gòu)型為 。
(4)硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉,其陰離子Xm—(含B、O、H三種元素)的球棍模型如下圖3所示。則m= (填數(shù)字)。
(5)以四氯化鈦、碳化鈣、疊氮酸鹽(如NaN3)作原料,可以生成碳氮化鈦化合物,其結(jié)構(gòu)是用碳原子取代氮化鈦晶胞(結(jié)構(gòu)如下圖4)所有頂點的氮原子,這種碳氮化鈦化合物的化學(xué)式為 。
圖3 圖4
(6)部分化學(xué)鍵的鍵能見下表:
化學(xué)鍵 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
鍵能/ kJ·mol—1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
(1)Be、C、O (2) +3 ;Cl—、H2O (3)B;三角錐型 (4)2 (5) Ti4CN3
(6)>;<; 360×4+436×2—(176×2+431×4)=+236
解析試題分析:(1)同周期自左向右電離能逐漸增大,但由于Be元素的2s軌道電子處于全充滿狀態(tài),穩(wěn)定性強,因此Be元素的第一電離能大于B元素的第一電離能。氮元素的2p軌道電子處于半充滿狀態(tài),穩(wěn)定性強,因此氧元素第一電離能小于氮元素的第一電離能,因此第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有Be、C、O。
(2)水分子整體是0價的,氯元素是-1價,則配離子[TiCl(H2O)5]2+的中心離子化合價為+3價,能夠提供孤對電子的是配體,因此該配鏈子中配體的化學(xué)式為Cl—、H2O。
(3)①根據(jù)晶體Q的結(jié)構(gòu)可知,分子中存在氫鍵、共價鍵、范德華力,另外B與O之間還有配位鍵,不存在陰陽離子,因此沒有離子鍵,答案選B。
②R中陽離子是水合氫離子,其中氧原子的價層電子對數(shù)是4個,但含有1個孤對電子,因此其空間構(gòu)型為三角錐形。
(4)根據(jù)球棍模型可知1,3,5,6代表氧原子,2,4代表B原子,觀察模型,可知Xm-是(H4B4O9)m-,依據(jù)化合價H為+1,B為+3,O為-2,可得m=2。
(5)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知晶胞中碳原子的個數(shù)=8×=1,氮原子個數(shù)=6×=3,Ti原子個數(shù)=12×+1=4,所以晶胞的化學(xué)式為Ti4CN3。
(6)①碳化硅和硅單質(zhì)形成的晶體類型是原子晶體,由于碳原子半徑小于硅原子,因此碳化硅的沸點高于單質(zhì)硅的沸點。四氯化碳形成的晶體是分子晶體,二氧化硅形成的晶體是原子晶體,因此四氯化硅的沸點低于二氧化硅的沸點。
②化學(xué)反應(yīng)方程式中的反應(yīng)熱=反應(yīng)物的鍵能之和-生成物的鍵能之和),晶體硅中1個硅原子形成2個共價鍵,所以根據(jù)方程式可知△H=360kJ/mol×4+436kJ/mol×2-176kJ/mol×2-431kJ/mol×4=+236 kJ/mol。
考點:考查電離能、配位鍵、化學(xué)鍵、晶胞計算、晶體性質(zhì)以及反應(yīng)熱計算
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
【化學(xué)———化學(xué)與技術(shù)】
鍶()元素廣泛存在于礦泉水中,是一種人體必需的微量元素,在元素周期表中與
和同屬于第ⅡA族?
(1)堿性:Sr(OH)2 Ba(OH)2(填“>”或“<”);鍶的化學(xué)性質(zhì)與鈣和鋇類似,用原子結(jié)構(gòu)的觀點解釋其原因是 ?
(2)碳酸鍶是最重要的鍶化合物?用含SrSO4和少量BaSO4?BaCO3?FeO?Fe2O3?Al2O3?SiO2的天青石制備SrCO3,工藝流程如下(部分操作和條件略):
Ⅰ.將天青石礦粉和Na2CO3溶液充分混合,過濾;
Ⅱ.將濾渣溶于鹽酸,過濾;
Ⅲ.向Ⅱ所得濾液中加入濃硫酸,過濾;
Ⅳ.向Ⅲ所得濾液中先加入次氯酸,充分反應(yīng)后再用氨水調(diào)pH約為7,過濾;
Ⅴ.向Ⅳ所得濾液中加入稍過量NH4HCO3,充分反應(yīng)后,過濾,將沉淀洗凈,烘干,得到SrCO3?
已知:。嗤瑴囟葧r的溶解度:BaSO4<SrCO3<SrSO4<CaSO4
ⅱ.生成氫氧化物沉淀的pH
①Ⅰ中,反應(yīng)的化學(xué)方程式是 ?
②Ⅱ中,能與鹽酸反應(yīng)溶解的物質(zhì)有 ?
③Ⅳ的目的是 ?
④該工藝流程中NH4HCO3含有的化學(xué)鍵是 ?
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
(4分)下表是元素周期表的一部分,表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。
| | | |||||
| | | a | | | | |
| b | | c | | | d | |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
A、B、C、D、E、F、G是原子序數(shù)依次增大的短周期元素,其中A與E、D與G同主族,且D與G核內(nèi)質(zhì)子數(shù)之和是A與E核內(nèi)質(zhì)子數(shù)之和的2倍,A與B、C、D可分別形成10電子分子,E、F、G元素最高價氧化物對應(yīng)水化物之間可相互發(fā)生反應(yīng),請回答下列問題
(1)E、G兩種元素的符號:E 、G ;F在元素周期表中的位置是 .
(2)Zn與稀硫酸反應(yīng)需加入少量硫酸銅溶液反應(yīng)速率會大大加快,其原理是 。
(3) E在D2中燃燒生成化合物X中陰陽離子個數(shù)比為 ;X中的陰離子電子式為 .
(4)能夠說明可逆反應(yīng)2CD2(g) C2D4(g)達(dá)到平衡狀態(tài)的標(biāo)志是 ;
①單位時間消耗2mol CD2的同時,生成1 mol C2D4②恒溫恒壓下,混合氣體的密度不變③CD2和C2D4的濃度之比為2∶1 ④混合氣體的顏色不變⑤單位時間消耗4mol CD2的同時,消耗2mol C2D4
(5)向含E的最高價氧化物的水化物0.5 mol的水溶液中通入標(biāo)況下BD2氣體11.2L,其化學(xué)反應(yīng)方程式為 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
A、B、C、D、E五種短周期元素,其原子序數(shù)依次增大,而原子半徑按A、C、B、E、D順序依次增大。A、D同主族;B、D、E三種元素原子的最外層電子數(shù)之和為10;E的單質(zhì)可做半導(dǎo)體材料;C與E兩元素形成的化合物可與A、C、D形成的化合物Y發(fā)生反應(yīng);B元素的氣態(tài)氫化物與其最高價氧化物的水化物可以發(fā)生反應(yīng)生成化合物M。1molM中含有42mol電子。回答下列問題:
(1) E元素在周期表中的位置 ;化合物M中含有的化學(xué)鍵類型有
(2)比較B、C、E形成的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性由強到弱的順序是
(用化學(xué)式表示);寫出C與A形成的18e-化合物的電子式 ,
該化合物類型為 (填“共價化合物”或“離子化合物”)
(3)寫出C與E兩元素形成的化合物與Y溶液反應(yīng)的離子方程式
;寫出題中生成M的化學(xué)方程式
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
下表是元素周期表的一部分,針對所給的元素,完成下列各小題。
ⅠA | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | |
2 | | | | C | N | O | |
3 | Na | | Al | Si | | S | Cl |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
(10分)在研究原子核外電子排布與元素周期表的關(guān)系時,人們發(fā)現(xiàn)外圍電子排布相似的元素集中在一起。據(jù)此,人們將元素周期表重新分為五個區(qū)。在1-36號元素中
(1)在s區(qū)中,族序數(shù)最大的元素,其原子的價電子的電子云形狀為 。
(2)在d區(qū)中,人類使用最早,應(yīng)用最廣泛的元素的常見離子的電子排布式為 , 。
(3)在ds區(qū)中,原子序數(shù)最大的元素,原子的價電子排布式為 。
(4)在p區(qū)中,第2周期、ⅤA族元素原子價電子的軌道表示式為 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
(18分)在第3周期中,置換酸中氫的能力最強的元素的元素符號為 ,化學(xué)性質(zhì)最穩(wěn)定的元素符號是 ,最高價氧化物的水化物的酸性最強的化合物的化學(xué)式是 ,堿性最強的化合物的化學(xué)式是 ,顯兩性的氫氧化物的化學(xué)式是 ,該兩性氫氧化物與鹽酸、氫氧鈉溶液分別反應(yīng)的離子方程式為 、 ,原子半徑最大的金屬元素的名稱是 ,離子半徑最小的離子結(jié)構(gòu)示意圖是 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
(12分)【化學(xué)——物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
有A、B、C、D、E五種元素(A、B、C、D、E分別代表元素符號),其中A元素原子核內(nèi)只有一個質(zhì)子;B元素的基態(tài)原子s亞層的總電子數(shù)比p亞層的總電子數(shù)多1;C元素的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍;D位于B的下一周期,在同周期元素形成的簡單離子中,D形成的簡單離子半徑最;E的基態(tài)原子中電子排布在三個能級上,且這三個能級所含電子數(shù)均相同。
(1)A、E形成的化合物E2A2每個分子中鍵和鍵數(shù)目之比為________,B、C、E三種元素的第一電離能由大到小的順序為_________(用實際元素符號表示)。
(2)BA3易液化的主要原因是__________________。離子中B原子軌道的雜化類型為__________。
(3)寫出D元素基態(tài)原子的價電子排布式______________。
(4)E的一種單質(zhì)晶胞結(jié)構(gòu)如圖,晶胞的邊長為。該晶體的密度為________g(NA表示阿伏加德羅常數(shù),E的相對原子質(zhì)量為b)。
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