W、X、Y、Z是短周期元素,它們的核電荷數(shù)依次增大。下表列出它們的性質(zhì)和結構:
元素編號
元素性質(zhì)或原子結構
W
原子電子層數(shù)與核外電子數(shù)相等
X
核外S能級上的電子總數(shù)與P能級上的電子總數(shù)相等
Y
元素的原子半徑在該周期中最大(除稀有氣體外)
Z
原子核外P能級上的電子總數(shù)比S能級上的電子總數(shù)多2
⑴元素符號:X_________ ,   Z________。
⑵Y元素原子的核外最外層電子排布式為____________。
⑶W和X形成的化合物的電子式________________,該化合物為________分子(填“極性”或“非極性”)。Z和X形成的化合物構成的晶體屬于__________晶體。
⑷Y元素的單質(zhì)在W和X形成的化合物中反應的化學方程式為______________________________。
(共8分)(1)O、 Si (各1分)             (2)3s1    (1分)
(3)   極性  原子(各1分)   (4)2Na+2H2O=2NaOH+H2↑(2分)
根據(jù)元素的性質(zhì)及結構特點可知,W是H,X是O,Y是Na,Z是Si。
(1)略
(2)根據(jù)構造原理可知,Y元素原子的核外最外層電子排布式為3s1
(3)H和O形成的水,含有極性鍵的極性分子,電子式為。Z和X形成的化合物是二氧化硅,屬于分子晶體。
(4)鈉是活潑的金屬,極易和水反應,生成氫氧化鈉和氫氣,反應式為2Na+2H2O=2NaOH+H2↑。
練習冊系列答案
相關習題

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下列分子中所有原子都滿足最外層為8個電子結構的是(   )
A.BF3B.CCl4C.H2OD.PCl5

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下面的排序錯誤的是(  )
A.硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅
B.熔點由高到低:Al >Mg>Na
C.晶格能由大到。 NaF> NaCl> NaBr>NaI
D.氯的各種含氧酸的酸性由強到弱排列為HClO>HClO2>HClO3>HClO4

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在元素周期表中,同周期元素原子具有相同的   
A.電子層數(shù)B.核電荷數(shù)C.核外電子數(shù)D.最外層電子數(shù)

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

Cl與Cl-兩種粒子中,相同的是(   )
A.化學性質(zhì)  B.核外電子數(shù)C.最外層電子數(shù) D.核外電子層數(shù)

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

(5分)現(xiàn)有A、B、C、D四種元素,它們的質(zhì)子數(shù)依次增多。
①A的核電荷數(shù)大于2,可形成氫化物H2A,該氫化物在常溫下是液體;
②A和B兩元素可形成B2A3化合物,該化合物既能溶于強酸,又能溶于強堿;
③C+離子比B3+離子多8個電子;
④C與D元素可以形成化合物CD;
⑤CD的溶液中通入氯氣后加淀粉溶液顯藍色;
(1)寫出C. D 的名稱:C      ;        
(2)A在周期表中的位置                
(3)寫出B2A3與氫氧化鈉溶液反應的離子方程式                   
(4)比較B、C二種元素形成的簡單離子半徑的大小(用離子符號表示):
離子半徑:             

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

符號3Px所代表的含義是:(   )
A.Px軌道上有3個電子B.第三電子層Px軌道有3個伸展方向
C.Px電子云有3個伸展方向D.第三電子層沿x軸方向伸展的p軌道

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列關于雜化軌道的敘述中,不正確的是(  )
A.分子中中心原子通過SP3雜化軌道成鍵時,該分子不一定為正四面體結構
B.雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對
C.乙酸分子中三種原子均以雜化軌道成鍵
D.N2分子中N原子沒有雜化,分子中有一個σ鍵、2個π鍵

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

已知aAn+、bB(n+1)+、cCn-、dD(n+1)- 均是具有相同電子層結構的短周期元素形成的簡單離子,下列說法正確的是(   )
A.原子半徑C>D>A>BB.原子序數(shù)b<a<c<d
C.離子半徑D>C>A>BD.單質(zhì)的還原性A>B>C>D

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