Q、R、X、Y、Z為周期表中原子序數(shù)依次遞增的前四周期元素。已知：
①Q(mào)為元素周期表中原子半徑最小的元素；
②R的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子總數(shù)相同；
③Y的基態(tài)原子的核外成對電子數(shù)是未成對電子數(shù)的3倍；
④Z有“生物金屬”之稱，Z4+離子和氬原子的核外電子排布相同。
請回答下列問題（答題時(shí)，Q、R、X、Y、Z用所對應(yīng)的元素符號(hào)表示）：
（1）Q、R、Y三種元素組成的一種化合物M是新裝修居室中常含有的一種有害氣體，化合物M的空間構(gòu)型為             ，其中心原子采取       雜化；Q、R兩種元素組成的原子個(gè)數(shù)比為1：1的化合物N是中學(xué)化學(xué)中常見的有機(jī)溶劑，化合物N在固態(tài)時(shí)的晶體類型為              。
（2）R、X、Y三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>                      。
（3）由上述一種或多種元素組成的與RY2互為等電子體的分子為         （寫分子式）。
（4）由R、X、Y三種元素組成的RXY-離子在酸性條件下可與NaClO溶液反應(yīng)，生成X2、RY2等物
質(zhì)，該反應(yīng)的離子方程式為                                  。
（5）Z原子基態(tài)時(shí)的外圍電子排布式為                    ；已知Z的一種含氧酸鋇鹽的密度為ρ g.cm-3，其晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示，則晶  體中氧原子與鋇原子的最近距離為          cm。（只要求列算式， 不必計(jì)算出數(shù)值。阿伏伽德羅常數(shù)為NA）
（1）平面三角形     sp2      分子晶體
（2）C < O < N
（3）N2O
（4）2CNO+ 2H+ 3ClO= N2↑ + 2CO2↑ + 3C1+ H2O
（5）3d24s2    

試題分析：根據(jù)①可知Q為H元素；根據(jù)②可知R 的核外電子排布式為1S22S22P2; 則R為C元素；根據(jù)③可知Y的核外電子排布式為1S22S22P4; 則Y為O元素；因?yàn)樵有驍?shù)X的大于6小于8 ，所以X為N元素。④氬為18號(hào)元素，Z4+離子和氬原子的核外電子排布相同。則Z為22號(hào)Ti元素. (1)化合物M是甲醛HCHO，其空間構(gòu)型為平面三角形，其中的C原子與2個(gè)H原子形成δ鍵，與O原子形成了1個(gè)δ鍵，1個(gè)Π鍵。所以C的雜化方式為sp2�；衔颪由C、H按照1:1個(gè)數(shù)比組成的有機(jī)溶劑，則N為苯(C6H6).它是由分子構(gòu)成的物質(zhì)，在固態(tài)時(shí)是分子晶體。（2）C、N、O是同一周期的元素，因?yàn)镹元素的原子最外層電子處于半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，難失去電子，第一電離能比較大。原子序數(shù)越大，原子半徑就越小，失去電子越來越難，所以電離能逐漸增大。但是由于N原子的核外電子電子處于半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，所以電離能比O還大。O比C原子半徑小，難失去電子。因此它們的第一電離能大小關(guān)系為C<O<N。因此這三種元素的第一電離能的大小關(guān)系是: C < O < N . （3）等電子體是原子數(shù)相同。電子數(shù)的物質(zhì)。RY2為CO2，則由上述一種或多種元素組成的與CO2互為等電子體的分子N2O。（4）根據(jù)題意可知離子方程式為：2CNO-+2H++3ClO-=N2+2CO2+3Cl-+H2O。（5）Ti的核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d24s2. 所以其基態(tài)時(shí)的外圍電子排布式為3d24s2。晶胞中含有的各元素的原子個(gè)數(shù)為：Ba :1;Ti：8×1/8="1;" O:12×1/4=3.所以晶體的化學(xué)式為BaTiO3.由晶胞的結(jié)構(gòu)示意圖可知：Ba原子與O的最近距離為面對角線的一半。假如晶胞的邊長為acm,則;;所以；因此Ba原子與O的最近距離為。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)中，難溶于CCl4的是   （   ）
A．碘單質(zhì)B．甲烷C．苯D．水

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

下表為長式周期表的一部分，其中的編號(hào)代表對應(yīng)的元素。

（1）元素③基態(tài)原子的電子排布式為        。
（2）②與⑦形成的化合物的空間構(gòu)型為      。
（3）元素②④⑤⑥的第一電離能由大到小的順序是      (填元素符號(hào))
（4）在測定①與⑥形成化合物的相對分子質(zhì)量時(shí)，實(shí)驗(yàn)測得的值一般高于理論值的主要原因            。
（5）膽礬CuSO4·5H2O可寫成[Cu(H2O)4]SO4·H2O，其結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是       

a．在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，所有氧原子都采用sp3雜化
b．在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，存在配位鍵、共價(jià)鍵和離子鍵
c．膽礬是分子晶體，分子間存在氫鍵
d．膽礬中的水在不同溫度下會(huì)分步失去
（6）往硫酸銅溶液中加入過量氨水，可生成[Cu(NH3)4]2+配離子。已知NF3與NH3的空間構(gòu)型都是三角錐形，但NF3不易與Cu2+形成配離子，其原因是         。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

有A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的元素(原子序數(shù)均小于30)。A的基態(tài)原子2p能級有3個(gè)單電子；C的基態(tài)原子2p能級有1個(gè)單電子；E原子最外層有1個(gè)單電子，其次外層有3個(gè)能級且均排滿電子；D與E同周期，價(jià)電子數(shù)為2。則：
(1)D的元素符號(hào)為______。A的單質(zhì)分子中π鍵的個(gè)數(shù)為______。
(2)B元素的氫化物的沸點(diǎn)是同族元素氫化物中最高的，原因是__________________________________。
(3)A、B、C 3種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_______(用元素符號(hào)表示)。
(4)寫出基態(tài)E原子的價(jià)電子排布式：__________________。

(5)A的最簡單氫化物分子的空間構(gòu)型為________，其中A原子的雜化類型是________。
(6)C和D形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知晶體的密度為ρ g·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長a＝________cm。(用ρ、NA的計(jì)算式表示)

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

現(xiàn)有六種元素，其中A、B、C、D為短周期主族元素，E、F為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大。請根據(jù)下列相關(guān)信息，回答問題。
A原子核外電子分占3個(gè)不同能級，且每個(gè)能級上排布的電子數(shù)相同
B元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)少1
C原子p軌道上成對電子數(shù)等于未成對電子數(shù)，且與A同周期
D元素的族序數(shù)與周期數(shù)的差為4，且不與A元素在同一周期
E位于周期表中第七列
F元素基態(tài)原子的M層全充滿，N層沒有成對電子，只有一個(gè)未成對電子
 
(1)A的基態(tài)原子最外層有______種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子。
(2)E2＋的基態(tài)核外電子排布式為____________________。
(3)A、B、C三種元素的最簡單氫化物的熔點(diǎn)由低到高的順序是________。A、B、C三種元素組成的分子中與AC2互為等電子體的分子為________________(用元素符號(hào)表示)。
(4)BD3中心原子的雜化方式為________，其分子空間構(gòu)型為____________。
(5)用晶體的X射線衍射法對F的測定得到以下結(jié)果：F的晶胞為面心立方最密堆積(如下圖)，又知該晶體的密度為ρ g·cm－3，晶胞中該原子的配位數(shù)為______________；F的原子半徑是________ cm(阿伏加德羅常數(shù)為NA)。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

Ⅰ.CuCl和CuCl2都是重要的化工原料，常用作催化劑、顏料、防腐劑和消毒劑等。
已知：①CuCl可以由CuCl2用適當(dāng)?shù)倪�原劑如SO2、SnCl2等還原制得：
2Cu2＋＋2Cl－＋SO2＋2H2O2CuCl↓＋4H＋＋SO42-
2CuCl2＋SnCl2=2CuCl↓＋SnCl4
②CuCl2溶液與乙二胺(H2N—CH2—CH2—NH2)可形成配離子：

請回答下列問題：
(1)基態(tài)Cu原子的核外電子排布式為____________；H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是_________________________________________________________。
(2)SO2分子的空間構(gòu)型為________；與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為________________________________________________________________________。
(3)乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為________。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高得多，原因是_________________________________。
(4)②中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有________(填字母)。
a．配位鍵 　b．極性鍵 　c．離子鍵 　d．非極性鍵
Ⅱ.固體二氧化碳外形似冰，受熱汽化無液體產(chǎn)生，俗稱“干冰”，根據(jù)干冰晶胞結(jié)構(gòu)回答：
(5)干冰中一個(gè)分子周圍有________個(gè)緊鄰分子。
(6)堆積方式與干冰晶胞類型相同的金屬有________(從“Cu、Mg、K、Po”中選出正確的)，其空間利用率為________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42。X元素原子的4p軌道上有3個(gè)未成對電子,Y元素原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對電子。X跟Y可形成化合物X2Y3,Z元素可以形成負(fù)一價(jià)離子。請回答下列問題:
(1)X元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式為       ,該元素的符號(hào)是       。
(2)Y元素原子的電子排布圖為       ,元素X與Y的電負(fù)性比較:X       Y(填“＞”或“＜”)。
(3)X與Z可形成化合物XZ3,該化合物的空間構(gòu)型為       。
(4)由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導(dǎo)體。已知化合物A的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(黑球位于立方體內(nèi),白球位于立方體頂點(diǎn)和面心)

請寫出化合物A的化學(xué)式       ;化合物A可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的化學(xué)方程式為                   。
(5)已知(CH3)3Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為           。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

Q、R、X、Y、Z為周期表中原子序數(shù)依次遞增的前四周期元素。已知：
①Q(mào)為元素周期表中原子半徑最小的元素；
②R的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的能級，且每種能級中的電子總數(shù)相同；
③Y的基態(tài)原子的核外成對電子數(shù)是未成對電子數(shù)的3倍；
④Q、R、Y三種元素組成的一種化合物M是新裝修居室中常含有的一種有害氣體，Q、R兩種元素組成的原子個(gè)數(shù)比為1：1的化合物N的質(zhì)荷比最大值為78；
⑤Z有“生物金屬”之稱，Z4+離子和氬原子的核外電子排布相同。
請回答下列問題（答題時(shí)，Q、R、X、Y、Z用所對應(yīng)的元素符號(hào)表示）
（1）化合物M的空間構(gòu)型為        ，其中心原子采取   雜化；化合物N在固態(tài)時(shí)的晶體類型為           。
（2）R、X、Y三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>                。
（3）由上述一種或多種元素組成的與RY2互為等電子體的分子為         （寫分子式）。
（4）Z原子基態(tài)時(shí)的外圍電子排布式為     ；Z的一種含氧酸鋇鹽的晶胞 結(jié)構(gòu)如圖所示，晶體內(nèi)與每個(gè)Z原子等距離且最近的氧原子數(shù)為   。

（5）由R、X、Y三種元素組成的RXY-離子在酸性條件下可與NaClO溶液反應(yīng)，生成X2、RY2等物質(zhì)。該反應(yīng)的離子方程式為    。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：
（1）S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是______；

（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____；
（3）Se原子序數(shù)為______，其核外M層電子的排布式為______；
（4）H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形，SO32－離子的立體構(gòu)型為______三角錐形；
（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10－3和2.5×10－8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10－2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：                   ；第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：______；
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm，密度為____________(列式并計(jì)算)，a位置S2－離子與b位置Zn2＋離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

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