(10 分)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g) △H<0
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了1.40g,則SiCl4的平均反應(yīng)速率為 ;該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為 。
(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說法正確的是
a.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
c.其他條件不變,增大SiCl4物質(zhì)的量,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
d.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量,平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)
(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是
a.v逆(N2)=3v正(H2) b.v正(HCl)=4v逆(SiCl4)
c.混合氣體密度保持不變 d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6
(4)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為m/n,保持其他條件不變,降低溫度后達(dá)到新德平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比 m/n(填“>”“=”或“<”)
(10 分)
(1)0.005mol·L-1·min-1(2分) K=c12(HCl)/c6(H2)·c2(N2)·c3(SiCl4) (2分)
(2)ac (2分) (3)bc (2分) (4)< (2分)
解析試題分析:
(1)3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g)
3mol 140g
n 1.40g
3mol*1.40g=140g*n
解得n=0.03mol
△c(SiCl4)= =0.03mol/2L=0.015mol/L。
V(SiCl4)= △c(SiCl4)/t=0.015(mol/L)/3min=0.005mol·L-1·min-1。
化學(xué)平衡常熟等于反應(yīng)物的濃度冪之積除以生成物的濃度冪之積的值,即
K= c12(HCl)/c6(H2)·c2(N2)·c3(SiCl4)。
(2)b.增大壓強(qiáng),平衡向體積減少的方向移動(dòng),即平衡逆向移動(dòng),故錯(cuò);
d. Si3N4是固體,改變其的量,平衡不移動(dòng),故錯(cuò);
故選ac。
(3)a.應(yīng)為3v逆(N2)=v正(H2),故錯(cuò);d.濃度的比值不能判定是否平衡狀態(tài),故錯(cuò)。故選bc。
(4)降低溫度,平衡向放熱方向移動(dòng),即正向移動(dòng),故H2和HCl的物質(zhì)的量之比< m/n。
考點(diǎn):反應(yīng)速率的計(jì)算 化學(xué)平衡狀態(tài) 化學(xué)平衡的移動(dòng)
點(diǎn)評(píng):本題考查較為綜合,涉及反應(yīng)速率、平衡常數(shù)、平衡移動(dòng)以及電化學(xué)等知識(shí),題目難度不大,注意把握影響平衡移動(dòng)的因素以及平衡移動(dòng)方向的判斷。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
(10分)(1)用地殼中某主要元素生產(chǎn)的多種產(chǎn)品在現(xiàn)代高科技中占重要位置,足見化學(xué)對(duì)現(xiàn)代物質(zhì)文明的重要作用。例如:
①光導(dǎo)纖維的主要成分是 ;
②目前應(yīng)用最多的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是 。
(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時(shí)還得到對(duì)水不穩(wěn)定的Mg3N2。
①寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式: ;
②在Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過程中,發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)過程中有Mg3N2生成。其化學(xué)方程式為: ;
③氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,其優(yōu)點(diǎn)是(只要求寫出二種)。
、
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科目:高中化學(xué) 來源:江蘇省2011屆高三化學(xué)一輪過關(guān)測(cè)試(2) 題型:填空題
(10分)(1)用地殼中某主要元素生產(chǎn)的多種產(chǎn)品在現(xiàn)代高科技中占重要位置,足見化學(xué)對(duì)現(xiàn)代物質(zhì)文明的重要作用。例如:
①光導(dǎo)纖維的主要成分是 ;
②目前應(yīng)用最多的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是 。
(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時(shí)還得到對(duì)水不穩(wěn)定的Mg3N2。
①寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式: ;
②在Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過程中,發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)過程中有Mg3N2生成。其化學(xué)方程式為: ;
③氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,其優(yōu)點(diǎn)是(只要求寫出二種)。
、
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年江蘇省鹽城市高三上學(xué)期學(xué)情調(diào)研考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
(10 分)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g) △H<0
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了1.40g,則SiCl4的平均反應(yīng)速率為 ;該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為 。
(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說法正確的是
a.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
c.其他條件不變,增大SiCl4物質(zhì)的量,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
d.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量,平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)
(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是
a.v逆(N2)=3v正(H2) b.v正(HCl)=4v逆(SiCl4)
c.混合氣體密度保持不變 d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6
(4)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為m/n,保持其他條件不變,降低溫度后達(dá)到新德平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比 m/n(填“>”“=”或“<”)
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科目:高中化學(xué) 來源:江蘇省2010-2011學(xué)年高三化學(xué)一輪過關(guān)測(cè)試(2) 題型:填空題
(10分)(1)用地殼中某主要元素生產(chǎn)的多種產(chǎn)品在現(xiàn)代高科技中占重要位置,足見化學(xué)對(duì)現(xiàn)代物質(zhì)文明的重要作用。例如:
①光導(dǎo)纖維的主要成分是 ;
②目前應(yīng)用最多的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是 。
(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時(shí)還得到對(duì)水不穩(wěn)定的Mg3N2。
①寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式: ;
②在Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過程中,發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)過程中有Mg3N2生成。其化學(xué)方程式為: ;
③氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,其優(yōu)點(diǎn)是(只要求寫出二種)。
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