【題目】(1)第四周期的某主族元素,其第一至五電離能數(shù)據(jù)如下圖1所示,則該元緊對應(yīng)原子的M層電子排布式為________________。

(2)如下圖2所示,每條折線表示周期表IVA-VIIA中的某一族元素氫化物的沸點變化。每個小黑點代表一種氫化物,其中a點代表的是____________。

(3)化合物(CH3)3N與鹽酸反應(yīng)生成[(CH3)3NH]+,該過程新生成的化學(xué)鍵為__________(填序號)。

a.離子鍵 b.配位鍵 c.氫鍵 d.非極性共價鍵

若化合物(CH3)3N能溶于水,試解析其原因__________。

(4)CO2在高溫高壓下所形成的晶體其晶胞如下圖3所示。該晶體的熔點比SiO2晶體______(選填“高”或“低”),該晶體中碳原子軌道的雜化類型為____________。

(5)如圖為20個碳原子組成的空心籠狀分子C20,該籠狀結(jié)構(gòu)是由許多正五邊形構(gòu)成如圖。C20分子中每個碳原子只跟相鄰的3個碳原子形成化學(xué)鍵;

則:C20分子共有____個正五邊形,共有______條棱邊。

(6)Cu2+等過渡元素水合離子是否有顏色與原子結(jié)構(gòu)有關(guān),且存在一定的規(guī)律。試推斷Ni2+的水合離子為______(填“有”或“無”)色離子,依據(jù)是___________。

離子

Sc3+

Ti3+

Fe2+

Cu2+

Zn2+

顏色

無色

紫紅色

淺綠色

藍色

無色

(7)晶體具有規(guī)則的幾何外形,晶體中最基本的重復(fù)單元稱為晶胞。已知FexO晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型,由于晶體缺陷,x值小于1。測知FexO晶體密度為p=5.71g/cm3,晶胞邊長為4.28×10-10m,F(xiàn)exO中x值(精確至0.01)為_______

【答案】 )3s23p6 SiH4 b 化合物(CH3)3N為極性分子且可與水分子間形成氫鍵 sp3雜化 12 30 Ni2+的3d軌道上有未成對電子 0.92

【解析】(1)由該元素的第一至五電離能數(shù)據(jù)可以知道,該元素第一二電離能較小,說明容易失去2個電子,即最外層有兩個電子,已知該元素為第四周期的某主族元素,則為第四周期,IIA族元素Ca,其電子排布為2、8、8、2,所以M層有8個電子,M層電子排布式為:;因此,本題正確答案是:

(2)在ⅣA~A中的氫化物里,、、HF因存在氫鍵,故沸點高于同主族相鄰元素氫化物的沸點,只有ⅣA族元素氫化物不存在反,F(xiàn)象,組成與結(jié)構(gòu)相似,相對分子量越大,分子間作用力越大,沸點越高,a點代表的應(yīng)是第IVA族的第二種元素Si的氫化物,,因此,本題正確答案是:。

(3)化合物與鹽酸反應(yīng)生成,該過程新生成的化學(xué)鍵為氮與質(zhì)子氫離子形成配位鍵,所以選b,極性分子和水之間形成氫鍵,所以溶解性增強,因此,本題正確答案是:b;化合物為極性分子且可與水分子間形成氫鍵。

(4)在高溫高壓下所形成的晶體其晶胞如圖所示.該晶體中原子之間通過共價鍵結(jié)合,屬于原子晶體,而碳氧鍵的鍵長短,所以該晶體的熔點比晶體高;該晶體中C原子形成4單鍵,C原子含有4價層電子對,所以C原子軌道的雜化類型為,因此,本題正確答案是:;。
(5)根據(jù)圖片知,每個頂點上有1個碳原子,所以頂點個數(shù)等于碳原子個數(shù)為20,每個頂點含有棱邊數(shù),每個面含有頂點個數(shù),則面數(shù),
或根據(jù)歐拉定理得面數(shù)棱邊數(shù)-頂點數(shù),因此,本題正確答案是:12;30。
(6)Cu原子的核外電子排布式為,的外圍電子排布式為,離子的原子核外排布式為,d軌道上有10個電子,無色,離子的原子核外排布式為,d軌道上有0電子,處于全空,故沒有顏色,離子的原子核外排布式為,3d軌道上有未成對電子,所以有色離子,因此,本題正確答案是:;3d軌道上有未成對電子;
(7)晶體的晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl,所以每個晶胞中含有4O原子,4”,再根據(jù)可以知道:,計算得出:,因此,本題正確答案是:0.92。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】已知:

R—NO2R—NH2;

③苯環(huán)上原有的取代基對新導(dǎo)入的取代基進入苯環(huán)的位置有顯著影響。

以下是用苯為原料制備某些化合物的轉(zhuǎn)化關(guān)系圖:

1A是一種密度比水________(”)的無色液體;A轉(zhuǎn)化為B的化學(xué)方程式是________________________

2的所有反應(yīng)中屬于取代反應(yīng)的是________(填字母),屬于加成反應(yīng)的是________(填字母)。

3B中苯環(huán)上的二氯代物有________種同分異構(gòu)體。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】在探索苯結(jié)構(gòu)的過程中,人們寫出了符合分子式“C6H6的多種可能結(jié)構(gòu)(如圖),下列說法正確的是

A. 1~5對應(yīng)的結(jié)構(gòu)中的一氯取代物只有1種的有3

B. 1~5對應(yīng)的結(jié)構(gòu)均能使溴的四氯化碳溶液褪色

C. 1~5對應(yīng)的結(jié)構(gòu)中所有原子均可能處于同一平面的有1

D. 1~5對應(yīng)的結(jié)構(gòu)均不能使酸性高錳酸鉀溶液褪色

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】下列物質(zhì)能與CO2反應(yīng)的是(

A.CaOB.鹽酸C.濃硫酸D.SiO2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】紅簾石礦的主要成分為Fe3O4、Al2O3、MnCO3、Mg0少量MnO2等。工業(yè)上將紅簾石處理后運用陰離子膜電解法的新技術(shù)提取金屬鈺并制得綠色高效的水處理劑(K2FeO4)。工業(yè)流程如下:

(1)在稀硫酸浸取礦石的過程中,MnO2可將Fe2+氧化為Fe3+,寫出該反應(yīng)的離子方程式:________。

(2)浸出液中的陽離子除H+、Fe2+、Fe3+外還有_______(填離子符號)。

(3)已知:不同金屬離子生成生成氫氧化物沉淀所需的pH如下表:

離子

Fe3+

A13+

Fe2+

Mn2+

Mg2+

開始沉淀的pH

2.7

3.7

7.0

7.8

9.6

完全沉淀的pH

3.7

4.7

9.6

9.8

11.1

步驟②中調(diào)節(jié)溶液的pH等于6,調(diào)節(jié)pH的試劑最好選用下列哪種試劑:_______(填選項字母,下同)濾渣B除掉雜質(zhì)后可進一步制取K2FeO4,除掉濾渣B中雜質(zhì)最好選用下列哪種試劑:_____。

a.稀鹽酸 b.KOH c.氨水 d.MnCO3 e.CaCO3

(4)濾渣B經(jīng)反應(yīng)④生成高效水處理劑的離子方程式_______________。

(5)電解裝置如圖所示,箭頭表示溶液中陰離子移動的方向;則與A電極連接的是直流電源的_____極。陽極電解液是稀硫酸,若陰極上只有錳單質(zhì)析出,當(dāng)生成11g錳時,另一個電極上產(chǎn)生的氣體在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積為________。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】在氧化還原反應(yīng)3S+6KOH=K2SO3+2K2S+3H2O中,被氧化與被還原的硫原子數(shù)之比為( )
A.1:1
B.2:1
C.1:2
D.3:2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】支撐海港碼頭基礎(chǔ)的鋼管柱,常用外加電流的陰極保護法進行防腐,工作原理如圖所示,其中高硅鑄鐵為惰性輔助陽極。下列有關(guān)表述不正確的是

A. 通入保護電流使鋼管樁表面腐蝕電流接近于零

B. 通電后外電路電子被強制從高硅鑄鐵流向鋼管樁

C. 高硅鑄鐵的作用是作為損耗陽極材料和傳遞電流

D. 通入的保護電流應(yīng)該根據(jù)環(huán)境條件變化進行調(diào)整

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】有如下三個熱化學(xué)方程式:

H2(g)+1/2O2(g)===H2O(g) ΔH=a kJ·mol1

H2(g)+1/2O2(g)===H2O(l) ΔH=b kJ·mol1

2H2(g)+O2(g)===2H2O(l) ΔH=c kJ·mol1

關(guān)于它們的下列表述正確的是(  )

A. 它們都是吸熱反應(yīng) B. a、bc均為正值

C. 2b=c D. a=b

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】鎳與VA族元素形成的化合物是重要的半導(dǎo)體材料,應(yīng)用最廣泛的是砷化鎵(GaAs),回答下列問題

(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為_____,基態(tài)As原子核外有_________個未成對電子。

(2)鎵失去電子的逐級電離能單位:kJ·mol-1的數(shù)值依次為577、1984.5、2961.8、6192由此可推知鎵的主要化合價為____+3。砷的電負性比鎳____”)。

(3)比較下列鎵的鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因________________________。

鎵的鹵化物

GaCl3

GaBr3

GaI3

熔點/℃

77.75

122.3

211.5

沸點/℃

201.2

279

346

GaF3的熔點超過1000℃,可能的原因是___________________________________________

(4)二水合草酸鎵的結(jié)構(gòu)如圖所示,其中鎵原子的配位數(shù)為______,草酸根中碳原子的雜化方式為______________。

(5)砷化鎵熔點為1238℃,立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)為a=565pm。該晶體的類型為_________,晶體的密度為___________設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,列出算式即可)g·cm-3。

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