下列變化中,既屬于吸熱反應(yīng),又屬于氧化還原反應(yīng)的是( )
A.碳酸鈣受熱分解 B.灼熱的木炭與二氧化碳反應(yīng)
C.鋁粉與鹽酸的反應(yīng) D.硝酸銨溶于水
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科目:高中化學(xué) 來源:2016年全國(guó)普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試化學(xué)(上海卷精編版) 題型:選擇題
實(shí)驗(yàn)室提純含少量氯化鈉雜質(zhì)的硝酸鉀的過程如圖所示。
下列分析正確的是
A.操作Ⅰ是過濾,將固體分離除去
B.操作Ⅱ是加熱濃縮,趁熱過濾,除去雜質(zhì)氯化鈉
C.操作Ⅲ是過濾、洗滌,將硝酸鉀晶體從溶液中分離出來
D.操作Ⅰ~Ⅲ總共需兩次過濾
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科目:高中化學(xué) 來源:2016年全國(guó)普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試化學(xué)(江蘇卷精編版) 題型:選擇題
通過以下反應(yīng)均可獲取H2。下列有關(guān)說法正確的是
①太陽光催化分解水制氫:2H2O(l) ===2H2(g)+ O2(g) ΔH1=571.6kJ·mol–1
②焦炭與水反應(yīng)制氫:C(s)+ H2O(g) ===CO(g)+ H2(g) ΔH2=131.3kJ·mol–1
③甲烷與水反應(yīng)制氫:CH4(g)+ H2O(g) ===CO(g)+3H2(g) ΔH3=206.1kJ·mol–1
A.反應(yīng)①中電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能
B.反應(yīng)②為放熱反應(yīng)
C.反應(yīng)③使用催化劑,ΔH3減小
D.反應(yīng)CH4(g)===C(s)+2H2(g)的ΔH=74.8 kJ·mol–1
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年寧夏高一下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下列反應(yīng)屬于加成反應(yīng)的是 ( )
A. 2CH3CH2OH + 2Na → 2CH3CH2ONa + H2↑
B.
C.
D.
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年寧夏高一下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下列有關(guān)物質(zhì)的性質(zhì)與應(yīng)用的說法中,均正確的是 ( )
A.石英能導(dǎo)電,所以用作光導(dǎo)纖維
B.明礬與水反應(yīng)生成氫氧化鋁膠體,可用于自來水消毒
C.氧化鋁熔點(diǎn)高,常用于耐高溫材料
D.蘇打溶液呈弱堿性,可用作胃酸中和劑
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年寧夏高一下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下列物質(zhì)分離方法不正確的是 ( )
A.用過濾的方法除去食鹽水中的泥沙
B.用蒸餾的方法將自來水制成蒸餾水
C.用酒精萃取碘水中的碘
D.用分液的方法分離汽油和氯化鈉溶液
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年寧夏高二下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
分子式為C2H4O2的結(jié)構(gòu)可能有兩種,。
(1)若為,則紅外光譜中應(yīng)該有_____個(gè)振動(dòng)吸收;核磁共振氫譜中應(yīng)有______個(gè)峰。
(2)若為,則紅外光譜中有_______個(gè)振動(dòng)吸收;核磁共振氫譜中應(yīng)有_____個(gè)峰。
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年寧夏高二下期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
由2-氯丙烷制取1,2-丙二醇時(shí),需要經(jīng)過下列哪幾步反應(yīng)( )
A.加成→消去→取代 B.消去→加成→取代
C.取代→消去→加成 D.取代→加成→消去
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科目:高中化學(xué) 來源:2015-2016學(xué)年河北省高一下7.3周考化學(xué)試卷(解析版) 題型:實(shí)驗(yàn)題
晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用過量的碳還原二氧化硅制得粗硅,同時(shí)得到一種可燃性氣體;
② 粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiCl3(Si+ 3HClSiCl3 + H2)
③ SiHC13與過量的H2在1100~1200℃的溫度下反應(yīng)制得純硅,已知SiHCi3。能與水劇烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答:
(1)第一步制取粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_________。
(2)粗硅與HCl氣體反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃ )中含有少量SiC14 (沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHC13采用的方法為________。
(3)實(shí)驗(yàn)室用SiHCl3 與過量的H2反應(yīng)制取純硅裝置如圖所示(加熱和夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是___________,裝置C中的燒杯需要加熱,目的是___________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是___________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是___________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是___________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及___________。
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