Question

【題目】第三代太陽(yáng)能電池就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池。

（1）晶體硅中Si原子的雜化方式是___，基態(tài)Ga原子核外電子排布式為___。

（2）向硫酸銅溶液中逐滴滴加濃氨水，先出現(xiàn)藍(lán)色絮狀沉淀，后沉淀逐漸溶解得到[Cu（NH3）4]SO4的深藍(lán)色透明溶液。

①NH3極易溶于水，除因?yàn)?/span>NH3與H2O都是極性分子外，還因?yàn)?/span>____。

②在[Cu（NH3）4]2+中Cu2+與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱(chēng)為___，提供孤電子對(duì)的成鍵原子是___。

③[Cu（NH3）4]2+具有對(duì)稱(chēng)的空間構(gòu)型，[Cu（NH3）4]2+中的兩個(gè)NH3被兩個(gè)C1-取代，能得到兩種不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物，則[Cu（NH3）4]2+的空間構(gòu)型為___。

（3）某含銅化合物的晶胞如圖所示，晶胞上下底面為正方形，側(cè)面與底面垂直。則晶胞中每個(gè)Cu原子與____個(gè)S原子相連，含銅化合物的化學(xué)式為____。設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶胞的密度為___gcm3（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）。

Answer 1

【答案】sp3 1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1 NH3與H2O之間可形成分子間氫鍵，NH3與H2O發(fā)生反應(yīng) 配位鍵 N 平面正方形 4 CuFeS2

【解析】

（1）根據(jù)晶體硅中每個(gè)Si原子與周?chē)��?/span>4個(gè)硅原子形成正四面體，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)判斷；Ga是31號(hào)元素，根據(jù)能量最低原理書(shū)寫(xiě)核外電子排布式；
（2）①氨氣分子與水分子之間形成氫鍵，且氨氣能與水反應(yīng)；
②Cu2+含有空軌道，NH3中N原子含有孤電子對(duì)；
③[Cu（NH3）4]2+中的兩個(gè)NH3被兩個(gè)Cl-取代能得到兩種不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物，[Cu（NH3）4]2+的空間構(gòu)型為平面正方形；
（3）根據(jù)均攤法計(jì)算晶胞中各原子數(shù)目，確定化學(xué)式，進(jìn)而計(jì)算晶胞質(zhì)量，再根據(jù)計(jì)算晶胞密度。

(1)因晶體硅中每個(gè)Si原子與周?chē)��?/span>4個(gè)硅原子形成正四面體，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所以晶體硅中Si原子的雜化方式為sp3雜化。Ga位于周期表中第4周期第ⅢA族，則基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1，故答案為：sp3；1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1；

(2)①NH3極易溶于水，除因?yàn)樗鼈兌际菢O性分子外，還因?yàn)椋?/span>NH3與H2O之間可形成分子間氫鍵，NH3與H2O發(fā)生反應(yīng)，故答案為：NH3與H2O之間可形成分子間氫鍵，NH3與H2O發(fā)生反應(yīng)；

②Cu2+含有空軌道，NH3中N原子含有孤電子對(duì)，二者形成配位鍵，故答案為：配位鍵；N；

③[Cu(NH3)4]2+中的兩個(gè)NH3被兩個(gè)Cl-取代能得到兩種不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物，[Cu(NH3)4]2+的空間構(gòu)型為平面正方形，故答案為：平面正方形；

(3)晶胞中D(S)原子位于晶胞內(nèi)部，原子數(shù)目為8個(gè)，E(Fe)原子6個(gè)位于面上、4個(gè)位于棱上，E(Fe)原子數(shù)目=6×+4×=4，F(Cu)原子位于4個(gè)位于面上、1個(gè)內(nèi)部、8個(gè)頂點(diǎn)上，原子數(shù)目=4×+1+8×=4，晶體中Cu、Fe、S原子數(shù)目之比=4：4：8=1：1：2，故該晶體化學(xué)式為：CuFeS2，

晶胞質(zhì)量m=×4g，晶胞體積V=(a×10-10cm)2×b×10-10cm，

晶體密度ρ=(×4g)÷[(a×10-10cm)2×b×10-10cm]=gcm3，

故答案為：4；CuFeS2；。