【題目】請(qǐng)按要求填空:
(1)Mg是第3周期元素,該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見下表:
①解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:
a._____________________________________________________________________。
b.____________________________________________________________________。
②硅在一定條件下可以與Cl2反應(yīng)生成SiCl4,試判斷SiCl4的沸點(diǎn)比CCl4的________(填“高”或“低”),理由________________________________。
(2)下列物質(zhì)變化,只與范德華力有關(guān)的是_________。
a.干冰熔化 b.乙酸汽化 c.石英熔融 d.HCONHCH2CH3溶于水 e.碘溶于四氯化碳
(3)C,N元素形成的新材料具有如下圖所示結(jié)構(gòu),該晶體的化學(xué)式為:_____________。
(4)FeCl3常溫下為固體,熔點(diǎn)282 ℃,沸點(diǎn)315 ℃,在300 ℃以上升華。易溶于水,也易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑。據(jù)此判斷FeCl3的晶體類型為_________________。
(5)氮化碳和氮化硅晶體結(jié)構(gòu)相似,是新型的非金屬高溫陶瓷材料,它們的硬度大,熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。
①氮化硅的硬度________(“大于”或“小于”)氮化碳的硬度,原因是________________。
②下列物質(zhì)熔化時(shí)所克服的微粒間的作用力與氮化硅熔化時(shí)所克服的微粒間的作用力相同的是_________。
a.單質(zhì)I2和晶體硅 b.冰和干冰
c.碳化硅和二氧化硅 d.石墨和氧化鎂
③已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中,原子間都以單鍵相連,且氮原子與氮原子不直接相連、硅原子與硅原子不直接相連,同時(shí)每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),請(qǐng)寫出氮化硅的化學(xué)式________。
(6)第ⅢA,ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。在GaN晶體中,每個(gè)Ga原子與______個(gè)N原子相連,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為________。在四大晶體類型中,GaN屬于____晶體。
【答案】 NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,所以NaF與MgF2遠(yuǎn)比SiF4熔點(diǎn)要高 因?yàn)?/span>Mg2+的半徑小于Na+的半徑,所以MgF2的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度,故MaF2的熔點(diǎn)大于NaF 高 SiCl4的相對(duì)分子質(zhì)量比CCl4的大,范德華力大,因此沸點(diǎn)高 ae C3N4 分子晶體 小于 硅原子半徑大于碳原子半徑,氮碳形成的共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)比氮硅鍵長(zhǎng)短,鍵能更大 c Si3N4 4 正四面體 原子
【解析】(1)①氟化物的熔點(diǎn)與晶體類型有關(guān),離子晶體的熔點(diǎn)較高,分子晶體的熔點(diǎn)較低;
②根據(jù)影響分子晶體熔沸點(diǎn)高低的因素分析;
(2)分子晶體中分子之間存在范德華力,范德華力與分子晶體的熔沸點(diǎn)、硬度有關(guān),注意范德華力與氫鍵、化學(xué)鍵的區(qū)別;
(3)根據(jù)均攤法判斷;
(4)根據(jù)分子晶體的熔沸點(diǎn)較低判斷;
(5)根據(jù)影響原子晶體硬度的因素分析;根據(jù)晶體類型分析,熔化時(shí)原子晶體破壞共價(jià)鍵,分子晶體破壞分子間作用力;根據(jù)最外層電子數(shù)和每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)判斷;
(6)單晶硅是Si正四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),為原子晶體,GaN晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似,GaN屬于原子晶體,根據(jù)單質(zhì)硅的晶體結(jié)構(gòu)判斷。
(1)①離子晶體的熔點(diǎn)較高,分子晶體的熔點(diǎn)較低,NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,所以NaF與MgF2遠(yuǎn)比SiF4熔點(diǎn)要高;又因?yàn)?/span>Mg2+的半徑小于Na+的半徑,所以MgF2的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度,故MaF2的熔點(diǎn)大于NaF;
②由于SiCl4與CCl4形成的晶體均是分子晶體,SiCl4的相對(duì)分子質(zhì)量比CCl4的大,范德華力大,因此沸點(diǎn)高;
(2)a.干冰屬于分子晶體,熔化時(shí)克服范德華力,a正確;b.乙酸分子間含有氫鍵,乙酸汽化克服氫鍵和范德華力,b錯(cuò)誤;c.石英的主要成分為二氧化硅,屬于原子晶體,石英熔融時(shí)克服共價(jià)鍵,c錯(cuò)誤;d.HCONHCH2CH3溶于水時(shí)克服氫鍵和范德華力,d錯(cuò)誤;e.碘屬于分子晶體,溶于四氯化碳只克服范德華力,e正確;答案選ae;
(3)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知含有的碳原子個(gè)數(shù)是8×1/8+4×1/2=3,氮原子全部在晶胞中,含有的氮原子個(gè)數(shù)是4,則該晶體的化學(xué)式為C3N4。
(4)FeCl3常溫下為固體,熔點(diǎn)282 ℃,沸點(diǎn)315 ℃,在300 ℃以上升華。易溶于水,也易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑,由此判斷FeCl3的晶體類型為分子晶體;
(5)①氮化碳和氮化硅晶體結(jié)構(gòu)相似,是新型的非金屬高溫陶瓷材料,它們的硬度大,熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,這說明二者形成的晶體是原子晶體,由于硅原子半徑大于碳原子半徑,氮碳形成的共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)比氮硅鍵長(zhǎng)短,鍵能更大,所以氮化硅的硬度小于氮化碳的硬度。
②根據(jù)晶體類型分析,熔化時(shí)原子晶體破壞共價(jià)鍵,分子晶體破壞分子間作用力,a.單質(zhì)I2屬于分子晶體,克服分子間作用力,晶體硅屬于原子晶體克服共價(jià)鍵;b.冰和干冰都是分子晶體,克服分子間作用力;c.碳化硅和二氧化硅都是原子晶體,克服共價(jià)鍵;d.石墨和氧化鎂分別是原子晶體、離子晶體,分別克服共價(jià)鍵、離子鍵,答案選c;
③N最外層電子數(shù)為5,要滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),需要形成3個(gè)共價(jià)鍵,Si最外層電子數(shù)為4,要滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),需要形成4個(gè)共價(jià)鍵,所以氮化硅的化學(xué)式為Si3N4;
(6)GaN晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似,GaN屬于原子晶體,每個(gè)Ga原子與4個(gè)N原子相連,與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為正四面體。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】已知M為紅色金屬單質(zhì)、E為用量最大的的金屬,X、Y、Z為含有E元素的化合物。根據(jù)下列框圖回答問題(答題時(shí),方程式中的M、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示):
(1)M和熱空氣以及稀H2SO4反應(yīng)的離子方程式_____________________________。
(2)實(shí)驗(yàn)室中X溶液的保存方法___________________________________。
(3)鑒別Y溶液的陽離子的常見方法_______________________________。
(4)Cl2將Z氧化為K2EO4的化學(xué)方程式___________________________________。
(5)某同學(xué)取X的溶液,酸化后加入KI、淀粉溶液,充分振蕩后溶液變?yōu)樗{(lán)色。描述出現(xiàn)藍(lán)色可能的原因_____________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】將等物質(zhì)的量的A、B混合于2 L的密閉容器中,發(fā)生下列反應(yīng):3A(g)+B(g)xC(g)+2D(g),經(jīng)2 min后測(cè)得D的濃度為0.5 mol·L-1,c(A)∶c(B)=3∶5,以C表示的平均速率v(C)=0.25 mol·L-1·min-1,下列說法正確的是( )
A. 該反應(yīng)方程式中,x=1 B. 2 min時(shí),A的物質(zhì)的量為0.75 mol
C. 2 min時(shí),A的轉(zhuǎn)化率為50% D. 反應(yīng)速率v(B)=0.25 mol·L-1·min-1
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】下列說法中正確的是
A. 電子云圖中的小黑點(diǎn)密表示該核外空間的電子多
B. 電子排布式 1s22s22px2違反了洪特規(guī)則
C. 原子序數(shù)為7、8、9的三種元素,其第一電離能和電負(fù)性均依次增大
D. 元素周期表中Fe處于ds區(qū)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】下表是元素周期表中的一部分。
根據(jù)A—J在周期表中的位置,用元素符號(hào)、化學(xué)式或反應(yīng)式回答下列問題:
(1)氧化性最強(qiáng)的單質(zhì)是___,用一個(gè)化學(xué)反應(yīng)證明H單質(zhì)的氧化性強(qiáng)于G單質(zhì)__________。
(2)A分別與F、G、H形成的簡(jiǎn)單化合物中,穩(wěn)定性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)?/span>_________。
(3)B、C、G、H離子半徑由大到小的順序是_________。
(4)D單質(zhì)可用來制造D—空氣燃料電池,該電池通常以氯化鈉或氫氧化鉀溶液為電解質(zhì)溶液,通入空氣的電極為正極。若以氯化鈉為電解質(zhì)溶液時(shí),正極的反應(yīng)式為______。若以氫氧化鉀溶液為電解質(zhì)溶液時(shí),電池的總反應(yīng)式為____。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】石墨烯具有原子級(jí)的厚度、優(yōu)異的電學(xué)性能、出色的化學(xué)穩(wěn)定性和熱力學(xué)穩(wěn)定性。制備石墨烯方法有石墨剝離法、化學(xué)氣相沉積法等。石墨烯的球棍模型及分子結(jié)構(gòu)示意圖如下:
(1)下列有關(guān)石墨烯說法正確的是________。
A.石墨烯的結(jié)構(gòu)與金剛石相似
B.石墨烯分子中所有原子可以處于同一平面
C.12 g石墨烯含σ鍵數(shù)為NA
D.從石墨剝離得石墨烯需克服石墨層與層之間的分子間作用力
(2)化學(xué)氣相沉積法是獲得大量石墨烯的有效方法之一,催化劑為金、銅、鈷等金屬或合金,含碳源可以是甲烷、乙炔、苯、乙醇或酞菁等中的一種或任意組合。
①鈷原子在基態(tài)時(shí),核外電子排布式為________。
②乙醇沸點(diǎn)比氯乙烷高,主要原因是_______________________。
③下圖是金與銅形成的金屬互化物合金,它的化學(xué)式可表示為:________。
④含碳原子且屬于非極性分子的是________;
a.甲烷 b.乙炔 c.苯 d.乙醇
⑤酞菁與酞菁銅染料分子結(jié)構(gòu)如下圖,酞菁分子中氮原子采用的雜化方式有:________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】在一個(gè)固定容積的密閉容器中,可逆反應(yīng)m A(g)+n B(g)p C(g)+q D(g),當(dāng) m、 n、 p、q 為任意整數(shù)時(shí),下列說法一定能說明反應(yīng)已達(dá)到平衡的是( )
①體系的壓強(qiáng)不再改變 ②體系的密度不再改變 ③各組分的濃度不再改變 ④各組分的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不再改變 ⑤反應(yīng)速率 v(A)∶v(B)∶v(C)∶v(D)=m∶n∶p∶q ⑥單位時(shí)間內(nèi) m mol A 發(fā)生斷鍵反應(yīng),同時(shí) p mol C 也發(fā)生斷鍵反應(yīng)
A. ③④⑤⑥ B. ③④⑥ C. ①③④ D. ②③⑥
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】今有乙酸和乙酸甲酯的混和物中,測(cè)得含碳的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為X,則混和物中氧的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為( )
A. (1-X)/7 B. 6(1-X)/7 C. (6-7X)/6 D. 無法計(jì)算
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】下列有關(guān)細(xì)胞中水的敘述,錯(cuò)誤的是
A. 細(xì)胞內(nèi)參與物質(zhì)運(yùn)輸?shù)乃亲杂伤?/span>
B. 越冬的動(dòng)物體內(nèi)結(jié)合水的比例相對(duì)較高
C. 同一個(gè)體的不同器官的含水量相同
D. 植物蒸騰作用中失去的水主要是自由水
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