Question

20．氮化硅（Si₃N₄）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在航天航空、汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)、機(jī)械等領(lǐng)域有著廣泛的用途．工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮化硅，常見(jiàn)的方法有：
（1）在1 300-l 400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氮?dú)饣�合，其反�?yīng)方程式為3Si+2N₂$\frac{\underline{\;1300～1400℃\;}}{\;}$Si₃N₄．
（2）在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)�、氫氣反�?yīng)生成氮化硅和HCl．
①已知：25℃，101kPa條件下的熱化學(xué)方程式：
3Si（s）+2N₂（g）═Si₃N₄（s）△H═-750.2kJ/mol
Si（s）+2Cl₂（g）═SiCl₄（g）△H═-609.6kJ/mol
H₂（g）+Cl₂（g）═HCl（g）△H═-92.3kJ/mol
四氯化硅氣體與氮?dú)狻�氫氣反�?yīng)的熱化學(xué)方程式為3SiCl₄（g）+2N₂（g）+6H₂（g）=Si₃N₄（g）+12HCl（g）△H=-29.0kJ/mol．
②工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如圖1：

已知：X，高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色．
上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí)，陽(yáng)極材料能否用Cu？不能（填“能”或“不能”）．寫(xiě)出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式．陽(yáng)極：Cu-2e^-=Cu²⁺；陰極：2H₂O+2e^-=H₂↑+2OH^-．
（3）由石英砂合成氮化硅粉末的路線(xiàn)圖如圖2所示

①石英砂不能與堿性物質(zhì)共同存放，以NaOH為例，用化學(xué)方程式表示其原因：SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O．
②圖示 I-V的變化中，屬于氧化還原反應(yīng)的是I、Ⅱ．
③SiCl₄在潮濕的空氣中劇烈水解，產(chǎn)生白霧，軍事工業(yè)中用于制造煙霧劑．SiCl₄水解的化學(xué)方程式為SiCl₄+3H₂O=4HCl↑+H₂SiO₃↓．
④在反應(yīng)Ⅳ中四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH₂）₄和一種氣體HCl（填分子式）；在反應(yīng)V中Si（NH₂）₄受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為NH₃．

Answer 1

分析 （1）硅與氮?dú)夥磻?yīng)生成Si₃N₄；
（2）①已知：Ⅰ.3Si（s）+2N₂（g）=Si₃N₄（s）△H=-750.2kJ/mol
Ⅱ．Si（s）+2Cl₂（g）=SiCl₄（g）△H=-609.6kJ/mol
Ⅲ.$\frac{1}{2}$H₂（g）+$\frac{1}{2}$Cl₂（g）=HCl（g）△H=-92.3kJ/mol
根據(jù)蓋斯定律，Ⅰ-Ⅱ×3+Ⅲ×12可得：3SiCl₄（g）+2N₂（g）+6H₂（g）=Si₃N₄（g）+12HCl（g），反應(yīng)熱也進(jìn)行相應(yīng)的計(jì)算；
②原料B與碳得到粗產(chǎn)品與X反應(yīng)生成SiCl₄，則X為氯氣，原料B與碳得到粗產(chǎn)品為Si，故B為SiO₂．Y與氯氣在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，且與SiCl₄反應(yīng)得到高純度Si，則Y為氫氣．Z的焰色呈黃色，含有Na元素，電解A得到氫氣、氯氣與Z，則Z為NaOH、A為NaCl；
（3）①二氧化硅與氫氧化鈉反應(yīng)生成硅酸鈉與水；
②反應(yīng)Ⅰ為置換反應(yīng)，反應(yīng)Ⅱ?yàn)橛袉钨|(zhì)參加的化合反應(yīng)，Ⅲ中物質(zhì)未發(fā)生變化，Ⅳ中元素化合物均為發(fā)生變化；
③SiCl₄水解得到HCl、H₂SiO₃；
④在反應(yīng)IV中四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH₂）₄和一種氣體，由元素守恒可知，該氣體為HCl；在反應(yīng)V中Si（NH₂）₄受熱分解生成Si₃N₄，由原子守恒可知另一種產(chǎn)物為NH₃．

解答 解：（1）硅與氮?dú)夥磻?yīng)生成Si₃N₄，反應(yīng)方程式為：3Si+2N₂$\frac{\underline{\;1300～1400℃\;}}{\;}$Si₃N₄，
故答案為：3Si+2N₂$\frac{\underline{\;1300～1400℃\;}}{\;}$Si₃N₄；
（2）①已知：Ⅰ.3Si（s）+2N₂（g）=Si₃N₄（s）△H=-750.2kJ/mol
Ⅱ．Si（s）+2Cl₂（g）=SiCl₄（g）△H=-609.6kJ/mol
Ⅲ.$\frac{1}{2}$H₂（g）+$\frac{1}{2}$Cl₂（g）=HCl（g）△H=-92.3kJ/mol
根據(jù)蓋斯定律，Ⅰ-Ⅱ×3+Ⅲ×12可得：3SiCl₄（g）+2N₂（g）+6H₂（g）=Si₃N₄（g）+12HCl（g），故△H=-750.2kJ/mol-3×（-609.6kJ/mol）+12×（-92.3kJ/mol）=-29.0kJ/mol，
故答案為：3SiCl₄（g）+2N₂（g）+6H₂（g）=Si₃N₄（g）+12HCl（g）△H=-29.0kJ/mol；
②原料B與碳得到粗產(chǎn)品與X反應(yīng)，生成SiCl₄，則X為氯氣，原料B與碳得到粗產(chǎn)品為Si，故B為SiO₂．Y與氯氣在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，且與SiCl₄反應(yīng)得到高純度Si，則Y為氫氣．Z的焰色呈黃色，含有Na元素，電解A得到氫氣、氯氣與Z，則Z為NaOH、A為NaCl．
上述生產(chǎn)流程中電解NaCl的水溶液時(shí)，陽(yáng)極氯離子放電生成氯氣，陽(yáng)極材料若為Cu，則Cu放電，氯離子不能放電生成氯氣，故陽(yáng)極材料不能為Cu；
Cu為陽(yáng)極電解NaCl的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間，陽(yáng)極Cu放電生成銅離子，陽(yáng)極電極反應(yīng)式為：Cu-2e^-=Cu²⁺，
陰極水放電生成氫氣與氫氧根離子，陰極電極反應(yīng)式為：2H₂O+2e^-=H₂↑+2OH^-，
故答案為：不能；Cu-2e^-=Cu²⁺；2H₂O+2e^-=H₂↑+2OH^-；
（3）①二氧化硅與氫氧化鈉反應(yīng)生成硅酸鈉與水，反應(yīng)方程式為：SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O，
故答案為：SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O；
②反應(yīng)Ⅰ為置換反應(yīng)，反應(yīng)Ⅱ?yàn)橛袉钨|(zhì)參加的化合反應(yīng)，二者均屬于氧化還原反應(yīng)，Ⅲ中物質(zhì)未發(fā)生變化，未發(fā)生化學(xué)變化，Ⅳ中元素化合物均為發(fā)生變化，屬于非氧化還原反應(yīng)，
故答案為：I、Ⅱ；
③SiCl₄水解得到HCl、H₂SiO₃，反應(yīng)方程式為：SiCl₄+3H₂O=4HCl↑+H₂SiO₃↓，
故答案為：SiCl₄+3H₂O=4HCl↑+H₂SiO₃↓；
④在反應(yīng)IV中四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH₂）₄和一種氣體，由元素守恒可知，該氣體為HCl；在反應(yīng)V中Si（NH₂）₄受熱分解生成Si₃N₄，由原子守恒可知另一種產(chǎn)物為NH₃，
故答案為：HCl；NH₃．

點(diǎn)評(píng) 本題屬于拼合型題目，涉及化學(xué)工藝流程、無(wú)機(jī)物推斷、電解原理、熱化學(xué)方程式書(shū)寫(xiě)等，有利用學(xué)生能力的考查，需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ)與靈活運(yùn)用能力．