Question

下列的排序不正確的是（　�。�

• A、晶體熔點(diǎn)由低到高：CF₄＜CCl₄＜CBr₄＜CI₄
• B、沸點(diǎn)由高到低：Na＞Mg＞Al
• C、硬度由大到�。航饎偸�＞SiC＞晶體硅
• D、晶格能由大到�。篗gF₂＞NaCl＞NaBr

Answer 1

考點(diǎn)：晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系

專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A．結(jié)構(gòu)和組成相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大；
B．影響金屬晶體金屬鍵強(qiáng)弱的因素為電荷和離子半徑；
C．影響原子晶體硬度大小的因素是共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)；
D．影響離子晶體晶格能大小的因素有電荷因素和半徑因素．

解答： 解：A．四種分子晶體的組成和結(jié)構(gòu)相似，分子的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，則晶體的熔沸點(diǎn)越高，故A正確；
B．Na、Mg、Al原子半徑依次減小，金屬離子電荷逐漸增多，金屬鍵逐漸增強(qiáng)，則熔點(diǎn)由高到低：Al＞Mg＞Na，故B錯(cuò)誤；
C．原子半徑Si＞C，三者都為原子晶體，原子半徑越大，共價(jià)鍵的鍵能越小，則硬度越小，故C正確；
D．先比較電荷數(shù)多的晶格能大，而如果電荷數(shù)一樣多比較核間距，核間距大的，晶格能小，故D正確．
故選B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體的物理性質(zhì)，題目難度中等，注意把握比較角度，學(xué)習(xí)中注意方法的積累．