太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。完成下列填空:
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的電子排布式為 ;
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)? (用元素符號(hào)表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋 ;
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3。 BF3·NH3中B原子的雜化軌道類型為 ,B與N之間形成 鍵;
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為 。
(共8分)(1)1s22s22p63s23p63d10(1分)
(2)Br>As>Se (1分) As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大(1分);Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大(1分)。
(3)sp3;(1分) 配位鍵(答共價(jià)鍵不得分)(1分) (4) 12(2分)
解析試題分析:(1)銅是29號(hào)元素,銅原子失去一個(gè)電子變成亞銅離子,所以亞銅離子核外有28個(gè)電子。根據(jù)構(gòu)造原理可知基態(tài)銅離子(Cu+)的電子排布式為1s22s22p63s23p63d10或[Ar]3d10。
(2)As、Se、Br屬于同一周期且原子序數(shù)逐漸增大,這三種元素依次屬于第IVA族、第VA族、第VIA族。As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大,即第VA族元素大于其相鄰元素的第一電離能,所以3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)锽r>As>Se。
(3)BF3?NH3中B原子含有3個(gè)σ 鍵和一個(gè)配位鍵,所以其價(jià)層電子數(shù)是4,B原子采取sp3雜化。該化合物中,B原子提供空軌道的原子、N原子提供孤電子對(duì),所以B、N原子之間形成配位鍵。
(4)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,每個(gè)碳原子連接4個(gè)硅原子,每個(gè)硅原子又連接其它3個(gè)碳原子,所以每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為3×4=12個(gè)。
考點(diǎn):考查原子核外電子排布;元素第一電離能比較;配位鍵;晶胞的計(jì)算;原子軌道雜化方式及雜化類型判斷等
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
金屬晶體的形成是因?yàn)榫w中主要存在 ( )
A.金屬離子之間的相互作用 | B.金屬原子之間的作用 |
C.金屬離子與自由電子間的相互作用 | D.金屬原子與自由電子間的相互作用 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
下列各項(xiàng)中,理由、結(jié)論及因果關(guān)系均正確的是
選項(xiàng) | 理由 | 結(jié)論 |
A | 鍵能:N≡N>Cl-Cl | 單質(zhì)沸點(diǎn):N2>Cl2 |
B | 分子中可電離的H+個(gè)數(shù):H2SO4>CH3COOH | 酸性:H2SO4>CH3COOH |
C | 元素的非金屬性:N>P | 酸性:HNO3>H3PO4 |
D | 氧化性:Fe3+>Cu2+ | 還原性:Fe2+>Cu |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
Ⅰ.已知下列金屬晶體:Na、Po、K、Fe、Cu、Mg、Zn、Au。其堆積方式為:
(1)簡單立方堆積的是____________________________________________;
(2)鉀型的是______________________________________________________;
(3)鎂型的是______________________________________________________;
(4)銅型的是_____________________________________________________。
Ⅱ.A、B、C、D都是短周期元素,原子半徑D>C>A>B,已知:A、B處于同一周期,A、C處于同一主族;C原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)等于A、B原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)之和;C原子最外層電子數(shù)是D原子最外層電子數(shù)的4倍。
試回答:
(1)這四種元素分別是:A______,B______,C______,D______(填元素名稱)。
(2)這四種元素單質(zhì)的熔點(diǎn)由高到低的順序是________(填元素名稱)。
(3)C的固態(tài)氧化物是________晶體,D的固態(tài)單質(zhì)是________晶體。
(4)寫出A、B、D組成的化合物與B、C組成的化合物相互反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________________________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
某配位化合物為深藍(lán)色晶體,由原子序數(shù)由小到大的A、B、C、D、E五種元素構(gòu)成,其原子個(gè)數(shù)比為14:4:5:1:1。其中C、D元素同主族且原子序數(shù)D為C的二倍,E元素的外圍電子排布為(n-l)dn+6nsl,回答下列問題。
(1)該配位化合物的化學(xué)式為____ 。元素B、C、D的第一電離能由大到小的排列順序?yàn)?u> 。 (用元素符號(hào)表示)
(2)D元素原子的最外層電子排布圖為 。DC42-的立體構(gòu)型為____ 。
(3)A元素與E元素可形成一種紅色化合物,其晶體結(jié)構(gòu)單元如圖。則該化合物的化學(xué)式為 該化合物可在氯氣中燃燒,生成一種棕黃色固體和一種氣體,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
已知反應(yīng)A+B=C+D的能量變化如右圖所示,下列說法正確的是
A.該反應(yīng)為放熱反應(yīng) |
B.該反應(yīng)為吸熱反應(yīng) |
C.反應(yīng)物的總能量高于生成物的總能量 |
D.該反應(yīng)只有在加熱條件下才能進(jìn)行 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
已知A、B、C、D均是氣體,反應(yīng)A+B C+D的能量變化如圖所示,下列說法正確的是
A.當(dāng)A的正反應(yīng)速率與C的逆反應(yīng)速率相同時(shí)處于平衡狀態(tài)
B.當(dāng)A、B、C、D的濃度相同時(shí),反應(yīng)處于平衡狀態(tài)
C.反應(yīng)物的總鍵能量低于生成物的總鍵能
D.該反應(yīng)是放熱反應(yīng)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
以下說法正確的是( )
A.不能自發(fā)進(jìn)行的反應(yīng)屬于吸熱反應(yīng) |
B.化學(xué)鍵斷裂時(shí)吸收的能量大于化學(xué)鍵形成時(shí)放出的能量的反應(yīng)屬于放熱反應(yīng) |
C.升高反應(yīng)的溫度,活化分子百分?jǐn)?shù)增加,分子間有效碰撞的幾率提高,反應(yīng)速率增大 |
D.催化劑通過改變反應(yīng)路徑,使反應(yīng)速率增大,但不改變反應(yīng)所需的活化能 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
CO(g)+H2O(g) H2(g)+CO2(g) △H<0,在其他條件不變的情況下,下列說明正確的是
A.加入催化劑,改變了反應(yīng)的途徑,反應(yīng)放出的熱量也隨之改變 |
B.改變壓強(qiáng),平衡不發(fā)生移動(dòng),反應(yīng)放出的熱量不變 |
C.升高溫度,反應(yīng)速率加快,反應(yīng)放出的熱量不變 |
D.若在原電池中進(jìn)行,反應(yīng)放出的熱量不變 |
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