工業(yè)上由SiCl4制備高純硅時，不使用鈉、鎂等活潑金屬做還原劑，而是用氫氣作還原劑其原因是

       A．鈉或鎂等活潑金屬的價格昂貴，成本高

       B．鈉或鎂等活潑金屬的還原性不及氫氣強

       C．鈉或鎂等金屬可能與硅形成合金或殘留在硅中

       D．鈉或鎂的熔點沒有硅高

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

工業(yè)生產(chǎn)粗硅的主要原理為：SiO2+2CSi(粗)+2CO↑。

(1)若在制粗硅的過程中同時生成了碳化硅，且生成的硅和碳化硅的物質(zhì)的量之比為5∶1，則參加反應(yīng)的C和SiO2的質(zhì)量比為____________。

(2)工業(yè)上可通過如下流程由粗硅制取純硅：

Si(粗)SiCl4(l) Si(純)

若上述反應(yīng)中Si(粗)和SiCl4的利用率均為80%，制粗硅時有10%的SiO2轉(zhuǎn)化為SiC，則生產(chǎn)100.8 t純硅需純度為75%的石英砂多少噸？

(3)工業(yè)上還可以通過下圖所示的流程來制取純硅：

反應(yīng)①：Si(粗)+3HCl(g) SiHCl3(l)+H2(g)

反應(yīng)②：SiHCl3+H2Si(純)+3HCl

假設(shè)在每一輪次的投料生產(chǎn)中，硅元素沒有損失，反應(yīng)①中HCl的利用率為75%，反應(yīng)②中H2的利用率為80%，則在下輪次的生產(chǎn)中，需補充投入HCl和H2的體積比為多少？

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

工業(yè)生產(chǎn)粗硅的主要原理為：SiO2+2C  3273K  Si(粗)+2CO↑。

（1）若在制粗硅的過程中同時生成了碳化硅，且生成的硅和碳化硅的物質(zhì)的量之比為5∶1，則參加反應(yīng)的C和SiO2的質(zhì)量比為       ??             。

（2）工業(yè)上可通過如下流程由粗硅制取純硅：

+氫氣
 

+氯氣
 

提純
 
 


Si(粗)              SiCl4(l)                        Si(純)

若上述反應(yīng)中Si(粗)和SiCl4的利用率均為80%，制粗硅時有10%的SiO2轉(zhuǎn)化為SiC，則生產(chǎn)100.8t純硅需純度為75%的石英砂多少噸？

（3）工業(yè)上還可以通過下圖所示的流程來制取純硅：

 


反應(yīng)①： Si(粗)+3HCl(g)   553~573K   SiHCl3(l)+H2(g)

反應(yīng)②： SiHCl3+H2   1373K   Si(純)+3HCl

假設(shè)在每一輪次的投料生產(chǎn)中，硅元素沒有損失，反應(yīng)①中HCl的利用率為75%，反應(yīng)②中H2的利用率為80%，則在下輪次的生產(chǎn)中，需補充投入HCl和H2的體積比為多少？

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科目：高中化學(xué) 來源：模擬題 題型：填空題

（三選一）【選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
硅與金剛砂（SiC）是兩種重要的工業(yè)產(chǎn)品，它們都可由二氧化硅與碳反應(yīng)制得。
（1）由SiO2生成SiC的化學(xué)方程式是_________________。 氮化硅（Si3N4）也是一種高硬度高沸點的物質(zhì)，其制備方法是在H2的保護下，使SiCl4與N2反應(yīng)沉積在石墨表面，形成一層致密的氮化硅層，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________。
（2）基態(tài)Si原子的價電子排布式為________；Si與C相比，電負性較大的是_________（填元素符號）。   
（3）從原子軌道重疊的角度，X分子中含有的化學(xué)鍵是____________，X可與氧氣反應(yīng)生成Y，Y分子的中心原子雜化軌道類型是__________，鍵角是_____________。SiO2與HF溶液反應(yīng)可以生成一種氣態(tài)物質(zhì)，該物質(zhì)的立體構(gòu)型為__________________。
（4）SiC的一種晶體與晶體硅的結(jié)構(gòu)相似，其中C原子和Si原子的位置是交替的，在SiC中最小的環(huán)上有________個原子，SiC與晶體硅相比，_________熔點較高，原因是______________________________ 。
（5）生鐵中存在著碳鐵化合物。若鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，鐵的密度是dg/cm3，則鐵原子的半徑是_________cm。（只要求列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏伽德羅常數(shù)為NA）。

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科目：高中化學(xué) 來源：同步題 題型：填空題

氮化硅是一種非氧化物高溫陶瓷結(jié)構(gòu)材料，具有高硬度、高強度、耐腐蝕等特性，其超強的拉彎強度達到8× 104～10×104 N·cm-2，并且在1200℃高溫下不會下降。用氮化硅陶瓷制成的內(nèi)燃機不需冷卻裝置， 可節(jié)約燃料30%左右，熱轉(zhuǎn)換率提高到40%～ 50%。粉末狀的氮化硅可以由SiCl4的蒸氣和氨氣的混合物反應(yīng)制取。粉末狀的氮化硅在空氣和水中都不穩(wěn)定，但若將粉末狀的氮化硅和適量的MgO在230×1.01×105 Pa和185℃的密閉容器中熱處理，可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密而且在空氣和水中都十分穩(wěn)定的高溫結(jié)構(gòu)材料。氮化硅陶瓷抗腐蝕能力強，除氫氟酸以外，它不與其他無機酸反應(yīng)。
(1)根據(jù)元素周期律和元素周期表知識，請寫出氮化硅的化學(xué)式_____________。
(2)寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制備氮化硅的化學(xué)反應(yīng)方程式：______________。 過去，工業(yè)上曾普遍采用高純硅與純氮在1 300℃ 反應(yīng)制氮化硅，現(xiàn)用四氯化硅和氮氣在氫氣氣氛保護下，加強熱發(fā)生反應(yīng)，也可制得較高純度的氮化硅，其反應(yīng)方程式為____________。
(3)分別寫出粉末狀氮化硅與氫氟酸、H2O、O2反應(yīng)的化學(xué)方程式____________。
(4)推測該氮化硅陶瓷被腐蝕的化學(xué)反應(yīng)方程式____________。
(5)試思考說明為什么結(jié)構(gòu)緊密的氮化硅不受H2O、O2的侵蝕________________。

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