(2010?伊春模擬)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
C、Si、Ge、Sn是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)Ge的原子核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p2
1s22s22p63s23p63d104s24p2

(2)C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中,能夠形成金屬晶體的是
Sn
Sn

(3)按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)
①CO2分子的空間構(gòu)型
直線(xiàn)形
直線(xiàn)形
;碳氧之間的成鍵方式
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵

②SiO2晶體的空間構(gòu)型
Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu),四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu),四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
;硅氧之間的成鍵方式
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵

③已知SnO2是離子晶體,寫(xiě)出其主要物理性質(zhì)
熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)
熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)
(寫(xiě)出1條即可)
分析:(1)Ge是32號(hào)元素,其原子核外有32 個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理書(shū)寫(xiě)其基態(tài)原子核外電子排布式;
(2)金屬元素能形成金屬晶體;
(3)①根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定其空間構(gòu)型,非金屬元素之間易形成共價(jià)鍵;
②二氧化硅是原子晶體,每個(gè)硅原子和4個(gè)氧原子之間形成4個(gè)共價(jià)鍵,每個(gè)氧原子和2個(gè)硅原子形成2個(gè)共價(jià)鍵;非金屬元素之間易形成共價(jià)鍵;
③熔融狀態(tài)下,離子晶體能電離出陰陽(yáng)離子,離子晶體的熔點(diǎn)與其晶格能成正比.
解答:解:(1)Ge是32號(hào)元素,其原子核外有32 個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理知其基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p2,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s24p2;
(2)金屬元素能形成金屬晶體,所以能形成金屬晶體的是Sn,故答案為:Sn;
(3)①二氧化碳分子中碳原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是2,且不含孤電子對(duì),所以其空間構(gòu)型是直線(xiàn)形,碳原子和氧原子之間存在共價(jià)鍵,故答案為:直線(xiàn)形;共價(jià)鍵;
②二氧化硅是原子晶體,Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu),四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),硅原子和氧原子之間存在共價(jià)鍵,
故答案為:Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu),四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu);共價(jià)鍵;
③離子晶體在熔融狀態(tài)下能電離呈自由移動(dòng)的陰陽(yáng)離子而導(dǎo)電,且離子晶體一般有較高的熔點(diǎn),
故答案為:熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn).
點(diǎn)評(píng):本題考查了基態(tài)原子核外電子排布式的書(shū)寫(xiě)、分子空間構(gòu)型的判斷、化學(xué)鍵的判斷等知識(shí)點(diǎn),根據(jù)構(gòu)造原理、價(jià)層電子對(duì)互斥理論等知識(shí)點(diǎn)來(lái)分析解答,難度不大.
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