有A、B、C、D、E、F六種元素,已知:它們位于三個不同的短周期,核電荷數(shù)依次增大;A與E、B與F分別同主族;A、E分別都能與D按原子個數(shù)1∶1或2∶1形成化合物;B、C分別能與D按原子個數(shù)1∶1或1∶2形成化合物。
(1)寫出只含有A、B、D、E四種元素的兩種無水鹽的化學
式 、 。
(2)右圖是A與D形成的一種化合物的晶體結構示意圖,其中的虛線表示 。E與D按原子個數(shù)比1∶1形成的化合物的電子式為 。
(3)人們通常把拆開1mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱,也可以用于估算化學反應的反應熱(△H),化學反應的△H等于反應中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應中形成新化學鍵的鍵能之和的差。下表列出了上述部分元素形成的化學鍵的鍵能:
化學鍵 | F—D | F—F | B—B | F—B | B==D | D==D |
鍵能/ kJ·mol−1 | 460 | 176 | 347.7 | 347 | 745 | 497.3 |
① 下列三種物質形成的晶體,熔點由高到低的順序為 (用a、b、c表示)。
a.F與B形成的化合物 b.B與D形成的穩(wěn)定化合物
c.F的單質
② 試寫出F單質晶體的燃燒的熱化學方程式: 。
(1)NaHCO3、CH3COONa(或其他有機酸鈉鹽) (2)氫鍵;過氧化鈉的電子式
(3)① a>c>b ② Si(s) + O2(g) == SiO2(s);△H= −990.7kJ·mol−1
突破點——“A、E分別都能與D按原子個數(shù)1∶1或2∶1形成化合物”,則D為氧元素,結合“A、B、C、D、E、F核電荷數(shù)依次增大”可知A為氫元素,E為鈉元素。又“B、C分別能與D按原子個數(shù)1∶1或1∶2形成化合物”,推知B為碳元素,C為氮元素!癇與F同主族”,則F為硅元素。
(3)a.SiC為原子晶體,b.CO2為分子晶體,c.晶體硅為原子晶體。熔點:原子晶體>分子晶體;同為原子晶體時,鍵能越大,熔點越高。所以熔點由高到低的順序為a>c>b。
(4)晶體硅中每mol Si有2mol Si—Si鍵,每mol SiO2晶體中含有4mol Si—O鍵,代入數(shù)據計算可得晶體硅的燃燒熱為990.7kJ·mol−1。
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