(14分)Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知:
①Z的原子序數(shù)為29,其余的均為短周期主族元素;
②Y原子價電子(外圍電子)排布為msnmpn
③R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù);
④Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4。請回答下列問題:
(1)在[Z(NH3)4]2離子中,Z2的空軌道接受NH3分子提供的________形成配位鍵。
(2)Q與Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙,下列判斷正確的是________。
a.穩(wěn)定性:甲>乙,沸點:甲>乙                    b.穩(wěn)定性:甲>乙,沸點:甲<乙
c.穩(wěn)定性:甲<乙,沸點:甲<乙                    d.穩(wěn)定性:甲<乙,沸點:甲>乙
(3)R元素的氣態(tài)氫化物丙的沸點比同主族下一周期的元素氣態(tài)氫化物高很多,原因是:________________________________________________;丙的空間構(gòu)型________,雜化軌道類型________。
(4)Q、R、X三種元素的第一電離能數(shù)值由小至大的順序為________(用元素符號作答)。
(5)Q的一種氫化物相對分子質(zhì)量為26,其分子中σ鍵與π鍵鍵數(shù)之比為________。
(1)孤電子對 (2)b   (3) 因丙中含有氫鍵 三角錐形    SP3
4)C< O< N  (5) 3:2 
原子序數(shù)是29的元素為銅,Z是Cu。Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4,所以Q是C元素,X是O元素。Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增,因此R是氮元素。
Y原子價電子(外圍電子)排布為msnmpn,則n=2,即Y是第ⅣA元素,所以是Si。
(1)配位鍵的形成必須有提供孤電子對的配體和接受孤電子對的空軌道。
(2)Q與Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物分別為CH4和SiH4,碳的非金屬性強于硅的,所以穩(wěn)定性前者強,二者形成的晶體是分子晶體,后者的沸點高。
(3)氨氣中含有氫鍵,所以沸點高。根據(jù)價層電子對互斥理論可知氨氣中中心原子的有1對孤電子對,所以構(gòu)型是三角錐形,采用sp3雜化。
(4)非金屬性越強,第一電離能越大。
(5)Q的一種氫化物相對分子質(zhì)量為26,所以是乙炔,乙炔中含有碳碳三鍵,三鍵是由2個π鍵和1個σ鍵構(gòu)成的,C-H之間的單鍵是σ鍵,所以答案是3:2。
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A.該微粒不顯電性B.該微粒質(zhì)量數(shù)為4
C.在周期表中與氫元素占同一位置D.該粒子質(zhì)量比氫原子大

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某一新元素的質(zhì)量數(shù)272,核內(nèi)質(zhì)子數(shù)是111,則其核內(nèi)的中子數(shù)為 (     )
A.161B.111C.272D.433

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N的質(zhì)量數(shù)為14,在微粒NH3中,電子數(shù)、質(zhì)子數(shù)、中子數(shù)之比為
A.10:7: 11B.10:11:9
C.10:11:8D.10:10:7

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列順序不正確的是(   )
A.微粒半徑Na+<K+<Cl-<S2-B.穩(wěn)定性HI>HBr>HCl>HF
C.酸性H4SiO4<H3PO4<H2SO4<HClO4D.堿KOH>Ca(OH)2>Mg(OH)2>Al(OH)3

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按照原子核外電子排布規(guī)律:各電子層最多容納的電子數(shù)為2n2(n為電子層數(shù),其中,最外層電子數(shù)不超過8個,次外層不超過18個)。1999年已發(fā)現(xiàn)了核電荷數(shù)為118的元素,其原子核外電子層排布是(   )
A.2,8,18,32,32,18,8B.2,8,18,32,50,8
C.2,8,18,32,18,8D.2,8,18,32,50,18,8

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A.電子數(shù)為92B.質(zhì)量數(shù)為238
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A.3He比4He少一個中子B. 3He是4He的同分異構(gòu)體
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列敘述中,錯誤的是( )
A.原子半徑:Na>Mg>O
B.13C和14C屬于同位素
C.0族元素是同周期中非金屬性最強的元素
D.N和P屬于第ⅤA族元素,HNO3酸性比H3PO4的強

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