Question

【題目】a、b、c、d、e、f是H、C、N、Na、Si、Cu六種元素中的其中一種，已知：圖1表示的是這六種元素單質的熔點高低順序，其中c、d均是熱和電的良導體，f形成的某種單質硬度最大。

回答下列問題：

（1）a、b、f三種元素的電負性從小到大的順序為______(用元素符號表示)。

（2）元素b的單質的一個分子中含有____個σ鍵和______個π鍵。

（3）元素c的單質的晶體堆積方式類型是_______；若c單質分別與氟氣和氯氣形成化合物甲和乙，則甲的晶格能______乙的晶格能(填“＞”、“＜”或“=”)。

（4）元素d的單質基態(tài)原子的價電子排布式為______（用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值）。

（5）元素e和f可形成化合物丙(丙的晶胞結構如圖2所示)，則丙的化學式為_____；丙的晶體類型為_______，在丙中，每個e原子周圍最近的e原子數(shù)目為______，若晶胞的邊長為a pm，則丙的密度為________。

Answer 1

【答案】 H<C<N 1 2 體心立方堆積 > 3d104s1 SiC 原子晶體 12

【解析】組成的單質分別是H2、C、N2、Na、Si、Cu，H2和N2常溫下為氣體，兩者屬于分子晶體，相對分子質量越大，熔沸點越高，即a為H2，b為N2，因為f形成的某種單質硬度最大，因此f為金剛石，金剛石和 Si為原子晶體，一般原子晶體熔沸點高，即e為Si，Na的熔點小于Cu，因此c為Na，d為Cu，（1）考查電負性的規(guī)律，非金屬性越強電負性越大，同周期從左向右電負性增大，即順序是H<C<N；（2）考查化學鍵類型，b為N2，兩個氮原子之間共用叁鍵，成鍵原子之間只能形成一個σ鍵，叁鍵中有一個σ鍵，兩個π鍵；（3）本題考查金屬晶體的堆積模型，以及離子晶體晶格能大小比較，元素c為Na，金屬鈉是體心立方堆積；形成的化合物分別是NaF和NaCl，兩者屬于離子晶體，晶格能與所帶電荷數(shù)和離子半徑有關，所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，晶格能越大，即兩種化合物所帶電荷數(shù)一樣，但F－的半徑小于Cl－，因此NaF的晶格能大；（4）考查價電子和電子排布式，d為Cu，位于第四周期IB族，其價電子包括最外層電子和次外層d能級上的電子，即價電子排布式為3d104s1 ；（5）考查化學式的確定和晶胞的計算，Si位于頂點和面心，個數(shù)為8×1/8＋6×1/2=4，C位于晶胞內(nèi)部，有4個，因此化學式為SiC，根據(jù)晶胞的結構，SiC是由原子組成，即為原子晶體，根據(jù)晶胞的結構，每個Si周圍最近的硅原子數(shù)目是12個（上中下三層各有4個），晶胞的質量為4×40/NAg，晶胞的體積為(a×10－10)3cm3，根據(jù)密度的定義，則有密度為。