【題目】鎂、鋁、硅、銀、鐵的單質(zhì)及其化合物在建筑業(yè)、飛機(jī)制造業(yè)、電子工業(yè)和石油化工等方面應(yīng)用廣泛;卮鹣铝袉栴}:

(1)Fe3+價(jià)層電子的軌道表達(dá)式(電子排布圖)__

(2)晶體硅屬于______晶體。硅能形成多種化合物(SiH4Si2H4),SiH4的分子的立體構(gòu)型為____;Si2H4分子中含有的σ鍵和π鍵的數(shù)目之比為____

有機(jī)物種類繁多的原因其中之一就是因?yàn)樘荚又g既可以形成單鍵又可以形成雙鍵和三鍵,SiGeC是同主族價(jià)電子數(shù)相同,但是SiGe就難形成雙鍵或三鍵,原因是________

(3)Mg、Al、Si的第一電離能由大到小順序:______________

(4)CaFe屬于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但金屬Ca的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Fe低,原因是______。

(5)Ag晶體的堆積方式為面心立方最密堆積(如圖所示),晶胞中Ag原子的配位數(shù)為______;設(shè)Ag原子半徑為rcm,阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示,則Ag晶體的密度為______g·cm-3(寫出表達(dá)式)

【答案】 原子 正四面體形 5:1 Si、Ge原子半徑大,原子間形成σ鍵長(zhǎng),P-P軌道幾乎不能重疊,難以形成穩(wěn)定的π鍵,所以不易形成雙鍵或三鍵 SiMgAl Ca的原子半徑較大,且價(jià)電子較少,金屬鍵較弱 12

【解析】

根據(jù)Fe核電荷數(shù)為26,核外26個(gè)電子,Fe3+則失去最外層4s2個(gè)電子和3d軌道上一個(gè)電子,寫出價(jià)電子的軌道表達(dá)式;根據(jù)Si晶體的結(jié)構(gòu)推出晶體類型,由VSEPR理論確定SiH4的空間構(gòu)型,由C2H4結(jié)構(gòu)類推Si2H4σ鍵、π鍵,由SiGe原子半徑大,原子間形成σ鍵長(zhǎng),P-P軌道不能重疊,說明難形成雙鍵或叁鍵;根據(jù)第一電離能遞變規(guī)律,判斷電離能的大。桓鶕(jù)Ca的原子半徑比Fe大,形成金屬鍵弱來解釋;根據(jù)晶體的結(jié)構(gòu),進(jìn)行晶胞的相關(guān)計(jì)算。

1Fe元素為26號(hào)元素,原子核外有26個(gè)電子,所以核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d64s2[Ar]3d64s2,Fe3+的價(jià)層電子為其3d能級(jí)上5個(gè)電子,Fe3+的價(jià)層電子的電子排布圖為:;答案為:

2)晶體硅是Si原子間通過共價(jià)鍵形成的網(wǎng)狀立體結(jié)構(gòu),屬于原子晶體,SiH4的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4+(41×4)=4,沒有孤電子對(duì),故中心原子的雜化軌道類型為sp3雜化,其分子的立體構(gòu)型為正四面體,鍵角109°28'Si2H4分子與乙烯一致,Si原子成2個(gè)Si-H鍵、1個(gè)Si=Si鍵,單鍵是σ鍵,雙鍵中含有1個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,故分子中含有5個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵,1molSi2H4分子中含有σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為51,因?yàn)?/span>SiGe原子半徑大,原子間形成σ鍵長(zhǎng),P-P軌道幾乎不能重疊,難以形成穩(wěn)定的π鍵,所以不易形成雙鍵或三鍵,答案為原子,正四面體,51,因?yàn)?/span>Si、Ge原子半徑大,原子間形成σ鍵長(zhǎng),P-P軌道幾乎不能重疊,難以形成穩(wěn)定的π鍵,所以不易形成雙鍵或三鍵。

3)同一周期元素,元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì),但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素,Mg、Al、Si為同一周期元素,鎂為IIA族元素,所以元素第一電離能:SiMgAl;答案為SiMgAl

4)與Fe相比Ca的原子半徑較大,且價(jià)電子較少,金屬鍵較弱,則金屬Ca的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Fe低;答案為金屬Ca的原子半徑較大,且價(jià)電子較少,金屬鍵較弱。

5)由晶胞圖可知,Ag為面心立方最密堆積,以頂點(diǎn)Ag原子研究,其配原子位于晶胞面心,每個(gè)頂點(diǎn)為8個(gè)晶胞共用,每個(gè)面心為2個(gè)晶胞共用,故其配原子數(shù)目為=12,處于面對(duì)角線上的原子相鄰,Ag原子半徑為r cm,則晶胞棱長(zhǎng)為2rcm,晶胞中Ag原子數(shù)目=8×+6×=4,晶胞質(zhì)量=4×g,晶體密度=(4×g÷(2rcm)3= gcm-3;答案為:12,。

練習(xí)冊(cè)系列答案
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A.能發(fā)生加成、取代、消去反應(yīng)

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A.每升溶液中的H數(shù)目為0.01NA

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(1)NaHSO3溶液的pH≈5的原因是_______(用化學(xué)用語并結(jié)合文字說明回答)。

(2)甲同學(xué)結(jié)合微粒觀,應(yīng)用所學(xué)知識(shí),設(shè)計(jì)了如圖所示實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)閉合開關(guān)后靈敏電流計(jì)指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)。

則:

a電極為_______(正極負(fù)極”);電極反應(yīng)式為:______________。

②取少量Na2SO3溶液電極附近的混合液,加入_______,產(chǎn)生白色沉淀,證明產(chǎn)生了。

(3)制備Na2S2O5也可采用三室膜電解技術(shù),裝置如圖所示,其中SO2堿吸收液中含有NaHSO3Na2SO3,則陽極的電極反應(yīng)式為_____________。電解后,_____________室的NaHSO3濃度增加。

(4)乙同學(xué)測(cè)定市面上某干紅葡萄酒中Na2S2O5殘留量,取50.00 mL葡萄酒樣品于錐形瓶中,用裝有0.010 mol·L1碘標(biāo)準(zhǔn)液的_________(酸式堿式”)滴定管滴定至終點(diǎn),消耗標(biāo)準(zhǔn)液10.00 mL。該樣品中Na2S2O5的殘留量為____________g·L1(SO2計(jì))(已知:)

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A.C點(diǎn)溶液呈酸性,A點(diǎn)溶液呈堿性

B.A點(diǎn)溶液中:

C.在相同溫度下,A、BC三點(diǎn)溶液中水的電離程度:

D.D點(diǎn)溶液中:

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A.甲烷裂解屬于吸熱反應(yīng)

B.在反應(yīng)體系中加催化劑,反應(yīng)速率增大

C.增大體系壓強(qiáng),不能提高甲烷的轉(zhuǎn)化率

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②氧化性:;

,

回答下列問題:

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(4)“過濾時(shí)濾渣1的主要成分是________。

(5)“沉鎳后需過濾、洗滌,證明沉淀已洗滌干凈的方法是________________。若沉鎳后的濾液中,則濾液的________。

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D. 乙酸、水、乙醇羥基氫的活潑性依次減弱

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