pH相同、體積相同的氨水和氫氧化鈉溶液分別采取下列措施，有關(guān)敘述正確的是…（　�。�
A、加入適量的氯化銨晶體后，兩溶液的pH均堿小
B、溫度下降10°C，兩溶液的pH均不變
C、分別加水稀釋10倍，兩溶液的pH仍相等
D、用同濃度的鹽酸中和，消耗鹽酸的體積相同
考點(diǎn)：pH的簡單計(jì)算,弱電解質(zhì)在水溶液中的電離平衡
專題：
分析：A．加入適量的氯化銨晶體，抑制一水合氨電離，NaOH和氯化銨反應(yīng)生成氯化鈉和一水合氨；
B．降低溫度，一水合氨電離程度減��；
C．加水稀釋促進(jìn)一水合氨電離；
D．用HCl中和，消耗鹽酸的體積與堿的物質(zhì)的量成正比．
解答： 解：室溫下，pH相等氨水和NaOH溶液中，氨水濃度大于NaOH．
A．加入適量的氯化銨晶體，抑制一水合氨電離，NaOH和氯化銨反應(yīng)生成氯化鈉和一水合氨，所以加入適量的氯化銨晶體后，兩溶液的pH均堿小，故A正確；
B．降低溫度，一水合氨電離程度減小，所以氨水的pH減小，故B錯誤；
C．加水稀釋促進(jìn)一水合氨電離，則稀釋后氨水的pH大于氫氧化鈉，故C錯誤；
D．用HCl中和，消耗鹽酸的體積與堿的物質(zhì)的量成正比，pH相等、體積相等的氨水和氫氧化鈉溶液，一水合氨的物質(zhì)的量大于氫氧化鈉，所以氫氧化鈉消耗的鹽酸少，故D錯誤；
故選A．
點(diǎn)評：本題考查了弱電解質(zhì)的電離，明確弱電解質(zhì)的電離特點(diǎn)是解本題關(guān)鍵，易錯選項(xiàng)是D，注意消耗酸的物質(zhì)的量與堿的物質(zhì)的量成正比，與電解質(zhì)強(qiáng)弱無關(guān)，為易錯點(diǎn)．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列有關(guān)說法正確的是（　�。�
A、H7N9型禽流感是一種新型禽流感，流感病毒通常檢測方法是基于核酸檢測的原理．核酸一種是蛋白質(zhì)
B、侯德榜發(fā)明了侯氏制堿法、維勒用氮?dú)夂蜌錃夂铣闪税睔�、阿倫尼烏斯�?chuàng)立了電離學(xué)說、掃描隧道顯微鏡的發(fā)明和STM技術(shù)應(yīng)用等等，這些都對化學(xué)學(xué)科的應(yīng)用和發(fā)展作出了重要的貢獻(xiàn)
C、使用可再生資源、注重原子的經(jīng)濟(jì)性、推廣利用二氧化碳與環(huán)氧丙烷生成的生物降解材料等都是綠色化學(xué)的內(nèi)容
D、化學(xué)幫助人類創(chuàng)造和合成了大量材料，如高純硅制作太陽能電池、聚氯乙烯塑料用來食品包裝、人造剛玉Al2O3用作耐高溫材料等等

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

將Q和R加入到密閉體系中，在一定條件下發(fā)生反應(yīng)3Q（s）+R（g）?2W（g）．平衡時W的體積分?jǐn)?shù)隨溫度和壓強(qiáng)的變化如下表所示：下列說法正確的是（　　）
1MPa2MPa3MPa
500℃45.3%
700℃a66.7%
900℃73.6%
A、該反應(yīng)的△H＜0
B、45.3%＜a＜66.7%
C、該反應(yīng)的平衡常數(shù)K（900℃）＜K（700℃）
D、700℃、2 MPa時R的轉(zhuǎn)化率為50%

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

化學(xué)與環(huán)境、生產(chǎn)和生活密切相關(guān)．下列說法錯誤的是（　　）
A、干冰可以用于人工降雨
B、推廣使用可降解塑料，有助于減少“白色污染”
C、將熟石灰和硝酸銨混合施用，肥效更高
D、環(huán)境保護(hù)應(yīng)從源頭消除污染

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

反應(yīng)過程中固體物質(zhì)質(zhì)量增加的是 （　　）
A、氨氣通過無水氯化鈣粉末
B、氫氣通過灼熱的氧化銅粉末
C、鋁與氧化鐵發(fā)生鋁熱反應(yīng)
D、將鋅粒投入到硝酸銅溶液中

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

應(yīng)用元素周期律分析下列推斷，其中正確的是（　�。�
A、酸性強(qiáng)弱：HClO＞H2SO4＞H2CO3
B、熱穩(wěn)定性：HF＞HCl＞HBr
C、已知硒（Se）與硫同主族，其最高價氧化物對應(yīng)的水化物分子式為：H2SeO3
D、原子半徑大小：Na＞P＞N

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

高純晶體硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料．
（1）硅元素位于周期表的
 
周期
 
族，在周期表的以下區(qū)域中，可以找到類似硅的半導(dǎo)體材料的是
 
（填字母序號）．
a．過渡元素區(qū)域
b．金屬和非金屬元素的分界線附近
c．含有氟、氯、硫、磷等元素的區(qū)域
（2）工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅．
已知：（如圖1）

請將以下反應(yīng)的熱化學(xué)方程式補(bǔ)充完整：
SiO2（s）+2C（s）═Si（s）+2CO（g）△H=
 

（3）粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷（SiH4），硅烷分解生成高純硅．已知硅烷的分解溫度遠(yuǎn)低于甲烷，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因：
 
，Si元素的非金屬性弱于C元素，硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷．
（4）將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅（SiHCl3），進(jìn)一步反應(yīng)也可制得高純硅．
①SiHCl3中含有的SiCl4、AsCl3等雜質(zhì)對晶體硅的質(zhì)量有影響．根據(jù)下表數(shù)據(jù)，可用
 
 方法提純SiHCl3．
物質(zhì)SiHCl3SiCl4AsCl3
沸點(diǎn)/℃32.057.5131.6
②用SiHCl3制備高純硅的反應(yīng)為 SiHCl3 （g）+H2（g） 
一定條件
 Si（s）+3HCl（g），不同溫度下，SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比（反應(yīng)初始時，各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比）的變化關(guān)系如圖2所示．下列說法正確的是
 
（填字母序號）．
a．該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b．橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是
n(SiHCl3)
n(H2)

c．實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率，應(yīng)適當(dāng)升高溫度．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列反應(yīng)的離子方程式書寫正確的是（　�。�
A、硫酸銅溶液中加過量的氨水：Cu2++2NH3?H2O═Cu（OH）2↓+2NH4+
B、用食醋檢驗(yàn)牙膏中碳酸鈣的存在：CaCO3+2H+═Ca2++CO2↑+H2O
C、用碘化鉀淀粉溶液檢驗(yàn)亞硝酸鈉中NO2-的存在：NO2-+2I-+2H+═NO↑+I2+H2O
D、向硫酸鋁銨[NH4Al（SO4）2]溶液中滴加足量Ba（OH）2溶液NH4++Al3++2SO42-+2Ba2++5OH-=AlO2-+2BaSO4↓+NH3?H2O+2H2O

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列反應(yīng)中必須加入氧化劑才能進(jìn)行的是（　�。�
A、Cl2→Cl-
B、Zn→Zn2+
C、KClO3→KCl
D、CuO→CuCl2

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