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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
元素編號 | 元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu) |
A | 第三周期中的半導(dǎo)體材科 |
B | L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少l |
C | 地殼中含量最高的元素 |
D | 第三周期主族元素中其第一電離能最大 |
E | 第四周期中未成對電子數(shù)最多 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
元素 | 相關(guān)信息 |
X | X的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物化學(xué)式為H2XO3 |
Y | Y是地殼中含量最高的元素 |
Z | Z的基態(tài)原子最外層電子排布式為3s23p1 |
W | W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為28,中子數(shù)為14 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
(13分)
現(xiàn)有部分前四周期元素的性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下表:
元素編號 | 元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu) |
A | 第三周期中的半導(dǎo)體材科 |
B | L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少l |
C | 地殼中含量最高的元素 |
D | 第三周期主族元素中其第一電離能最大 |
E | 第四周期中未成對電子數(shù)最多 |
(1)寫出元素E基態(tài)原子的電子排布式: 。
(2)C2單質(zhì)分子中,含有 個(gè)鍵和 個(gè)鍵,元素B的氣態(tài)氫化的空間構(gòu)型為 。
(3)A、B、C第一電離由大到小的順序?yàn)椋ㄓ迷胤柋硎荆?u> ;
(4)D單質(zhì)的熔點(diǎn) A單質(zhì)的熔點(diǎn)(填“高于”或“低于”),其原因是:
。
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科目:高中化學(xué) 來源:2010年福建省華安一中高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試題 題型:填空題
(13分)
現(xiàn)有部分前四周期元素的性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下表:
元素編號 | 元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu) |
A | 第三周期中的半導(dǎo)體材科 |
B | L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少l |
C | 地殼中含量最高的元素 |
D | 第三周期主族元素中其第一電離能最大 |
E | 第四周期中未成對電子數(shù)最多 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2010年福建省高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試題 題型:填空題
(13分)
現(xiàn)有部分前四周期元素的性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下表:
元素編號 |
元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu) |
A |
第三周期中的半導(dǎo)體材科 |
B |
L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少l |
C |
地殼中含量最高的元素 |
D |
第三周期主族元素中其第一電離能最大 |
E |
第四周期中未成對電子數(shù)最多 |
(1)寫出元素E基態(tài)原子的電子排布式: 。
(2)C2單質(zhì)分子中,含有 個(gè)鍵和 個(gè)鍵,元素B的氣態(tài)氫化的空間構(gòu)型為 。
(3)A、B、C第一電離由大到小的順序?yàn)椋ㄓ迷胤柋硎荆?u> ;
(4)D單質(zhì)的熔點(diǎn) A單質(zhì)的熔點(diǎn)(填“高于”或“低于”),其原因是:
。
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