下列性質(zhì)中，可以說明某化合物的晶體一定屬于離子晶體的是
A．可溶于水B．熔融態(tài)能導(dǎo)電C．水溶液能導(dǎo)電D．有較高的熔沸點
B
考查晶體的類型與性質(zhì)；本題可通過列舉一些反例進(jìn)行排除即可
A：HCl可溶于水，但為共價化合物
B：正確
C：醋酸的水溶液可導(dǎo)電，但它為共價化合物
D：金剛石有較高的熔沸點，但為原子晶體
選B
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列說法正確的是(　　)
A．冰融化時，分子中H—O鍵發(fā)生斷裂
B．分子晶體中，分子間作用力越大，通常熔點越高
C．分子晶體中，共價鍵鍵能越大，分子的熔、沸點越高
D．分子晶體中，分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（8分）現(xiàn)有①CaF2 ②金剛石 ③冰④干冰 ⑤Na2SO4 ⑥碘片 ⑦二氧化硅七種物質(zhì)，按下列要求回答（填序號）：
（1）晶體中既含離子鍵又含共價鍵的是_           ；（2）晶體熔化時需要破壞共價鍵的是____       _；（3）熔點最低的是___  __；（4）晶體中只存在一種微粒間作用力是____________；

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（16分）觀察下列部分圖形，并按要求回答下列問題

(1)由金剛石晶體結(jié)構(gòu)和晶胞圖知，金剛石是原子晶體，晶體中碳原子取        
雜化軌道形成σ鍵，每個晶胞中含碳原子數(shù)為         個。
(2)白磷分子（P4）中鍵角為           ，分子的空間結(jié)構(gòu)為           ，每1mol白磷分子含         mol P-P共價鍵。若將1分子白磷中所有P-P鍵打開并各插入一個氧原子所得氧化物的分子式為          ，若每個P原子的孤對電子再與氧原子配位，就可得到磷的另一種氧化物        （填分子式）。
(3)由SiO2晶體結(jié)構(gòu)知SiO2晶體是       晶體，每1mol SiO2晶體含        mol Si-O共價鍵。
(4)已知CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似，（如圖）但CaC2晶體中啞鈴形C22-的存在，使晶胞沿一個方向拉長，則CaC2晶體中Ca2+配位數(shù)（C.N）為         。C22-與O22+互為等電子體，O22+的電子式為       ，1molO22+中含π鍵數(shù)目為        。

(5)晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組成的正二十面體的原子晶體。其中含有20個等邊三角形和一定數(shù)目的頂角，每個頂角各有一個原子，觀察圖形回答。這個基本結(jié)構(gòu)單元由      個硼原子組成，共含有    個B-B鍵。
(6)若測得mg NaCl固體的體積為Vcm3,已知NaCl晶體中，靠得最近的Na+、Cl-間的距離為a cm,則阿佛加德羅常數(shù)的表達(dá)式為        。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

某物質(zhì)熔融狀態(tài)可導(dǎo)電,固態(tài)可導(dǎo)電,將其投入水中水溶液也可導(dǎo)電,則可推測該物質(zhì)可能是 （    ）
A．金屬晶體B．分子晶體C．原子晶體D．離子晶體

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)的晶胞（小球代表相應(yīng)的原子、分子或不同離子）不符合右圖的是（   ）
A．CsCl　　　　B．干冰　　　C．He　　　　D．I2

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

D、E、X、Y、Z是周期表中的前20號元素，且原子序數(shù)逐漸增大，他們的最簡單氫化物分子的空間結(jié)構(gòu)依次是正四面體、三角錐形、正四面體、V形、直線型。請回答下列問題：
（1）、寫出工業(yè)制E的氫化物的化學(xué)方程式                            
（2）、Z在元素周期表中位于      族，Z的單質(zhì)與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)的離子方程式
                                          
（3）、試比較D和X的最高價氧化物熔點的高低并說明理由                
                                                                   
（4）、寫出Y的氧化物的化學(xué)式                     、                  

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價電子的軌道排布式為                          。
（2）下列說法正確的是            （選填序號）。
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為        。
Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca2+的配位數(shù)為             。
（2）已知Ca2+的半徑為a cm，O2-的半徑為b cm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，
該晶體的密度為         g/cm3。（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列說法正確的是
A．離子晶體中每個離子周圍均吸引著6個帶相反電荷的離子
B．金屬導(dǎo)電的原因是在外電場作用下金屬產(chǎn)生自由電子，電子定向運動
C．分子晶體的熔點很低，常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)
D．原子晶體中各相鄰原子都以共價鍵結(jié)合

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