Question

決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）銅是過(guò)渡元素．化合物中，銅常呈現(xiàn)+1價(jià)或+2價(jià)．如圖為某銅氧化物晶體結(jié)構(gòu)單元，該氧化物的化學(xué)式為

 

．

（2）第三周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見(jiàn)如表：

氟化物	NaF	MgF2	SiF4
熔點(diǎn)/K	1266	1534	183

解釋MgF₂與SiF₄熔點(diǎn)差異的原因

 

．
（3）A和B為第三周期元素，其原子的部分電離能如下表所示：

電離能/kJ?mol-1	I1	I2	I3	I4
A	578	1817	2745	11578
B	738	1451	7733	10540

則A的電負(fù)性

 

B的電負(fù)性（填“＞”、“＜”或“=”）．
（4）研究物質(zhì)磁性表明：金屬陽(yáng)離子含未成對(duì)電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好．離子型氧化物V₂O₅、CrO₂、Fe₃O₄中，更適合作錄音帶磁粉原料的是

 

（填化學(xué)式）．
（5）實(shí)驗(yàn)室檢驗(yàn)Ni²⁺可用丁二酮肟與之作用生成腥紅色配合物沉淀．
②在配合物中用化學(xué)鍵和氫鍵標(biāo)出未畫(huà)出的作用力（鎳的配位數(shù)為4）．

Answer 1

考點(diǎn)：元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用,配合物的成鍵情況

專題：元素周期律與元素周期表專題,化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：（1）由晶體結(jié)構(gòu)用均攤法，求出原子個(gè)數(shù)之比；
（2）分子晶體的熔沸低于離子晶體；
（3）周期表中，同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增強(qiáng)；
（4）根據(jù)釩離子、鉻離子和鐵離子與亞鐵離子的未成對(duì)電子判斷；
（5）②Ni²⁺含有空軌道，N原子含有孤對(duì)電子對(duì)，N原子與Ni²⁺形成配位鍵，氧原子與氫原子之間形成氫鍵．

解答： 解：（1）由晶體結(jié)構(gòu)用均攤法，銅與氧的原子個(gè)數(shù)之比4：（8×

1

8

+1）=2：1，所以化學(xué)式為：Cu₂O，故答案為：Cu₂O；
（2）分子晶體的熔沸低于離子晶體，MgF₂為離子晶體，而SiF₄為分子晶體，離子晶體熔沸點(diǎn)高于分子晶體，故答案為：MgF₂為離子晶體，而SiF₄為分子晶體，離子晶體熔沸點(diǎn)高于分子晶體；
（3）周期表中，同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增強(qiáng)，則A、B的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)锳l、Mg，因?yàn)樵�素Mg價(jià)電子排布式為3s²完全充滿狀態(tài)，比Al穩(wěn)定，所以Mg的第一電離能大于Al．
故答案為：＞；
（4）V₂O₅中釩離子的核外電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶，無(wú)未成對(duì)電子，CrO₂中鉻離子的核外電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d²兩對(duì)未成對(duì)電子，而Fe₃O₄中有14對(duì)未成對(duì)電子，以Fe₃O₄中的未成對(duì)電子數(shù)最多，故答案為：Fe₃O₄；
（5）②Ni²⁺含有空軌道，N原子含有孤對(duì)電子對(duì)，N原子與Ni²⁺形成配位鍵，不同分子中氧原子與氫原子之間形成氫鍵，如圖所示：，
故答案為：．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了晶體結(jié)構(gòu)用均攤法，電負(fù)大小的比較，化學(xué)鍵、核外電子排布規(guī)律等，涉及的知識(shí)點(diǎn)較多，題目綜合性較強(qiáng)，難度中等．