Question

【題目】多晶硅是制作光伏電池的關(guān)鍵材料。將SiCl4氫化為SiHCl3的熱化學(xué)方程式為：3SiCl4＋2H2(g)＋Si(s)4SiHCl3(g) △H2<0

(1)該反應(yīng)是____________反應(yīng)(填吸熱、放熱)

(2)在相同條件，相同時(shí)間t時(shí)，不同溫度下該反應(yīng)中SiCl4轉(zhuǎn)化率如圖所示。下列敘述正確的是________________(填序號(hào))。

a.相同時(shí)間t內(nèi)，A點(diǎn)的平均反應(yīng)速率大于B點(diǎn)

b.相同時(shí)間t時(shí)，B點(diǎn)：v正>v逆

c.相同時(shí)間t時(shí)，v逆：C點(diǎn)大于A點(diǎn)

d.工業(yè)生產(chǎn)中采用了適宜溫度：480～520°C

(3)為了增大化學(xué)反應(yīng)速率，除加入催化劑、升高溫度外還可以采用哪些方法和措施：___。(只寫出一條)

Answer 1

【答案】放熱 bcd 將固體Si粉碎增大接觸面積、增大反應(yīng)物濃度、加入反應(yīng)物增大壓強(qiáng)（只填增大壓強(qiáng)不得分）

【解析】

(1) 已知△H2<0，則該反應(yīng)為放熱反應(yīng)；

(2) a.相同時(shí)間t內(nèi)，A點(diǎn)的溫度小于B點(diǎn)，則A點(diǎn)的平均反應(yīng)速率小于B點(diǎn)，與題意不符，a錯(cuò)誤；

b.相同時(shí)間t時(shí)，B點(diǎn)未達(dá)到平衡狀態(tài)，反應(yīng)正向進(jìn)行，則v正>v逆，符合題意，b正確；

c.相同時(shí)間t時(shí)，C點(diǎn)的溫度大于A點(diǎn)，則v逆：C點(diǎn)大于A點(diǎn)，符合題意，c正確；

d.根據(jù)圖像可知，溫度在480～520°C時(shí)，SiCl4的轉(zhuǎn)化率最高，則工業(yè)生產(chǎn)中采用了適宜溫度：480～520°C，符合題意，d正確；

(3) 將固體Si粉碎增大接觸面積、增大反應(yīng)物濃度、加入反應(yīng)物增大壓強(qiáng)均可提高反應(yīng)速率。

(1) 已知△H2<0，則該反應(yīng)為放熱反應(yīng)；

(2) a.相同時(shí)間t內(nèi)，A點(diǎn)的溫度小于B點(diǎn)，則A點(diǎn)的平均反應(yīng)速率小于B點(diǎn)，與題意不符，a錯(cuò)誤；

b.相同時(shí)間t時(shí)，B點(diǎn)未達(dá)到平衡狀態(tài)，反應(yīng)正向進(jìn)行，則v正>v逆，符合題意，b正確；

c.相同時(shí)間t時(shí)，C點(diǎn)的溫度大于A點(diǎn)，則v逆：C點(diǎn)大于A點(diǎn)，符合題意，c正確；

d.根據(jù)圖像可知，溫度在480～520°C時(shí)，SiCl4的轉(zhuǎn)化率最高，則工業(yè)生產(chǎn)中采用了適宜溫度：480～520°C，符合題意，d正確；

答案為bcd；

(3) 將固體Si粉碎增大接觸面積、增大反應(yīng)物濃度、加入反應(yīng)物增大壓強(qiáng)均可提高反應(yīng)速率。