Question

【題目】如表是元素周期表的一部分．表中所列的字母分別代表一種化學元素．

試回答下列問題：
（1）請寫出字母O代表元素的外圍電子排布 ．
（2）由j原子跟c原子以1：1相互交替結合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．兩者相比熔點更高的是（填化學式），試從結構角度加以解釋： ．
（3）白磷分子中的鍵角為 ， 分子的空間結構為 ， 每個P原子與個P原子結合成共價鍵．若將1分子白磷中的所有P﹣P鍵打開并各插入一個氧原子，共可結合個氧原子，若每個P原子上的孤對電子再與氧原子配位，就可以得到磷的另一種氧化物（填分子式）．
（4）i單質晶體中原子的堆積方式如圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關系的平面圖如下圖丙所示．

若已知i的原子半徑為d，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，i的相對原子質量為M，請回答：
①i單質晶體中原子的堆積方式為晶胞中i原子的配位數(shù)為 ， 一個晶胞中i原子的數(shù)目為__；
②該晶體的密度為（用字母表示）．

Answer 1

【答案】
（1）3d64s2
（2）SiC；因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C﹣Si鍵鍵長比晶體Si中Si﹣Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點高
（3）60°；正四面體；3；6；P4O10
（4）面心立方堆積；12；4；
【解析】解：（1）由元素所在周期表中的位置可知，O位于第四周期ⅤⅢ族第一列，O為Fe，外圍電子排布式3d64s2 ， 所以答案是：3d64s2；
（2.）SiC和晶體Si均屬于原子晶體，原子晶體的熔沸點取決于共價鍵的強度，由于C原子半徑小，SiC中C﹣Si鍵鍵長比晶體Si中Si﹣Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點高，所以答案是：SiC； 因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C﹣Si鍵鍵長比晶體Si中Si﹣Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點高；
（3.）白磷為空心正四面體結構，鍵角為60°，每個P原子與3個P原子結合成共價鍵，每個分子中含有6個共價鍵，若將1分子白磷中的所有P﹣P鍵打開并各插入一個氧原子，共可結合6個O原子，若每個P原子上的孤對電子分別再以配位鍵連接一個氧原子，還可結合4個O原子，則可形成化合物P4O10 ， 所以答案是：60°；正四面體；3；6；P4O10；
（4.）①根據(jù)圖片知，Al單質為面心立方堆積，Al原子配位數(shù)配位數(shù)=3× ×8=12，由圖2可知占據(jù)頂點和面心，則個數(shù)為8× +6× =4，所以答案是：面心立方堆積；12；4；
②Al原子半徑為d，則晶胞邊長=2 d，晶胞體積V=（2 d）3 ， 每個晶胞中Al原子個數(shù)為4，則密度為ρ， = ，解得ρ= ，所以答案是： ．