【題目】已知:P4(g)+6Cl2(g)4PCl3(g) ΔH=a kJ·mol1,
P4(g)+10Cl2(g)4PCl5(g) ΔH =b kJ·mol1,
P4具有正四面體結(jié)構(gòu),PCl5中P—Cl鍵的鍵能為c kJ·mol1,PCl3中P—Cl鍵的鍵能為1.2c kJ·mol1。下列敘述正確的是
A.P—P鍵的鍵能大于P—Cl鍵的鍵能
B.可求Cl2(g)+PCl3(g)PCl5(s)的反應(yīng)熱ΔH
C.Cl—Cl鍵的鍵能為(ba+5.6c)/4 kJ·mol1
D.P—P鍵的鍵能為(5a3b+12c)/8 kJ·mol1
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】回答問(wèn)題。
(1)用雙線橋法標(biāo)明電子轉(zhuǎn)移的方向和數(shù)目。
①2Al+Fe2O32Fe+Al2O3:________;
②MnO2+4HCl(濃)MnCl2+Cl2↑+2H2O:________;
(2)在②中氧化劑是________ ,還原劑是_________,被氧化的元素是_____,被還原的元素是______,氧化劑與還原劑之比是___________,當(dāng)有71gCl2生成時(shí),被氧化的HCl的物質(zhì)的量是________mol。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】以烴A為主要原料,采用以下路線合成藥物X、Y和高聚物Z。
已知:I.(R或R可以是烴基或H原子)。
II.反應(yīng)①、反應(yīng)②、反應(yīng)⑤的原子利用率均為100%。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)B的名稱(chēng)為______,X中的含氧官能團(tuán)名稱(chēng)為________,反應(yīng)③的條件為_____,反應(yīng)④ 的反應(yīng)類(lèi)型是__________。
(2)關(guān)于藥物Y ()的說(shuō)法正確的是(____)
A.藥物Y的分子式為C8H8O4,遇氯化鐵溶液可以發(fā)生顯色反應(yīng)
B. lmol藥物Y與H2、濃溴水中的Br2反應(yīng),最多消耗H2、Br2分別為4 mol和2 mol
C. lmol 藥物Y與足量的鈉反應(yīng)可以生成22.4L氫氣
D.藥物Y中⑥、⑦、⑧三處-OH的電離程度由大到小的順序是⑧>⑥>⑦
(3)寫(xiě)出反應(yīng)E→F的化學(xué)方程式__________。
(4)寫(xiě)出符合下列條件的E的所有同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式_________。
① 屬于酚類(lèi)化合物,且是苯的對(duì)位二元取代物;② 能發(fā)生銀鏡反應(yīng)和水解反應(yīng)。
(5)設(shè)計(jì)一條以CH3CHO及CH3OH 為起始原料合成Z的線路(無(wú)機(jī)試劑及溶劑任選)。__________
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,某同學(xué)設(shè)計(jì)一個(gè)甲醚燃料電池并探究氯堿工業(yè)原理和粗銅的精煉原理,其中乙裝置中X為陽(yáng)離子交換膜。
根據(jù)要求回答相關(guān)問(wèn)題:
(1)寫(xiě)出負(fù)極的電極反應(yīng)式_____________________________。
(2)鐵電極為________(填“陽(yáng)極”或“陰極”),石墨電極(C)的電極反應(yīng)式為________________。
(3)如果粗銅中含有鋅、銀等雜質(zhì),丙裝置中反應(yīng)一段時(shí)間,硫酸銅溶液濃度將____(填“增大”、“ 減小”或“不變”)。
(4)若在標(biāo)準(zhǔn)狀況下,有2.24L氧氣參加反應(yīng),則丙裝置中陰極析出銅的質(zhì)量為______。假設(shè)乙裝置中氯化鈉溶液足夠多,若在標(biāo)準(zhǔn)狀況下,有224mL氧氣參加反應(yīng),則乙裝置中陽(yáng)離子交換膜左側(cè)溶液質(zhì)量將____________(填“增大”、“減小”或“不變”),且變化了_______克。
(5)若將乙裝置中鐵電極與石墨電極位置互換,其他裝置不變,此時(shí)乙裝置中發(fā)生的總反應(yīng)式為_________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】化學(xué)探究學(xué)習(xí)小組的同學(xué)用下圖所示裝置制取氯氣并探究氯氣的某些性質(zhì)。
(1)裝置A中制取Cl2的化學(xué)方程式為________________________。
(2)裝置C中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_________________,反應(yīng)后溶液中含Cl元素的分子有_________。
(3)實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,測(cè)得裝置D溶液中存在大量SO42-。Cl2通過(guò)裝置D溶液時(shí)發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為 _____________ 。
(4)裝置F的作用是______,該裝置中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式______________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】A、B、C、D為前三周期元素。A元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2,B元素原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,C元素原子的M能層的p能級(jí)有3個(gè)未成對(duì)電子,D元素原子核外的M能層中只有2對(duì)成對(duì)電子。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)當(dāng)n = 2時(shí).AB2屬于____分子(填“極性”或“非極性”) ,分子中有____個(gè)σ鍵、___個(gè)π鍵。A6H6分子中A原子的雜化軌道類(lèi)型是______雜化。
(2)當(dāng)n = 3時(shí),A與B形成的晶體屬于______晶體。
(3)若A元素的原子價(jià)電子排布為3s23p2,A、C、D三種元素的第一電離能由大到小的順序是_______(用元素符號(hào)表示)。
(4)己知某紅紫色配合物的組成為CoCl3 ·5NH3· H2O,該配合物中的中心離子鈷離子在基態(tài)時(shí)的核外電子排布式為_______。
(5)金屬鐵的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,晶胞分別如圖所示,體心立方晶胞和面心立方晶胞中實(shí)際含有的Fe原子個(gè)數(shù)之比為________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】次磷酸(H3PO2)是一種精細(xì)磷化工產(chǎn)品,具有較強(qiáng)的還原性.回答下列問(wèn)題:
(1)H3PO2與足量的NaOH溶液反應(yīng),生成NaH2PO2,則H3PO2為______ 元酸,其電離方程式是__________.
(2)H3PO2是中強(qiáng)酸,寫(xiě)出其與NaHCO3溶液反應(yīng)的離子方程式______________________.
(3)H3PO2和NaH2PO2均可將溶液中的Ag+還原為Ag,從而可用于化學(xué)鍍銀.
①H3PO2中,P元素的化合價(jià)為__________;
②利用H3PO2進(jìn)行化學(xué)鍍銀反應(yīng)中,氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為4:1,則其氧化產(chǎn)物為_____________;(填化學(xué)式)
(4)H3PO2的工業(yè)制法是:將白磷(P4)與Ba(OH)2溶液反應(yīng)生成PH3氣體和Ba(H2PO2)2,后者再與H2SO4反應(yīng),寫(xiě)出白磷與Ba(OH)2溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式____________.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】關(guān)于強(qiáng)弱電解質(zhì)及非電解質(zhì)的組合完全正確的是( )
A | B | C | D | |
強(qiáng)電解質(zhì) | NaCl | H2SO4 | CaCO3 | HNO3 |
弱電解質(zhì) | HF | BaSO4 | HClO | CH3COOH |
非電解質(zhì) | Cl2 | CO2 | H2S | SO2 |
A.AB.BC.CD.D
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】砷的一些化合物常用作半導(dǎo)體、除草劑、殺鼠藥等。回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)As原子的核外電子排布式為[Ar]__________,有 ______個(gè)未成對(duì)電子。
(2)鎵氮砷合金材料的太陽(yáng)能電池效率達(dá)40%。Ga、N、As電負(fù)性由大至小的順序是 ___________。
(3)As4O6的分子結(jié)構(gòu)如圖所示,其中As原子的雜化方式為 _____mol。AS4O6含有鍵的物質(zhì)的量為_________mol。
(4)As與N是同主族兀素,AsH3的沸點(diǎn)(-62.5 ℃)比NH3的沸點(diǎn)(-33.5℃)低,原因是______。
(5)H3AsO4和H3AsO3是砷的兩種含氧酸,根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系,H3AsO4的酸性比
H3ASO3強(qiáng)的原因是_________。
(6)晶胞有兩個(gè)基本要素:
①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置,LiZnAs基稀磁半導(dǎo)體的晶胞如圖所示,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A處Li為(0,0,);B處As為(,,);C處Li的坐標(biāo)參數(shù)為__________。
②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀,已知LiZnAs單晶的晶胞參數(shù)a = 594 pm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,其密度為 ____g cm3 (列出計(jì)算式即可)
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