【題目】下列各項比較中前者高于(或大于或強于)后者的是
A. CH4在水中的溶解度和NH3在水中的溶解度
B. I2在水中的溶解度和I2在CCl4中的溶解度
C. I與H形成共價鍵的極性和F與H形成共價鍵的極性
D. 對羥基苯甲醛()和鄰羥基苯甲醛()的沸點
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【題目】實驗室在常溫下將濃鹽酸與高錳酸鉀混合能夠制氣氣,反應的化學方程式為:2KMnO4+16HCl(濃)═2KCl+2MnCl2+5Cl2↑+8H2O下列有關(guān)該反應的說法正確的是
A.KMnO4是還原劑
B.HCl是氧化劑
C.HCl中的氯元素得到電子
D.KMnO4中的Mn元素被還原
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【題目】某強酸性無色溶液中可能含下表離子中的若干種離子。
陽離子 | Mg2+、NH4+、Ba2+、Al3+、Fe2+ |
陰離子 | SiO32-、MnO4-、Cl-、NO3-、SO32- |
實驗I :取少量該試液進行如下實驗。
實驗Ⅱ:為了進一步確定該溶液的組成,取100 mL原溶液,向該溶液中滴加1 mol L-l的 NaOH溶液,產(chǎn)生沉淀的質(zhì)量與氫氧化鈉溶液體積的關(guān)系如圖所示。
回答下列問題:
(1)不進行實驗就可以推斷出,上表中的離子一定不存在的有___________種。
(2)通過實驗I可以確定該溶液中一定存在的陰離子是_____________。檢驗氣體X的方法是______________________;沉淀Z的化學式為_________________。
(3)寫出實驗Ⅱ的圖象中BC段對應的離子方程式:_____________________________________。
(4) A點對應的固體質(zhì)量為__________g。
(5)通過上述信息,推算該溶液中陰離子的濃度為______________mol L-l。
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【題目】一定溫度下,某密閉恒容的容器內(nèi)可逆反應A(g)+3B(g)2C(g)達到平衡狀態(tài)的標志
A. A的消耗速率是C的分解速率1/2倍
B. 容器內(nèi)混合氣體的密度不隨時間而變化
C. 單位時間內(nèi)生成nmolA,同時生成3nmolB
D. A、B、C的分子數(shù)之比為1:3:2
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【題目】糖類、脂肪、蛋白質(zhì)三大類營養(yǎng)物質(zhì)在消化道中消化的先后順序是( )
A.糖類、脂肪、蛋白質(zhì)B.蛋白質(zhì)、糖類、脂肪
C.脂肪、糖類、蛋白質(zhì)D.糖類、蛋白質(zhì)、脂肪
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【題目】福酚美克是一種影響機體免疫力功能的藥物,可通過以下方法合成:
(1)物質(zhì)A的名稱是__________________________
(2)B→C的轉(zhuǎn)化屬于_______反應(填反應類型)。
(3)上述流程中設計A→B步驟的目的是_________________________________。
(4)A與足量氫氧化鈉溶液反應的方程式為:_________________________________。
(5)A的同分異構(gòu)體X滿足下列條件:
Ⅰ.能與NaHCO3反應放出氣體; Ⅱ.能與FeCl3溶液發(fā)生顯色反應。
符合上述條件的同分異構(gòu)體有______種。其中核磁共振氫譜有5組吸收峰的結(jié)構(gòu)簡式為_____________。
(6)參照上述合成路線和信息,以乙醛為原料(無機試劑任選),設計制
的合成路線:____________________________。
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【題目】往鍋爐注入Na2CO3溶液浸泡,將水垢中的CaSO4轉(zhuǎn)化為CaCO3,再用鹽酸去除,下列敘述正確的是
A. 溫度升高Na2CO3溶液的Kw和c(H+)均會增大
B. CaSO4能轉(zhuǎn)化為CaCO3,說明Ksp(CaCO3)>Ksp(CaSO4)
C. CaCO3溶解于鹽酸而CaSO4不溶,是因為硫酸酸性強于鹽酸
D. 沉淀轉(zhuǎn)化的離子方程式為CO32(aq)+CaSO4(s)CaCO3(s)+SO42(aq)
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【題目】第三代半導體材料氮化鎵(GaN)適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常稱為高溫半導體材料。回答下列問題:
(1)基態(tài)Ga原子價層電子的軌道表達式為_________________________,第一電離能介于N和B之間的第二周期元素有_______種。
(2)HCN分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為_______,其中σ鍵的對稱方式為___________。與CN—互為等電子體的分子為___________。
(3)NaN3是汽車安全氣囊中的主要化學成分,其中陰離子中心原子的雜化軌道類型為_________。NF3的空間構(gòu)型為____________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半導體材料,晶體類型與晶體硅類似,熔點如下表所示,分析其變化原因_________________________________________________________。
GaN | GaP | GaAs | |
熔點 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。已知六棱柱底邊邊長為a cm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。
① 晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式,每個Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為_____________;
② GaN的密度為______________________g·cm3(用a、NA表示)。
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【題目】在某溫度下,將2molA和3molB充入一密閉容器中,發(fā)生反應:aA(g)+B(g) C(g)+D(g),5min后達到平衡,各質(zhì)的平衡濃度的關(guān)系為:[A]a[B]=[C][D]。此時若在溫度不變的情況下將容器的體積擴大為原來的10倍,A的轉(zhuǎn)化率不發(fā)生變化,則B的轉(zhuǎn)化率為
A. 60% B. 40% C. 24% D. 4%
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