下列數(shù)據(jù)是對應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)，有關(guān)的判斷錯(cuò)誤的是
Na2O
Na
AlF3
AlCl3
Al2O3
BCl3
CO2
SiO2
920℃
97.8℃
1291℃
190℃
2073℃
-107℃
-57℃
1723℃
A．含有金屬陽離子的晶體不一定是離子晶體
B．在共價(jià)化合物分子中各原子都形成8電子結(jié)構(gòu)
C．同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體
D．金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分子晶體的高
			


			


		

		





			

		
		
				

				練習(xí)冊系列答案
		

		
				
			

					

				相關(guān)習(xí)題
			

						
		

			

				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			


						
下列事實(shí)，不能用氫鍵知識解釋的是
A．水和乙醇可以完全互溶B．溴化氫比碘化氫穩(wěn)定
C．干冰易升華D．液態(tài)氟化氫的化學(xué)式有時(shí)可以寫成（HF）n的形式


			


			

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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			


						
氫疊氮酸(HN3)與醋酸性質(zhì)相近，其鹽穩(wěn)定，但受撞擊時(shí)易迅速發(fā)生反應(yīng)，生成氮?dú)�。關(guān)于氫疊氮酸以下說法：①NaN3的水溶液呈堿性�、诠腆wHN3屬分子晶體�、酃腆wNaN3屬離子化合物　④NaN3可用于小汽車防撞保護(hù)氣囊，其中正確的是
A．①②③④B．①②③C．②③④D．①③④


			


			

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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			


						
關(guān)于晶體和化學(xué)鍵關(guān)系的下列說法中，正確的是


			


			

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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			


						
下列判斷正確的是
A．含有共價(jià)鍵的化合物一定是共價(jià)化合物
B．晶體中一定存在化學(xué)鍵
C．含有離子鍵的化合物一定是離子化合物
D．金屬鍵越強(qiáng)，金屬越活潑，金屬熔點(diǎn)越高


			


			

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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			


						
干燥劑的干燥性能可用干燥效率(1m3空氣中實(shí)際余留水蒸氣的質(zhì)量)來衡量。某些干燥劑的干燥效率數(shù)據(jù)如下：
物 質(zhì)
MgO
CaO
ZnCl2
ZnBr2
干燥效率
0．008
0．2
0．8
1．1
根據(jù)以上數(shù)據(jù)，下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是（  ）
A．MgO的干燥性能比CaO好 
B．干燥效率可能與干燥劑的陰、陽離子的半徑大小有關(guān)
C．MgCl2可能是比CaCl2更好的干燥劑 
D．上述干燥劑中陽離子對干燥性能的影響比陰離子小


			


			

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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：填空題
			


						
（8分）選擇下列物質(zhì)填空(填寫序號)
①氯化鈣　②干冰 ③過氧化鈉 ④氯化銨 ⑤銅晶體 ⑥氬晶體 ⑦晶體硅 ⑧石墨 
（1）固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的原子晶體有                    
（2）熔化時(shí)不破壞化學(xué)鍵的化合物有                 
（3）含有非極性共價(jià)鍵的離子晶體有                 
（4）晶體內(nèi)同時(shí)存在共價(jià)鍵、范德華力和金屬鍵的是               


			


			

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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			


						
下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是
A．存在四面體結(jié)構(gòu)單元，O處于中心，Si處于4個(gè)頂角
B．最小的環(huán)上，有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子
C．最小的環(huán)上，Si和O原子數(shù)之比為1：2
D．1molSiO2晶體中含4molSi—O鍵


			


			

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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			


						
下列說法中不正確的是
A．NaCl晶體中離Cl-最近的Na+有6個(gè)B．晶體中有陽離子則一定含有陰離子
C．單晶Si最小環(huán)上擁有6個(gè)Si原子D．SiO2晶體的熔點(diǎn)高于SiCl4的熔點(diǎn)


			


			

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